有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种有源矩阵有机发光二极管面板，该面板包括：基板，在所述基板上的非像素区域和像素区域；设置于所述非像素区域的薄膜晶体管；保护层，形成在非像素区域和像素区域，并覆盖于所述薄膜晶体管上方；在所述保护层之上的像素定义层和有机发光单元；所述像素定义层设置于非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域，其中，至少在所述非像素区域设置有反射层。该面板以反射层反射出射到非像素区域的光，减少光损失，能够使得器件具有较高的发光亮度和外量子效率。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法
本专利技术涉及有源矩阵有机发光二极管领域，尤其涉及一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管（ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode,AMOLED）是一种新型的平板显示器件。传统的液晶显示器件自身不能发光，需要背光源，而有源矩阵型有机发光二极管器件本身具有发光功能，是一种自发光器件，因此，有源矩阵型有机发光二极管器件比液晶显示器件更能够做得轻薄，而且更省电，并且有源矩阵型有机发光二极管具有反应速度快、对比度更高、视角较广的特点，引起了人们广泛的关注。在制备有源矩阵有机发光二极管的过程中，面板的制作非常重要，对于提高发光亮度，提高外量子效率以及降低成本与简化工艺有重要影响。公开号为CN1945811A的中国专利申请公开了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制作方法，该方法包括：提供基板，形成薄膜晶体管于基板上，形成层间绝缘膜覆盖于薄膜晶体管和基板上方，于层间绝缘膜中形成多个通孔至薄膜晶体管的源极与漏极表面，于通孔中形成金属层并分别电连接源极与漏极，于电连接漏极的金属层表面形成透明电极，形成像素电极绝缘层于透明电极和层间绝缘膜中。现有技术中制作的有源矩阵有机发光二极管面板中，由于存在像素区域和非像素区域，并且非像素区域的面积大于像素区域的面积，顶发射的有源矩阵有机发光二极管发出的光在以360°出射时，光出射到非像素区域的阴极时光会被反射回来到薄膜晶体管侧，这样会损失部分的光，对于发光器件的亮度和外量子效率都是不小的损失。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法，能够使得器件具有较高的发光亮度和外量子效率。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，包括：基板，在所述基板上的非像素区域和像素区域；设置于所述非像素区域的薄膜晶体管；保护层，形成在非像素区域和像素区域，并覆盖于所述薄膜晶体管基板上方；在所述保护层之上的像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域，其中，至少在所述非像素区域设置有反射层。进一步地，所述反射层设置于所述保护层与所述像素定义层之间，且所述反射层仅设置于非像素区域。进一步地，所述保护层包括覆盖所述薄膜晶体管的钝化层和形成于所述钝化层上的平坦化层。进一步地，所述反射层形成于所述钝化层和平坦化层之间，且所述反射层仅设置于非像素区域。进一步地，所述平坦化层包括下平坦化层和上平坦化层两层结构，反射层形成于下平坦化层和上平坦化层之间，且所述反射层仅设置于非像素区域。进一步地，在所述基板之上还包括缓冲层，所述薄膜晶体管位于缓冲层之上，所述反射层设置于所述基板与缓冲层之间。进一步地，所述薄膜晶体管包括设置于缓冲层之上的沟道层，在所述沟道层之上的栅绝缘层和在所述栅绝缘层之上的栅电极，覆盖所述栅电极的层间绝缘膜，形成在所述层间绝缘膜上的源漏极通过第一接触孔与沟道层电连接。进一步地，所述反射层的材料为如银、铝、镍、铬、铂等的金属。进一步地，所述反射层的厚度在0.05~10μm之间。进一步地，所述沟道层的材料采用低温多晶硅。本专利技术还提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括非像素区域和像素区域；至少在所述基板的非像素区域形成反射层；在所述反射层上形成薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管和反射层的保护层；在所述保护层上形成像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域。进一步地，至少在所述基板的非像素区域形成反射层之后，还包括：在所述反射层上形成缓冲层。进一步地，所述在所述薄膜晶体管上形成保护层包括：在所述薄膜晶体管上形成钝化层；在所述钝化层上形成平坦化层。进一步地，所述反射层的材料采用如银、铝、镍、铬、铂等的金属。进一步地，所述反射层的厚度在0.05-10μm之间。本专利技术还提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括非像素区域和像素区域；在所述基板上形成薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管的保护层；在所述保护层上形成反射层；图案化反射层，使反射层只覆盖所述非像素区域；在所述反射层上形成像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域。进一步地，所述在所述薄膜晶体管上形成保护层包括：在所述薄膜晶体管上形成钝化层；在所述钝化层上形成平坦化层。进一步地，所述反射层的材料采用如银、铝、镍、铬、铂等的金属。进一步地，所述反射层的厚度在0.05-10μm之间。