像素结构制造技术

本发明专利技术提供了一种像素结构，其包括多个扫描线、多个数据线以及多个子像素。扫描线及数据线互相交错设置于基板上。子像素包括开关元件、接触图案层、彩色滤光图案层以及像素电极。开关元件分别与一条扫描线及一条数据线电连接。接触图案层与彩色滤光图案层配置于基板与开关元件上，接触图案层覆盖至少两个相邻开关元件的部分区域，至少两个彩色滤光图案层分别具有一缺口，且接触图案层对应设置于缺口中。像素电极配置于彩色滤光图案层、接触图案层与开关元件上，至少一像素电极部分设置于彩色滤光图案层与对应的开关元件之间且电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种两相邻的子像素共用接触图案层的像素结构。
技术介绍
近年来，低温多晶娃(Low Temperature Poly-Si I icon，LTPS)液晶显示器是目前消费性产品开发的设计主流，其主要应用为高整合度与高解析度的中小尺寸液晶显示器。然而，高解析度的显示器具有较高像素密度，因此，每一子像素的尺寸亦相对缩小。由于子像素的尺寸较小，作为子像素中像素电极以及漏极之间的接触窗的工艺难度亦相对的提高。更进一步来说，当接触窗所需要的大小超出工艺极限时，则无法形成接触窗，使得像素电极无法与漏极正确连接，造成像素电极无法驱动液晶分子。在这样的情况下，子像素将会无法显示画面，进而使得显示品质降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，可用以突破接触窗工艺极限的限制并提升显示品质。本专利技术提供一种像素结构，适于配置于一基板上。像素结构包括多个扫描线、多个数据线以及多个子像素。子像素包括多个开关元件、接触图案层、多个彩色滤光图案层以及多个像素电极。各开关元件分别与其中一条扫描线及其中一条数据线电连接。接触图案层与彩色滤光图案层配置于基板与开关元件上，其中接触图案层覆盖至少两个相邻开关元件的部分区域，至少两个彩色滤光图案层分别具有一缺口，且接触图案层对应设置于缺口中。像素电极配置于彩色滤光图案层、触图案层与开关元件上，其中至少一像素电极部分设置于彩色滤光图案层与对应的开关元件之间且电连接。基于上述，本专利技术为相邻的两个子像素共用接触图案层，并利用不同的图案化透明导电层作为漏极的延伸部往上层延伸，能够使得最上层的图案化透明导电层经由在其之下的图案化透明导电层与漏极电连接。藉此，像素结构中的接触窗的工艺能够不受到像素结构大小以及工艺极限的限制，并使得最上层的图案化透明导电层能够确实与漏极电连接，提供较佳的显示品质。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【附图说明】图1A至图1lA是本专利技术一实施例的像素结构制造流程上视示意图。图1B至图1lB是根据图1A至图1lA的剖线A_A’以及剖线B-B’的剖面制造流程示意图。【符号说明】100:基板200:缓冲层300:多晶硅层350:第一图案化金属层400:层间介电层500:第二图案化金属层600:接触图案层700:像素电极710:第一图案化透明导电层720:第二图案化透明导电层730:第三图案化透明导电层800:保护层CH:通道DL:数据线D:漏极G:栅极G1:栅绝缘层Cl:栅绝缘层接触窗C2:第一接触窗C3:第二接触窗S:源极SM:遮光层SL:扫描线0ΡΝ:缺口CF:彩色滤光图案层CFl:第一彩色滤光图案CF2:第二彩色滤光图案P:像素结构P1、P2:子像素【具体实施方式】图1A至图1lA是本专利技术一实施例的像素结构制造流程上视示意图。图1B至图1lB是根据图1A至图1lA的剖线A-A’以及剖线B-B’的剖面制造流程示意图。以下将依序说明本专利技术的像素结构的工艺流程。请同时参照图1A以及图1B，提供一基板100。基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是其他可适用的材料。紧接着，在基板100上形成一遮光层SM。遮光层SM的目的在于遮蔽之后的工艺中所形成的金属走线。换言之，遮光层SM实质上为本实施例的像素结构的黑矩阵层。在本实施例中，遮光层SM的材质为金属，但本专利技术不限于此。在其他实施例中，遮光层SM的材质亦可以是感光性树脂材料或其他不透光材料。值得注意的是，在其他实施例中，亦可以不设置遮光层SM。 请同时参照图2A以及图2B，在形成遮光层SM之后，依序在基板100以及遮光层SM上形成缓冲层200以及多晶硅层300。缓冲层200的目的在于加强多晶硅层300的附着力。详言之，由于基板100的材质为玻璃、石英或有机聚合物等材料，其与硅原子之间的附着力并不佳。