光源装置及投影机制造方法及图纸

技术编号:10408031 阅读:136 留言:0更新日期:2014-09-10 17:30
本发明专利技术涉及光源装置及投影机。即使在串联地连接的多个发光元件之中的任意发光元件发生开路故障的情况下,也维持其他的发光元件的发光并减轻发光元件的老化。该光源装置具备串联地连接的多个发光元件(11~16)和并联地连接于发光元件之中的至少一个发光元件的开路故障检测部(211)、故障检测维持部(212)和短路部(213);开路故障检测部对并联地连接的发光元件(11)的开路故障进行检测;故障检测维持部在开路故障检测部检测到开路故障的情况下转变为该开路故障时的电路状态,并维持转变后的该电路状态;短路部在故障检测维持部维持开路故障时的电路状态的情况下使检测到开路故障的发光元件的两端短路。

【技术实现步骤摘要】
光源装置及投影机
本专利技术涉及光源装置及投影机。
技术介绍
在通过固体光源进行发光的光源中,多为在电源输出串联地连接多个发光元件并以电流控制进行驱动的情况。在该连接状态下,若一个发光元件在端子间开路的状态下发生故障,则串联地连接的正常的发光元件全部无法驱动。作为其对策,提出将以比发光元件各个的驱动时的端子间电压高的电压进行工作的齐纳二极管与发光元件并联地进行连接(例如,参照专利文献1及专利文献2)。该情况下,若发光元件在开路模式下发生故障,则齐纳二极管成为导通状态而使电流流过,并通过向其他的串联发光元件供给电流而对固体光源进行驱动。专利文献1日本特开2011—222124号公报专利文献1日本特开2009—59835号公报在此,在使用齐纳二极管的情况下,因为齐纳二极管发热,所以必需散热。也可考虑代替齐纳二极管,将以比发光元件各个的驱动时的端子间电压高的电压开始工作的闸流晶体管或三端双向可控硅开关元件等的自导通元件与发光元件并联地进行连接。在自导通元件的情况下,虽然如果与齐纳二极管相比较则发热少,但是伴随着在工作时急剧的端子电压的下降,从驱动电源侧相对于发光元件流动大的冲流。并且若一旦驱动停止,则保护短路元件返回到截止,在再次驱动时,再次成为导通状态而流动冲流。该冲流的重复招致其他的正常的发光元件的老化。尤其是,例如在用于调光而进行PWM驱动的情况下,按每PWM驱动脉冲流动冲流,存在发光元件的老化显著的问题。
技术实现思路
于是本专利技术的一个方式鉴于所述问题而作出,目的在于提供即使在串联地连接的多个发光元件之中的任意的发光元件发生开路故障的情况下,也可以维持其他的发光元件的发光并减轻发光元件的老化的光源装置及投影机。(1)本专利技术的一个方式为光源装置,分别具备:多个发光元件,其串联地连接;和开路故障检测部、故障检测维持部和短路部,其对于所述多个发光元件之中的至少一个发光元件并联地连接,所述开路故障检测部对并联地连接的发光元件的开路故障进行检测,所述故障检测维持部在所述开路故障检测部检测到开路故障的情况下转变为该开路故障时的电路状态,并维持转变后的该电路状态,所述短路部在所述故障检测维持部维持所述开路故障时的电路状态的情况下使检测到所述开路故障的发光元件的两端短路。由此,即使在串联地连接的多个发光元件之中的任意的发光元件发生开路故障的情况下,也能够使开路故障的发光元件短路原封不动,且能够维持其他的发光元件的发光。而且,因为通过维持开路故障时的电路状态来使开路故障的发光元件的两端短路原封不动,所以在再次开始发光元件的驱动的情况下从使发光元件的两端短路的状态开始驱动。因此,由于冲流不会重复流过发光元件,所以能够减轻由于冲流产生的发光元件的老化。(2)并且,本专利技术的一个方式作为所述的光源装置,所述短路部具备FET,其FET其漏极连接于所述发光元件的一端且源极连接于所述发光元件的另一端,所述短路部通过使所述FET的漏极和源极成为导通状态而使所述发光元件的两端短路。由此,FET因为能够以基本为0欧姆而使开路故障的发光元件的两端短路所以在FET的损耗基本为0W,能够降低发热。其结果,在维持开路故障时的电路状态的情况下,存在光源装置不用散热结构的优点。(3)并且,本专利技术的一个方式作为所述的光源装置,所述故障检测维持部具备在所述开路故障检测部检测到开路故障的情况下熔断的熔丝,所述故障检测维持部在所述熔丝熔断的情况下维持所述FET的漏极和源极的导通状态。由此,通过在熔丝熔断的情况下维持FET的漏极和源极的导通状态,而能够使发光元件的两端短路原封不动。由此,在再次开始发光元件的驱动的情况下从使发光元件的两端短路的状态开始驱动。因此,因为冲流不会反复流过发光元件,所以能够减轻由于冲流产生的发光元件的老化。(4)并且,本专利技术的一个方式作为所述的光源装置,所述短路部对所述FET的栅极电位的变化进行抑制,直到所述熔丝熔断为止。由此,不依赖于熔丝的两端的电压地,FET的栅极电压能够成为固定且高的状态,且FET能够成为截止的状态原封不动。因此,因为FET为截止的状态原封不动,直到熔丝完全地熔断为止,所以能够向熔丝供给一定的电流直到熔丝完全地熔断为止。其结果,能够防止在熔丝的熔断中花费的时间变长。(5)并且,本专利技术的一个方式作为所述的光源装置,所述熔丝的一端连接于与具备所述熔丝的故障检测维持部并联地连接的发光元件的下一级以后的发光元件的阴极或前级以前的发光元件的阳极。由此,因为能够在熔丝的两端施加充分的电压,所以能够使熔丝可靠地熔断。(6)并且,本专利技术的一个方式作为所述的光源装置,所述故障检测维持部具备电容器和多个晶体管,所述故障检测维持部在所述开路故障检测部检测到开路故障的情况下通过在所述电容器蓄积电荷并使所述多个晶体管的导通状态固定来维持所述FET的漏极和源极的导通状态。由此,通过维持FET的漏极和源极的导通状态,而能够使发光元件的两端短路原封不动。由此,在再次开始发光元件的驱动的情况下从使发光元件的两端短路的状态开始驱动。因此,因为冲流不会反复流过发光元件,所以能够减轻由于冲流产生的发光元件的老化。(7)并且,本专利技术的一个方式作为所述的光源装置,所述开路故障检测部具备齐纳二极管,该齐纳二极管具有比在所述发光元件正常工作时施加于两端的电压高的击穿电压,所述故障检测维持部在向所述齐纳二极管施加所述击穿电压以上的电压的情况下转变为所述开路故障时的电路状态,并维持转变后的该电路状态。由此,因为当发光元件正常工作时电流并未流过齐纳二极管,所以故障检测维持部并不转变为开路故障时的电路状态。另一方面,在发光元件开路故障,向齐纳二极管施加击穿电压以上的电压的情况下,通过转变为开路故障时的电路状态并维持该转变的电路状态,而能够使发光元件的两端短路原封不动。(8)并且,本专利技术的一个方式为投影机,其分别具备:多个发光元件,其串联地连接;调制部,其对从所述发光元件出射的光进行调制;和开路故障检测部、故障检测维持部和短路部,其对于所述多个发光元件之中的至少一个发光元件并联地连接,所述开路故障检测部对并联地连接的发光元件的开路故障进行检测,所述故障检测维持部在所述开路故障检测部检测到开路故障的情况下转变为该开路故障时的电路状态,并维持转变后的该电路状态,所述短路部在所述故障检测维持部维持所述开路故障时的电路状态的情况下使检测到所述开路故障的发光元件的两端短路。由此,即使在串联地连接的多个发光元件之中的任意的发光元件发生开路故障的情况下,也能够使开路故障的发光元件短路原封不动,且能够维持其他的发光元件的发光。而且,因为通过维持开路故障时的电路状态,使开路故障的发光元件的两端短路原封不动,所以在再次开始发光元件的驱动的情况下从使发光元件的两端短路的状态开始驱动。因此,因为冲流不会重复流过发光元件,所以能够减轻由于冲流产生的发光元件的老化。附图说明图1是表示第一实施方式中的光源装置的构成的简要框图。图2是表示第二实施方式中的光源装置的构成的简要框图。图3是表示第二实施方式中的最上级的保护电路的电路图。图4是表示第二实施方式中的最下级的保护电路的电路图。图5是表示第三实施方式中的光源装置的构成的简要框图。图6是表示第三实施方式中的最上级的保护电路的电本文档来自技高网...
光源装置及投影机

