荧光发光元件、光源装置以及投影机制造方法及图纸

提供能够减少荧光体层的热导率的下降的荧光发光元件、具备这种荧光发光元件的光源装置、以及具备这种光源装置的投影机。本发明专利技术的荧光发光元件，具备包含荧光体和粘合剂的荧光体层，所述粘合剂由无机材料构成，该荧光发光元件的特征在于，粘合剂的热导率B大于荧光体的热导率A的1.88倍，在将荧光体层中所含的荧光体的体积记为X、将荧光体层中所含的粘合剂的体积记为Y时，X/Y＞1/2。

【技术实现步骤摘要】
荧光发光元件、光源装置以及投影机
本专利技术涉及荧光发光元件、光源装置以及投影机(projector)。
技术介绍
作为荧光发光元件，已知有具备在硅树脂中分散有荧光体的荧光体层的发光元件(例如专利文献1)。在先技术文献专利文献1：日本特开2012-74273号公报
技术实现思路
然而，一般而言，由于硅树脂(粘合剂)的热导率低于荧光体的热导率，因此，在如上述那样的在硅树脂中分散有荧光体的荧光体层中，荧光体层中的粘合剂的体积的比例越大，荧光体层整体的热导率越显著下降，荧光体层的热阻越高。热阻越高，由荧光体的发热而产生的热越容易积蓄在荧光体层中。因此，存在由于所积蓄的热而导致产生例如荧光体的发光特性下降、荧光体损伤的情况。在专利文献1中，通过调整荧光体与硅树脂的配合比来尝试着解决上述问题，但是不充分。本专利技术的一个技术方案是鉴于上述问题而完成的，其目的之一是提供一种能够减少荧光体层的温度上升的荧光发光元件、具备这种荧光发光元件的光源装置以及具备这种光源装置的投影机。本专利技术的荧光发光元件的一个技术方案是一种荧光发光元件，其具备包含荧光体和粘合剂的荧光体层，所述粘合剂由无机材料构成，该荧光发光元件的特征在于，所述粘合剂的热导率B大于所述荧光体的热导率A的1.88倍，在将所述荧光体层中所含的所述荧光体的体积记为X、将所述荧光体层中所含的所述粘合剂的体积记为Y时，X/Y＞1/2。根据本专利技术的荧光发光元件的一个技术方案，由于粘合剂由无机材料构成，因此与作为粘合剂使用硅树脂的情况相比，作为荧光体层整体的热导率较高。而且，由于粘合剂的热导率大于荧光体的热导率的1.88倍，因此即使向荧光体层中导入粘合剂，也能够得到热导率充分高的荧光体层。由此，能够减少荧光体层的厚度方向的热阻的增加。另一方面，在荧光体层中所含的荧光体的体积浓度低的情况下，向荧光体层入射的激励光之中没有照射到荧光体的光增加，激励光的利用效率下降。作为结果，有时荧光发光元件的发光强度下降。与此相对，根据本专利技术的荧光发光元件的一种技术方案，由于荧光体的体积相对于粘合剂的体积的比例大于1/2，因此荧光体层中的荧光体的体积浓度充分大。因此，能够向荧光体高效地照射激励光而得到充分高的发光强度。因此，根据本专利技术的荧光发光元件的一个技术方案，能够得到荧光体层的热导率高、且能射出强光的荧光发光元件。也可以设为下述构成：将所述荧光体层中所含的所述荧光体的体积浓度记为α[vol％]时，α≥2.4736×(B/A)-1.432×100。根据该构成，能够使荧光体层的热阻为荧光体层仅由荧光体构成的情况下的热阻以下。由此，能够得到可减少荧光体层的温度上升的荧光发光元件。也可以设为下述构成：所述粘合剂从氧化铝、氧化镁、碳化硅以及氮化铝中选出。根据该构成，能够得到能更切实地减少荧光体层的温度上升的荧光发光元件。也可以设为下述构成：所述粘合剂由氧化铝构成，所述荧光体的体积浓度是66vol％以上。根据该构成，能够使荧光体层的热阻为荧光体层仅由荧光体构成的情况下的热阻以下。也可以设为下述构成：所述荧光体的体积浓度为75vol％以上、95vol％以下。根据该构成，能够充分减小荧光体层的热阻。也可以设为下述构成：所述粘合剂由氧化镁构成，所述荧光体的体积浓度为50vol％以上、80vol％以下。根据该构成，能够充分减小荧光体层的热阻。本专利技术的光源装置的一个技术方案，其特征在于，具备上述的荧光发光元件。根据本专利技术的光源装置的一个技术方案，由于具备上述的荧光发光元件，因此能够减少由在荧光体层中积蓄热而导致的荧光强度的下降。因此，根据本专利技术的光源装置的一个技术方案，能够得到可靠性优异的光源装置。本专利技术的投影机的一个技术方案，其特征在于，具备：上述的光源装置；光调制装置，其对从所述光源装置射出的光进行调制而形成图像光；以及投射光学系统，其投射从所述光调制装置射出的光。根据本专利技术的投影机的一个技术方案，由于具备上述的光源装置，因此能够得到可靠性同样优异的投影机。附图说明图1是表示本实施方式的投影机的概略构成图。