像素结构制造技术

本发明专利技术涉及一种像素结构，包括：像素单元层，设有包含像素单元行和像素单元列的像素单元阵列；第一金属导线层，包括对应像素单元行的控制信号线、第一扫描信号线、第二扫描信号线、以及第一金属图案区；第二金属导线层，包括对应像素单元行的初始信号线和第二金属图案区；以及第三金属导线层，包括连接信号线，所述连接信号线连接当前像素单元行的第一扫描信号线和下一像素单元行的第二扫描信号线。通过第三金属导线层中的连接信号线将上一像素单元行的第一扫描信号引致下一像素单元行的第二扫描信号线上，作为下一像素单元行的第二扫描信号，从而降低了占据每一个亚像素空间的信号线数目，节省了像素单元层的空间，提高PPI像素排列。

Pixel structure

The invention relates to a pixel structure includes a pixel unit layer, a pixel array unit contains rows and columns of the pixel unit; the first metal wire layer, including the control signal line, the corresponding pixel unit of the first scanning signal line, a second scanning signal line, and the first metal pattern area; second layer metal wire that includes the initial signal line corresponding to pixel line and the second metal pattern area; and the third metal wire layer, including connecting signal lines, the second scanning signal line of the first scan signal line connected to the signal line connecting the current pixel line and a pixel cell line. The third metal wire layer connection signal line second scanning signal line pixel unit the first scanning signal caused by the pixel on the line next, as the second signal of a pixel scanning line, thereby reducing the number of signal lines occupy every sub pixel space, save the pixel layer space, improve the PPI pixel arrangement.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种有机发光二极管的像素结构。
技术介绍
最近几年，OLED(有机发光二极管)的发展得到科研界和工业界的广泛关注，OLED显示屏已经步入人们的生活。图1是现有技术中的一种OLED像素电路的电路示意图，参见图1，其中，T2是驱动OLED发光的驱动晶体管，Data是数据信号线，En是控制信号线，Sn、Sn-1与Sn+1是扫描信号线，ELVDD是给驱动晶体管T2提供电压进而驱动OLED发光的电源，ELVSS是接地电压，Vin是给OLED以及驱动晶体管T2的栅极(N2节点)提供初始化电压的初始化电源，其电压低于ELVDD的电压以及数据电压。参见图2，显示了像素单元层内的电路线路图，每行的像素单元处均设有Sn+1、Sn、Sn-1和En信号线，即在现有的像素电路中包括有三条扫描信号线和一条控制信号线，其中En、Sn、Sn-1与Sn+1的信号线占据了像素之间的亚像素(sub pixel)空间，由于四条信号线占据了较多的亚像素空间，使得PPI(pixels per inch，每英寸的像素数目)不高，影响了OLED的图像分辨率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种像素结构，可以解决现有OLED中因四条信号线占据了亚像素空间导致的PPI不高的问题。实现上述目的的技术方案是：本专利技术一种像素结构，包括：像素单元层，设有包含像素单元行和像素单元列的像素单元阵列；第一金属导线层，包括控制信号线、第一扫描信号线、第二扫描信号线、以及第一金属图案区，所述控制信号线、第一扫描信号线、以及第二扫描信号线分别连接所对应的像素单元行中的各个像素单元，所述第一金属图案区设于所对应行的所述像素单元行之上，且与所对应的所述像素单
元之间设有绝缘层；第二金属导线层，包括初始信号线和第二金属图案区，所述初始信号线连接所对应的像素单元行中的各个像素单元，所述第二金属图案区与所述第一金属图案区部分重叠形成第一电容；以及第三金属导线层，包括连接信号线，所述连接信号线连接当前所述像素单元行的所述第一扫描信号线和下一所述像素单元行的第二扫描信号线。通过第三金属导线层中的连接信号线将当前像素单元行的第一扫描信号引致下一像素单元行的第二扫描信号线上，作为下一像素单元行的第二扫描信号，使得本专利技术中的像素结构相比现有技术中省去了一条扫描信号线，从而降低了占据每一个亚像素空间的信号线数目，节省了像素单元层的空间，可以实现600PPI，使得OLED具有较高的图像分辨率。本专利技术像素结构的进一步改进在于，所述第三金属导线层还包括第三金属图案区，所述第三金属图案区与所述第二金属图案区部分重叠形成第二电容，未重叠部分之间设有绝缘层，所述第二电容与所述第一电容并联。因PPI的升高，使得像素电路中的电容减小，对集成电路的要求更高，采用第三金属导线层中的第三金属图案区，与第二金属图案区形成第二电容，实现第二电容和第一电容的并联，增加了有效电容，从而减轻了对集成电路的压力。本专利技术像素结构的进一步改进在于，所述第一金属图案区和所述第二金属图案区未重叠部分之间设有绝缘层。本专利技术像素结构的进一步改进在于，还包括控制驱动模块，设于所述像素单元层的一侧，连接所述控制信号线，所述控制驱动模块产生控制信号通过所述控制信号线输送至所对应的所述像素单元行。本专利技术像素结构的进一步改进在于，还包括扫描驱动模块，设于所述像素单元层的两侧，与所述第一扫描信号线的两端连接，所述扫描驱动模块产生扫描信号通过所述第一扫描信号线输送至所述像素单元。本专利技术像素结构的进一步改进在于，还包括基板和设于所述基板之上的缓冲寄存器层，所述的像素单元层、第一金属导线层、第二金属导线层、以及第三金属导线层设于所述缓冲寄存器层之上。本专利技术像素结构的进一步改进在于，所述缓冲寄存器层的上表面还设有绝缘层。本专利技术像素结构的进一步改进在于，还包括第四金属导线层，所述第四金属导线层包括多条数据信号线，所述数据信号线连接纵向设置的对应的所述像素单元列。本专利技术像素结构的进一步改进在于，还包括数据驱动模块，设于所述像素单元层的一侧，与所述数据信号线连接，所述数据驱动模块产生数据信号通过所述数据信号线输送至所述像素单元列中的像素单元。本专利技术像素结构的进一步改进在于，所述像素单元阵列中的每一像素单元内的像素电路中均设有预充电模块，所述预充电模块的输入端连接发光二极管，输出端连接一预充电晶体管的第一电极，所述预充电晶体管的第二电极连接所述初始信号线，所述预充电晶体管的栅极连接所述第二扫描信号线。附图说明图1为现有技术中OLED像素电路的电路示意图；图2为现有技术中像素单元层内的电路线路图；图3为本专利技术像素结构的GOA电路图；图4为本专利技术像素结构中像素单元层内的电路线路图；图5为本专利技术像素结构中像素单元层内的电路线路图的剖视图；以及图6为本专利技术像素结构中的像素单元内的电路示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明。请参阅图3所示，为本专利技术像素结构的GOA(Gate Driver On Array，阵列基板栅极驱动)电路图。本专利技术的像素结构中包括阵列设置的像素单元，每行的像素单元连接有第一扫描信号线、第二扫描信号线和控制信号线，并通过设置连接信号线，将当前行像素单元连接的第一扫描信号线和下一行像素单元连接的第二扫描信号线连接，使得第一扫描信号线内的扫描信号引致下一行像素单元的第二扫描信号线内，实现本专利技术的像素结构相比于现有的像素结构中省去一条扫描信号线，即图2中的Sn+1信号线，节省了亚像素空间，可以提高像素单元的排列数目，可以实现600PPI，进而提高了显示图像分辨率。高PPI像素排列，使得像素电路内的电容减小，对集成电路提出了更高的要求，为减少集成电路的压力，本专利技术像素
结构通过增加第三金属图案区，形成与原像素电路中的第一电容并联的第二电容，进而增加有效电容，补充了高PPI引起的电容减小的缺陷，实现了减轻集成电路压力。下面结合附图对本专利技术像素结构进行说明。参阅图3，显示了本专利技术像素结构的GOA电路图。下面结合图3，对本专利技术像素结构进行说明。如图3所示，本专利技术像素结构包括像素单元层10，像素单元层10设有包含像素单元行和像素单元列的像素单元阵列，其中各个像素单元行和像素单元列中设有像素单元101，像素单元阵列中的像素单元101横纵对齐设置。结合图5所示，像素结构还包括有第一金属导线层20、第二金属导线层30、以及第三金属导线层40。结合图4所示，第一金属导线层20包括对应像素单元行中各个像素单元101的控制信号线203、第一扫描信号线201、第二扫描信号线202、以及第一金属图案区204，控制信号线203、第一扫描信号线201、以及第二扫描信号线202分别连接对应的像素单元行中的各个像素单元101，控制信号线203传输控制信号至对应的像素单元行的每一个像素单元101，第一扫描信号线201和第二扫描信号线202分别传输扫描信号至每一个像素单元101，通过控制信号和扫描信号驱动像素单元101进行显示。第一金属图案区204设于对应的像素单元行之上，与像素单元行之间设有绝缘层。第二金属导线层30包括对应像素单元行的初始信号线301和第二金属图案层302，初始信号线3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：像素单元层，设有包含像素单元行和像素单元列的像素单元阵列；第一金属导线层，包括控制信号线、第一扫描信号线、第二扫描信号线、以及第一金属图案区，所述控制信号线、第一扫描信号线、以及第二扫描信号线分别连接所对应的所述像素单元行中的各个像素单元，所述第一金属图案区设于所对应的所述像素单元行之上，且与所对应的所述像素单元行之间设有绝缘层；第二金属导线层，包括初始信号线和第二金属图案区，所述初始信号线连接所对应的所述像素单元行中的各个像素单元，所述第二金属图案区与所述第一金属图案区部分重叠形成第一电容；以及第三金属导线层，包括连接信号线，所述连接信号线连接当前所述像素单元行的所述第一扫描信号线和下一所述像素单元行的所述第二扫描信号线。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括：像素单元层，设有包含像素单元行和像素单元列的像素单元阵列；第一金属导线层，包括控制信号线、第一扫描信号线、第二扫描信号线、以及第一金属图案区，所述控制信号线、第一扫描信号线、以及第二扫描信号线分别连接所对应的所述像素单元行中的各个像素单元，所述第一金属图案区设于所对应的所述像素单元行之上，且与所对应的所述像素单元行之间设有绝缘层；第二金属导线层，包括初始信号线和第二金属图案区，所述初始信号线连接所对应的所述像素单元行中的各个像素单元，所述第二金属图案区与所述第一金属图案区部分重叠形成第一电容；以及第三金属导线层，包括连接信号线，所述连接信号线连接当前所述像素单元行的所述第一扫描信号线和下一所述像素单元行的所述第二扫描信号线。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第三金属导线层还包括第三金属图案区，所述第三金属图案区与所述第二金属图案区部分重叠形成第二电容，未重叠部分之间设有绝缘层，所述第二电容与所述第一电容并联。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述第一金属图案区和所述第二金属图案区未重叠部分之间设有绝缘层。4.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，还包括控制驱动模块，设于所述像素单元层的一侧，连接所述控制信号线，所述控制驱动模块产生控制信号通过所述控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：何睿婷，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31