本专利技术还提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括非像素区域和像素区域；在所述基板上形成薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；在所述钝化层上形成下平坦化层；在所述下平坦化层上形成反射层；图案化反射层，使反射层只覆盖所述非像素区域；在反射层和下平坦化层上形成上平坦化层在所述上平坦化层上形成像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域。进一步地，所述反射层的材料采用如银、铝、镍、铬、铂等的金属。进一步地，所述反射层的厚度在0.05-10μm之间。本专利技术还提供了一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括非像素区域和像素区域；在所述基板上形成薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；在所述钝化层上形成反射层；图案化反射层，使反射层只覆盖所述非像素区域；在所述反射层之上形成平坦化层；在所述平坦化层上形成像素定义层和有机发光单元进一步地，所述反射层的材料采用如银、铝、镍、铬、铂等的金属。进一步地，所述反射层的厚度在0.05-10μm之间。与现有技术相比，本专利技术的优点在于以较为简单的工艺，改良有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法，能够使得源矩阵有机发光二极管器件具有较高的发光亮度和外量子效率。附图说明图1为具体实施例一中的有源矩阵有机发光二极管面板的截面结构示意图。图2为具体实施例一中的制备有源矩阵有机发光二极管面板的工艺流程图。图3-7为图2中各步骤制备出的有源矩阵有机发光二极管面板的截面结构示意图。图8-9为具体实施例二中的有源矩阵有机发光二极管面板的截面结构示意图。图10为具体实施例三中的有源矩阵有机发光二极管面板的截面结构示意图。图11-14为制备具体实施例三的有源矩阵有机发光二极管面板过程中，各步骤制备出的面板的截面结构示意图。图15为具体实施例四中的有源矩阵有机发光二极管面板的截面结构示意图。图16-18为制备具体实施例四的有源矩阵有机发光二极管面板过程中，各步骤制备出的面板的截面结构示意图。图中的附图标记所分别指代的技术特征为：1、基板；2、缓冲层；3、栅绝缘膜层；4、沟道层；5源漏金属电极层；6、栅电极；7、存储电容电极；8、层间绝缘膜；9、钝化层；10、反射层；11、平坦化层；12、像素定义层；13、有机层；14、掩膜层；15、阳极层；16、支撑层；17、阴极层；18、盖层；19、上平坦化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，包括：基板，在所述基板上的非像素区域和像素区域；设置于所述非像素区域的薄膜晶体管；保护层，形成在非像素区域和像素区域，并覆盖于所述薄膜晶体管上方；在所述保护层之上的像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于所述非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域，其中，至少在所述非像素区域设置有反射层。

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，包括：基板，在所述基板上的非像素区域和像素区域；设置于所述非像素区域的薄膜晶体管；保护层，形成在非像素区域和像素区域，并覆盖于所述薄膜晶体管上方；在所述保护层之上的像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于所述非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域，其中，仅在所述非像素区域设置有反射层，所述反射层位于所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧，所述反射层与所述薄膜晶体管绝缘。2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述反射层设置于所述保护层与所述像素定义层之间。3.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述保护层包括覆盖所述薄膜晶体管的钝化层和形成于所述钝化层上的平坦化层。4.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述反射层形成于所述钝化层和平坦化层之间。5.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述平坦化层包括下平坦化层和上平坦化层两层结构，反射层形成于下平坦化层和上平坦化层之间。6.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述反射层的材料采用银、铝、镍、铬、铂。7.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述反射层的厚度在0.05～10μm之间。8.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括非像素区域和像素区域；在所述基板上形成薄膜晶体管；形成所述薄膜晶体管的保护层；在所述保护层上形成反射层；图案化反射层，使反射层只覆盖所述非像素区域；在所述反射层上形成像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域；其中，所述反射层与所述薄膜晶体管绝缘。9.根据权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄大勇，熊志勇，王国立，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35