薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置。所述薄膜晶体管包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置
本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管是驱动电路的重要组成器件，其在显示装置中被广泛应用。氧化物晶体管技术作为现阶段的一个技术热点具有迁移率高、均匀性好等特点，受到人们的广泛关注。然而，在现有技术中，对于薄膜晶体管，还存在一些工艺难点需要解决。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置，能够解决现有技术中的栅极电极容易被氧化等问题。本专利技术的一个目的在于提供一种薄膜晶体管。本专利技术的第一方面提供了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：设置在衬底基板上的有源层；设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。在一个实施例中，所述覆盖层包括含镓氧化物。在一个实施例中，所述含镓氧化物包括下列材料的至少一种：IGZO、GZO、IGO、氧化镓或其组合。在一个实施例中，所述含镓氧化物是氧缺乏的。在一个实施例中，所述覆盖层的材料和所述有源层的材料相同。在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述覆盖层上的介质层，其中，所述介质层覆盖所述有源层的上表面。在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述介质层上的第一接触；以及位于所述介质层中的第一孔，其中，所述第一接触经由所述过第一孔连接到薄膜晶体管的源/漏极区域。在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述介质层中的第一布线，所述第一布线具有与所述栅极叠层相同的结构，所述第一布线的顶表面高于所述有源层的顶表面；设置在所述介质层上的第二接触；设置在所述介质层中的第二孔，其中，所述第二接触经由所述第二孔连接到所述第一布线。在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层和所述衬底基板之间的遮光层，以阻挡来自所述有源层下方的光进入所述有源层；第二布线，所述第二布线与所述遮光层位于同一层；设置在所述介质层上的第三接触；穿过所述介质层的第三孔，其中，所述第三接触经由所述过第三孔连接到所述第二布线。在一个实施例中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层和所述衬底基板之间的缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述遮光层的上表面、所述第二布线的上表面和所述衬底基板的暴露的上表面；设置在第一接触、第二接触和第三接触上的钝化层。本专利技术的另一个目的在于提供一种阵列基板。本专利技术的第二方面提供了一种阵列基板。所述阵列基板包括如上所述的薄膜晶体管。本专利技术的又一个目的在于提供一种显示装置。本专利技术的第三方面提供了一种显示装置。所述显示装置包括如上所述的阵列基板。本专利技术的再一个目的在于提供一种薄膜晶体管的制造方法。本专利技术的第四方面提供了一种薄膜晶体管的制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括：在衬底基板上形成有源层；在所述有源层上形成栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。在一个实施例中，所述覆盖层包括含镓氧化物。在一个实施例中，所述含镓氧化物包括下列材料的至少一种：IGZO、GZO、IGO、氧化镓或其组合。在一个实施例中，形成所述栅极叠层包括：在所述有源层上形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层上形成导电层；在所述导电层上形成覆盖材料层；进行构图，以形成所述栅极叠层。在一个实施例中，所述制造方法还包括：在形成所述有源层之前，在所述衬底基板上形成遮光层和第二布线，其中，第二布线和遮光层被同时形成，所述遮光层能够阻挡来自所述有源层下方的光进入所述有源层；在形成所述有源层之后，在所述衬底基板上形成第一布线，其中，所述第一布线与所述栅极叠层被同时形成，并且所述第一布线具有与所述栅极叠层相同的结构；形成所述栅极叠层之后且形成所述介质层之前，对所述覆盖层的上表面和所述有源层的上表面进行等离子体处理。在一个实施例中，所述薄膜晶体管的制造方法进一步包括：在形成所述遮光层和所述第二布线之后且在形成所述有源层之前，在所述遮光层上形成缓冲层，其中，所述缓冲层覆盖所述遮光层的上表面、所述第二布线的上表面和所述衬底基板的暴露上表面；在形成所述栅极叠层和所述第一布线之后，在所述覆盖层和所述第一布线上形成介质层，其中，所述介质层覆盖所述有源层的上表面以及所述缓冲层的未被所述有源层覆盖的上表面；在所述介质层中形成第一孔、第二孔和第三孔，其中，所述第一孔到达所述有源层的上表面，所述第二孔到达所述第一布线的上表面，所述第三孔到达所述第二布线的上表面，并且其中，所述第三孔被一次形成；在所述介质层上形成第一接触、第二接触和第三接触，其中，所述第一接触经由所述过第一孔连接到薄膜晶体管的源/漏极区域，所述第二接触经由所述第二孔连接到所述第一布线，所述第三接触经由所述第三孔连接到所述第二布线；在所述第一接触、第二接触和第三接触上形成钝化层。本专利技术的实施例提供的薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板以及显示装置，包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子，能够解决覆盖层下的栅极电极的氧化的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图进行简要说明，应当知道，以下描述的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制，其中：图1为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的示意图；图2为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的示意图；图3为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的示意图；图4为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的示意图；图5为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的示意图；图6为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的示意图；图7为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图8为根据本专利技术的一个实施例的栅极叠层的制造方法的流程示意图；图9为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图10为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的制造方法的流程示意图；图11(A)-11(K)为根据本专利技术的一个实施例的薄膜晶体管的制造方法的工艺流程图具体实施方式为了使本专利技术的实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将接合附图，对本专利技术的实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，也都属于本专利技术保护的范围。当介绍本专利技术的元素及其实施例时，冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素。用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素。出于下文表面描述的目的，如其在附图中被标定方向那样，术语“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及专利技术。术语“上覆”、“在……顶上”、“定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板上的有源层和设置在所述有源层上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层包括：设置在所述有源层上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的栅极电极；设置在所述栅极电极上的覆盖层，所述覆盖层比所述栅极电极更容易捕获氧原子。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述覆盖层包括含镓氧化物。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述含镓氧化物包括下列材料的至少一种：IGZO、GZO、IGO、氧化镓、或其组合。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其中，所述含镓氧化物是氧缺乏的。5.根据权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述覆盖层的材料和所述有源层的材料相同。6.根据权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述覆盖层上的介质层，其中，所述介质层覆盖所述有源层的上表面。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括设置在所述介质层上的第一接触；以及位于所述介质层中的第一孔，其中，所述第一接触经由所述过第一孔连接到薄膜晶体管的源/漏极区域。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括：位于所述介质层中的第一布线，所述第一布线具有与所述栅极叠层相同的结构，所述第一布线的顶表面高于所述有源层的顶表面；设置在所述介质层上的第二接触；设置在所述介质层中的第二孔，其中，所述第二接触经由所述第二孔连接到所述第一布线。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层和所述衬底基板之间的遮光层，以阻挡来自所述有源层下方的光进入所述有源层；第二布线，所述第二布线与所述遮光层位于同一层；设置在所述介质层上的第三接触；穿过所述介质层的第三孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈江博，宋泳锡，孙宏达，王国英，刘威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11