【技术保护点】
一种光源装置,其特征在于:分别具备:多个发光元件,其串联地连接;和开路故障检测部、故障检测维持部和短路部,其对于所述多个发光元件之中的至少一个发光元件并联地连接,所述开路故障检测部对并联地连接的发光元件的开路故障进行检测,所述故障检测维持部在所述开路故障检测部检测到开路故障的情况下转变为该开路故障时的电路状态,并维持转变后的该电路状态,所述短路部在所述故障检测维持部维持所述开路故障时的电路状态的情况下使检测到所述开路故障的发光元件的两端短路。

【技术特征摘要】
2013.03.04 JP 2013-0417501.一种光源装置,其特征在于:分别具备:多个发光元件,其串联地连接;和开路故障检测部、故障检测维持部和短路部,其分别与所述多个发光元件之中的至少一个发光元件并联地连接,所述开路故障检测部对与其并联地连接的发光元件的开路故障进行检测,所述故障检测维持部在所述开路故障检测部检测到所述开路故障的情况下转变为该开路故障时的电路状态,一旦转变为所述电路状态时,其后也维持转变后的该电路状态,所述短路部,通过所述故障检测维持部维持所述开路故障时的电路状态,使检测到所述开路故障的发光元件的两端短路。2.按照权利要求1所述的光源装置,其特征在于:所述短路部具备FET,该FET其漏极连接于所述发光元件的一端且源极连接于所述发光元件的另一端,所述短路部通过使所述FET的漏极和源极成为导通状态而使所述发光元件的两端短路。3.按照权利要求2所述的光源装置,其特征在于:所述故障检测维持部具备在所述开路故障检测部检测到开路故障的情况下熔断的熔丝,所述故障检测维持部在所述熔丝熔断的情况下维持所述FET的漏极和源极的导通状态。4.按照权利要求3所述的光源装置,其特征在于:所述短路部对所述FET的栅极电位的变化进行抑制,直到所述熔丝熔断为止。5.按照权利要求3所述的光源装置,其特征在于:所述熔丝的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:柳濑繁广
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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