因此，藉由使用例如是氮化硅材质的缓冲层200，能够使得多晶硅层300较佳地沉积且附着于缓冲层200上。多晶硅层300的形成方法包括首先在缓冲层200形成一层非晶硅层(未绘示)，接着对非晶硅层进行回火工艺，使得非晶硅层转变成多晶硅层300。然而，本专利技术不限于此，其他现有的多晶硅层形成方法亦可以用来形成本实施例的多晶硅层。在多晶硅层300中，部分部位含有掺杂物(dopant)，以形成源极区以及漏极区(未绘示)。请同时参照图3A以及图3B，在缓冲层200以及多晶硅层300上依序形成栅绝缘层GI以及第一图案化金属层350，其中栅绝缘层GI完全覆盖缓冲层200以及多晶硅层300。栅绝缘层GI的材料包含无机材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、其他合适的材料或上述至少两种材料的堆叠层)、有机材料、或其他合适的材料或上述的组合。也就是说，栅绝缘层GI的材料可以与缓冲层200相同或不同。第一图案化金属层350的材质可以是合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、金属材料与其他导电材料的堆叠层或其他合适的材料。第一图案化金属层350实质上为本实施例的像素结构的多条扫描线SL。值得注意的是，第一图案化金属层350与多晶硅层300重叠的部分形成栅极G，且多晶硅层300与第一图案化金属层350重叠的部分形成通道CH。如前述，由于栅绝缘层GI全面性地覆盖缓冲层200以及多晶硅层300，故第一图案化金属层350的栅极G以及多晶硅层300的通道CH藉由栅绝缘层GI分离而彼此电性绝缘。另一方面，如前所述，由于遮光层SM的目的在于遮蔽金属走线，故遮光层SM会分布于基板100以及扫描线SL之间。换言之，遮光层SM会与扫描线SL至少部份重叠，如图3A所示。接着，请同时参照图4A以及图4B，形成层间介电层400，以覆盖栅绝缘层GI以及第一图案化金属层350。其中，层间介电层400具有多个开口，以形成多个贯穿层间介电层400以及栅绝缘层GI的栅绝缘层接触窗Cl。也就是说，栅绝缘层接触窗Cl暴露部分的多晶娃层300。层间介电层400的材质可以与栅绝缘层GI相同或不同，只要层间介电层400的材质为绝缘材质，则本专利技术不针对层间介电层400的材质特别作限制。请同时参照图5A以及图5B，在层间介电层400上形成第二图案化金属层500，其中填入栅绝缘层接触窗Cl的部分第二图案化金属层500分别形成源极S以及漏极D，而未填入栅绝缘层接触窗Cl的第二图案化金属层500则形成多条数据线DL。亦即，第二图案化金属层500包括源极S、漏极D以及数据线DL，且源极S以及漏极D分别透过栅绝缘层接触窗Cl与多晶硅层300连接。类似于第一图案化金属层350，第二图案化金属层500的材质可以是合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、金属材料与其他导电材料的堆叠层或其他合适的材料。换言之，第一图案化金属层350与第二图案化金属层500的材质可以是相同或是不同。另一方面，扫描线SL与数据线DL彼此交越设置。也就是说，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不平行，较佳的是，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方垂直。如前所述，由于遮光层SM的目的在于遮蔽金属走线，故遮光层SM会分布于基板100以及数据线DL之间。换言之，遮光层SM会与数据线DL至少部份本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，适于配置于一基板上，其特征在于，所述像素结构包括：多个扫描线及多个数据线，互相交错设置于所述基板上；多个子像素，包括：多个开关元件，各所述开关元件分别与其中一条扫描线及其中一条数据线电连接；一接触图案层；多个彩色滤光图案层，所述接触图案层与所述彩色滤光图案层配置于所述基板与所述开关元件上，其中所述接触图案层覆盖至少两个相邻开关元件的部分区域，至少两个彩色滤光图案层分别具有一缺口，且所述接触图案层对应设置于所述缺口中；以及多个像素电极，配置于所述彩色滤光图案层、所述触图案层与所述开关元件上，其中至少一像素电极部分设置于彩色滤光图案层与对应的所述开关元件之间且电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡艾茹，李长纮，李明贤，李宸慷，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71