图2是表示本实施方式的荧光体层的剖面的示意图。图3是表示荧光体的体积浓度低的荧光体层的剖视图。图4是表示使用作为粘合剂的氧化铝的情况下的荧光体层的热阻的变化的曲线图。图5是表示使用作为粘合剂的氧化镁的情况下的荧光体层的热阻的变化的曲线图。图6是表示相对于热导率比的荧光体的浓度下限的变化的曲线图。附图标记说明A…荧光体的热导率；B…粘合剂的热导率；30…荧光发光元件；31…荧光体层；31a…荧光体；31b…粘合剂；100b…第2光源装置(光源装置)；400B、400G、400R…光调制装置；600…投射光学系统；1000…投影机。具体实施方式以下，一边参照附图，一边说明本专利技术的实施方式涉及的投影机。再者，本专利技术的范围并不限于以下的实施方式，能够在本专利技术的技术思想的范围内任意地变更。另外，在以下的附图中，为了便于理解各构成，有使实际的构造和各构造的比例、数量等不同的情况。图1是表示本实施方式的投影机1000的概略构成图。本实施方式的投影机1000，具备照明装置100、色分离导光光学系统200、光调制装置400R、光调制装置400G、光调制装置400B、十字分色棱镜(crossdichroicprism)500、和投射光学系统600。照明装置100，具备第1光源装置100a、第1聚光透镜60、旋转扩散板70、第1拾取光学系统80、第2光源装置(光源装置)100b、复眼积分器(Fly’seyeintegrator)90、偏振光变换元件93、和第2准直透镜94。第1光源装置100a具备第1光源50和第1准直透镜阵列53。第2光源装置100b具备第2光源10、第2准直透镜阵列13、第2聚光透镜20、第1平行化透镜21、分色镜22、第2拾取光学系统40、和荧光发光元件30。第1光源50是具备第1基台51和在第1基台51上平面性地排列配置的多个第1固体发光元件52的光源阵列。第1固体发光元件52是射出被分色镜22反射的蓝色光的光源。在本实施方式的情况下，第1固体发光元件52是射出蓝色(发光强度的峰：450nm附近)的激光的半导体激光器，但如果是由分色镜22反射的波长的光，则第1固体发光元件52也可以是射出具有450nm以外的峰波长的光的发光元件。另外，第1固体发光元件52也可以是LED等的射出非激光器光的发光元件。第1准直透镜阵列53具备与各第1固体发光元件52一一对应的多个第1显微透镜530。多个第1显微透镜530排列配置在第1基台51上。各第1显微透镜530设置在从对应的第1固体发光元件52射出的蓝色光的光轴上，将该蓝色光平行化而射出。由此，从第1光源装置100a射出蓝色的激光。平行化了的光用由凸透镜构成的第1聚光透镜60会聚，并向旋转扩散板70射出。作为扩散部件的旋转扩散板70，是将入射了的蓝色光扩散并从入射侧的相反侧的面射出的透射型的旋转扩散板。旋转扩散板70具备由电动机73进行旋转驱动的作为扩散部件的基板71。作为基板71，可使用公知的扩散板、例如磨砂玻璃、全息扩散器(holographicdiffuser)、对透明基板的表面实施了喷砂处理的基板、在透明基板的内部使珠之类的散射材料分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荧光发光元件，其具备包含荧光体和粘合剂的荧光体层，所述粘合剂由无机材料构成，该荧光发光元件的特征在于，所述粘合剂的热导率B大于所述荧光体的热导率A的1.88倍，在将所述荧光体层中所含的所述荧光体的体积记为X、将所述荧光体层中所含的所述粘合剂的体积记为Y时，X/Y＞1/2。

【技术特征摘要】
2013.10.31 JP 2013-2262611.一种荧光发光元件，其具备包含荧光体和粘合剂的荧光体层，所述粘合剂由无机材料构成，该荧光发光元件的特征在于，所述粘合剂的热导率B大于所述荧光体的热导率A的1.88倍，在将所述荧光体层中所含的所述荧光体的体积记为X、将所述荧光体层中所含的所述粘合剂的体积记为Y时，X/Y＞1/2。2.根据权利要求1所述的荧光发光元件，将所述荧光体层中所含的所述荧光体的体积浓度记为α时，α≥2.4736×(B/A)-1.432×100，α的单位为vol％。3.根据权利要求1所述的荧光发光元件，所述粘合剂从氧化铝、氧化镁、碳化硅和氮化铝中选出。4.根据权利要求2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑井圣史，桥爪俊明，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP