像素结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种像素结构与制造方法，包括：基板、绝缘层、氧化物半导体层、第一导电层以及第二导电层。所述绝缘层，形成于所述基板上。所述氧化物半导体层，形成于所述绝缘层上。所述第一导电层，耦接至所述氧化物半导体层。所述第二导电层，耦接至所述氧化物半导体层，其特征在于，所述第一导电层为导电电极且所述第二导电层为资料线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种像素结构，尤其涉及一种具有氧化物半导体的像素结构及其制造方法。
技术介绍
氧化物半导体(oxidesemiconductor)是具有半导体特性的氧化物。导电率随氧化气氛而增加的称作氧化型半导体(p型半导体)；导电率随还原气氛而增加的则称还原型半导体(是n型半导体)。氧化物半导体ZnO(ZincOxide)、CdO(CadmiumOxide)、SnO2(Tin(IV)Oxide)等常用于制造气敏组件，Fe2O3(FerricOxide)、Cr2O3(Chromium(III)Oxide)、Al2O3(AluminiumOxide)等常用于制造湿敏组件，SnO2膜则常用于制作透明电极。其中氧化物半导体在面板工艺中最广为人知的应用即为IGZO(IndiumGalliumZincOxide)技术，该技术可提供高分辨率的液晶面板。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，包括：基板、绝缘层、氧化物半导体层、第一导电层以及第二导电层。所述绝缘层，形成于所述基板上。所述氧化物半导体层，形成于所述绝缘层上。所述第一导电层，耦接至所述氧化物半导体层。所述第二导电层，耦接至所述氧化物半导体层，其特征在于，所述像素电极与所述氧化物半导体层位于同平面。在本专利技术提供的像素结构中，优选的，所述第一导电层为导电电极且所述第二导电层为资料线。在本专利技术提供的像素结构中，优选的，所述导电层为数据线且所述氧化物半导体层为氧化物通道。在本专利技术提供的像素结构中，优选的，所述氧化物半导体层的材料选自氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化锗、氧化镍钴、氧化锌镁、氧化锡锑、氧化硒化锌与氧化锌锆中的至少一种。在本专利技术提供的像素结构中，优选的，在所述基板与所述绝缘层之间形成有金属层。在本专利技术提供的像素结构中，优选的，所述像素电极是汲极、所述导电层是源极，所述金属层是闸极。本专利技术也提供一种像素结构的制造方法，包括：提供基板；在所述基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层具有第一部分与第二部分；在所述绝缘层与所述第一部分上形成第二氧化物半导体层，其特征在于，所述第二部分未被所述第二氧化物半导体层覆盖；以及以激光将所述第二部分及所述第二氧化物半导体层转换成第一导电层及第二导电层。根据本专利技术的具体实施方案，优选的，在该基板与该绝缘层间形成金属层。根据本专利技术的具体实施方案，优选的，所述第二部分是像素电极或共享电极。根据本专利技术的具体实施方案，优选的，所述第一部分是氧化物通道。本专利技术还提供另一种像素结构的制造方法，包括：提供基板；在所述基板上形成绝缘层；在所述基板与所述绝缘层上形成氧化物半导体层；以及以退火方法将所述氧化物半导体层的至少二块互不相连的区域转换成至少二个导电层。附图说明图1至图7为本专利技术实施例1的像素结构侧视剖面示意图以及俯视示意图；图8至图11为本专利技术实施例2的像素结构侧视剖面示意图以及俯视示意图。符号说明：10像素结构；101基板；102、102a、102b金属层；103保护层；104第一氧化物半导体层；104a氧化物半导体层的第一区；104b氧化物半导体层的第二区；104c通道层；110a第一导电层；110b电容导电层；110c第二导电层；L115通道长度。20像素结构；201基板；202a、202b金属层；203保护层；204a氧化物半导体的第一区；204b氧化物半导体的第二区；204c通道层；210a第一导电层；210b电容导电层；210c第二导电层；L215通道长度。具体实施方式本专利技术将由以下的实施例说明而使得本领域技术人员充分了解，并可以据此完成，然而本专利技术的实施并非由下列实施例限制其实施形态。本文中用语“优选”是非排他性的，应理解成“优选为但不限于”，任何说明书或权利要求书中所描述或者记载的任何步骤可按任何顺序执行，而不限于权利要求书中所述的顺序，本专利技术的范围应仅由所附权利要求书及其同等方案确定，不应由实施方式所举的实施例确定。用语“包括”及其变化出现在说明书和权利要求书中时，是开放式的用语，不具有限制性含义，并不排除其它特征或步骤。从以下关于优选实施例的描述中可以更详细地了解本专利技术，这些优选实施例是作为实例给出的，并且是结合附图而被理解的。请参考图1至图7，其为本专利技术实施例1的像素结构侧视剖面示意图以及俯视示意图。在图1中，像素结构10具有基板101、金属层102以及保护层103，其中金属层102(102a、102b)形成于基板101上，保护层103(未显示于俯视图中)形成于基板101与金属层102上以覆盖金属层102。优选的，基板101的材料选自玻璃、聚乙烯(Polyethylen,PE)、聚氯乙烯(PolyvinylChloride,PVC)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethyleneterephthalate,PET)、聚丙烯(Polypropylene,PP)、聚苯乙烯(Polystyrene,PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate,PMMA)与环烯烃共聚合物(Cyclicolefincopolymer,COC)中的至少一种。在图2中，第一氧化物半导体层104形成于保护层103上，其中氧化物半导体层104具有第一区104a与第二区104b。优选的，第一氧化物半导体层104是通过，但不限于，沉积及蚀刻的光微影工艺、溅镀工艺或印刷工艺等半导体工艺技术形成。优选的，第一氧化物半导体层104的材料选自氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化锗、氧化镍钴、氧化锌镁、氧化锡锑、氧化硒化锌与氧化锌锆中的至少一种。图3为图2的俯视图，在图3中，第一区104a的形状为矩形与延伸部分，矩形部分经后续处理将作为像素电极，延伸部分将作为像素电极耦接至薄膜晶体管(TFT)的连接。请参考图4，第二氧化物半导体层104c形成于保护层103与第一氧化物半导体层的第一区104a上，其中第二氧化物半导体层104c覆盖第一氧化物半导体层的第一区104a于金属层102a上方的一部分。优选的，第二氧化物半导体层104c是以，但不限于，沉积及蚀刻的光微影工艺、溅镀工艺或印刷工艺等半导体工艺技术形成。优选的，第二氧化物半导体层104c的材料选自氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化锗、氧化镍钴、氧化锌镁、氧化锡锑、氧化硒化锌与氧化锌锆中的至少一种。在本专利技术的实施例中，第一氧化物半导体层104与第二氧化物半导体层104c具有相同材料。在本专利技术的其它实施例中，第一氧化物半导体层104与第二氧化物半导体层104c具有不同材料。图5为图4的俯视图，在图5中，第二氧化物半导体层104c呈现T字形状，其中一端被设置为覆盖第一氧化物半导体层104第一区104a的延伸部分的一部分以形成相叠的结构。请参考图6，其为图7中沿着A-A’切线的剖面示意图。在形成第二氧化物半导体层104c后，以激光方法，将第一氧化物半导体层104以及将第二氧化物半导体层104c转换成导电层，也就是将第一区104a的一部分转换成第一导电层110a、将第二区104b转换成电容导电层110b以及将第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，包括：基板；绝缘层，形成于所述基板上；氧化物半导体层，形成于所述绝缘层上；像素电极，直接耦接至所述氧化物半导体层；以及导电层，耦接至所述氧化物半导体层，其特征在于，所述像素电极与所述氧化物半导体层位于同平面。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，包括：基板；绝缘层，形成于所述基板上；氧化物半导体层，形成于所述绝缘层上；像素电极，直接耦接至所述氧化物半导体层；以及导电层，耦接至所述氧化物半导体层，其特征在于，所述像素电极与所述氧化物半导体层位于同平面。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述导电层为数据线且所述氧化物半导体层为氧化物通道。3.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料选自氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化锗、氧化镍钴、氧化锌镁、氧化锡锑、氧化硒化锌与氧化锌锆中的至少一种。4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该像素结构还包括金属层，其形成于所述基板与所述绝缘层之间。5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极是汲极、所述导电层是源极以及所述金属层是闸极。6.一种像素结构的制造方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴健豪，李懿庭，胡宪堂，
申请(专利权)人：南京瀚宇彩欣科技有限责任公司，瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32