一种固态光源的制备方法和固态光源技术

本发明专利技术提供了一种固态光源的制备方法和固态光源。所述显示面板的基板包括正反两面，在基板正面设置有薄膜晶体管，在基板反面直接制作的固态光源。通过本发明专利技术实施例提供的显示面板，基板正面设置有薄膜晶体管，基板反面直接制作固态光源，无需进行背光源和阵列基板的贴合，显示面板更轻薄。并且显示面板背面的固态光源不含有汞介质，显示面板更环保。

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板、固态光源的制备方法和固态光源
本专利技术涉及TFT-LCD
，特别是涉及一种显示面板、固态光源的制备方法和固态光源。
技术介绍
随着显示产业不断发展，对于TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)-LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)的显示品质以及显示效果的要求不断提高。现有背光源需要导光板及光源等复杂结构，占用显示面板空间，并且背光源为单独模块，需要与TFT基板工序贴合，导致显示面板厚度增加；常用的日光灯光源中含有汞介质，受热会挥发易造成汞蒸气污染。
技术实现思路
鉴于上述问题，提出了本专利技术实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的显示面板、固态光源的制备方法和固态光源。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种显示面板，所述显示面板的基板包括正反两面，在基板正面设置有薄膜晶体管，在基板反面直接制作的固态光源。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种固态光源的制备方法，所述方法包括：在基板表面沉积氮化镓形成氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上沉积合金，通过构图工艺制备固定线宽的电极，形成N型电极层；在所述N型电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板，其特征在于，所述显示面板的基板包括正反两面，在基板正面设置有薄膜晶体管，在基板反面直接制作的固态光源。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板的基板包括正反两面，在基板正面设置有薄膜晶体管，在基板反面直接制作的固态光源。2.一种固态光源的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板表面沉积氮化镓形成氮化镓缓冲层；在所述氮化镓缓冲层上沉积合金，通过构图工艺制备固定线宽的电极，形成N型电极层；在所述N型电极层上沉积N型氮化镓形成N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上沉积铟氮化镓形成量子阱层；对所述量子阱层的不同区域掺杂不同的杂质；在所述量子阱层上沉积P型氮化镓形成P型氮化镓层；将所述N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层通过构图工艺形成与N型电极同宽的基色芯片；在所述P型氮化镓层上沉积合金，通过构图工艺制备与N型电极同宽的电极，形成P型电极层；使用填充介质填充相邻的两个基色芯片之间的间隙并覆盖P型电极层；在填充介质上沉积发光反射层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述量子阱层的不同区域掺杂不同的杂质包括：对G基色芯片区域掺杂磷、砷中任一种杂质；对B基色芯片区域掺杂硅、碳或铝中任一种杂质。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对G基色芯片区域掺杂磷、砷中任一种杂质包括：采用光刻胶遮盖所述G基色芯片区域之外的铟氮化镓；对裸露的铟氮化镓掺杂磷、砷中任一种杂质；去除光刻胶。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，R基色芯片区域为无掺杂的本征发光区域。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层通过构图工艺形成与N型电极同宽的基色芯片包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀P型氮化镓、铟氮化镓、N型氮化镓，其中刻蚀后的P型氮化镓、铟氮化镓、N型氮化镓均与N型电极同宽。7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过构图工艺制备与N型电极同宽的电极，形成P...

【专利技术属性】
技术研发人员：李海旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11