像素结构制造技术

本发明专利技术提供了一种像素结构，包括扫描线、数据线、分享信号线、主动元件、第一像素电极、第二像素电极、分享开关元件、第一分享电容器以及第二分享电容器。分享信号线平行于扫描线设置。第一像素电极与主动元件电连接。第二像素电极与第一像素电极分离开来且与主动元件电连接。分享开关元件与分享信号线以及主动元件电连接。第一分享电容器包括上电极以及下电极，彼此重叠设置。上电极与分享开关元件电连接。第二分享电容器包括第一电极以及第二电极，彼此重叠设置。第一电极与第一像素电极电连接，且第二电极与分享开关元件电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种显示面板的像素结构。
技术介绍
随着光电与半导体技术上的进步，其带动了平面显示器的蓬勃发展。在诸多平面显示器中，液晶显示器由于因具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，因而成为市场的主流。目前，液晶显示器在显示画面时通常具备广视角的特性，以满足多位使用者同时观看同一台显示装置的需求。然而，具备广视角特性的显示器所存在的色偏(color washout)现象也是为人所诟病。为了解决色偏的问题，现有技术上的像素结构的设计会降低显示面板的开口率(aperture rat1)或带来影像残留的问题(imagesticking)。因此，如何克服上述问题并兼顾显示开口率以及广视角显示效果，为目前所欲研究的主题。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，可用以解决色偏以及影像残留的问题，且可同时提高显示开口率并兼顾广视角的显示效果。本专利技术的像素结构包括扫描线、数据线、分享信号线、主动元件、第一像素电极、第二像素电极、分享开关元件、第一分享电容器以及第二分享电容器。分享信号线平行于扫描线设置。主动元件与扫描线以及数据线电连接。第一像素电极与主动元件电连接。第二像素电极与第一像素电极分离开来且与主动元件电连接。分享开关元件与分享信号线以及主动元件电连接。第一分享电容器包括上电极以及下电极。上电极以及下电极彼此重叠设置，其中，上电极与分享开关元件电连接。第二分享电容器包括第一电极以及第二电极。第一电极以及第二电极彼此重叠设置，其中，第一电极与第一像素电极电连接，且第二电极与分享开关元件电连接。基于上述，本专利技术的像素结构包括有上电极以及下电极彼此重叠设置的第一分享电容器，以及第一电极以及第二电极彼此重叠设置的第二分享电容器。因此，本专利技术的像素结构可用以解决色偏以及影像残留的问题，且可同时提高显示开口率并兼顾广视角的显示效果。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。【附图说明】图1为本专利技术一实施例的显示面板的剖面示意图。图2为本专利技术一实施例的像素结构示意图。图3为本专利技术另一实施例的像素结构示意图。【符号说明】100:显示面板110:像素阵列基板120:对向基板130:显示介质200、300:像素结构Subl、Sub2:基板PA:像素阵列EL:电极层SP:间隙物SL:扫描线DL:数据线SgL:分享信号线TFT:主动元件G、Ga:栅极S、Sa:源极Da:漏极Dl:第一漏极D2:第二漏极PEl:第一像素电极PE2:第二像素电极Cffl:第一接触窗CW2:第二接触窗SffE:分享开关元件SCl:第一分享电容器SC2:第二分享电容器TE:上电极BE:下电极FE:第一电极SE:第二电极TdE:第三电极CEP:共用电极图案EP:延伸部【具体实施方式】图1为本专利技术一实施例的显示面板的剖面示意图。请参照图1，显示面板100包括像素阵列基板110、对向基板120以及显示介质130。显示面板100例如是液晶显示面板或是其他形式的显示面板。像素阵列基板110包括基板subl以及像素阵列PA。基板subl的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。像素阵列PA配置在基板subl上，且像素阵列PA包括多个像素结构。关于像素结构的设计将于后文中详细地描述。对向基板120位于像素阵列基板110的对向侧。对向基板120包括基板sub2以及电极层EL。基板sub2的材质可为玻璃、石英或有机聚合物等等。电极层EL是全面地覆盖于基板sub2上。电极层EL为透明导电层，其材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物或者是铟锌氧化物。显示介质130位于像素阵列基板110与对向基板120之间。当显示面板100为液晶显示面板时，显示介质130例如是液晶分子。像素阵列基板110与对向基板120之间设置有多个间隙物SP。间隙物SP与像素阵列基板110以及对向基板120接触以维持适当的晶穴间隙。特别是，间隙物SP是设置在像素阵列PA的各个像素结构中。图2为本专利技术一实施例的像素结构示意图。为了清楚地说明本专利技术的实施例，图2仅绘示出图1的像素阵列PA的其中一个像素结构，此领域技术人员应可以理解，图1的像素阵列PA实际上即是由多个图2所示的像素结构组成阵列形式所构成。请参考图2，像素结构200包括扫描线SL、数据线DL、分享信号线SgL、主动元件TFT、第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、分享开关元件SWE、第一分享电容器SCl以及第二分享电容器SC2。在本实施例中，扫描线SL与数据线DL彼此交越设置。换言之，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不平行，较佳的是，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直。另外，分享信号线SgL平行于扫描线SL设置。基于导电性的考量，扫描线SL^据线DL与分享信号线SgL —般是使用金属材料。然，本专利技术不限于此，根据其他实施例，扫描线SL、数据线DL与分享信号线SgL也可以使用其他导电材料。例如:合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物、或是金属材料与其他导电材料的堆叠层或其他合适的材料。另外，遮光图案层(未绘示)是对应于扫描线SL以及数据线DL设置，并用以防止漏光。主动元件TFT可以是底部栅极型薄膜晶体管或是顶部栅极型薄膜晶体管。主动元件TFT与扫描线SL以及数据线DL电连接。主动元件TFT包括栅极G、源极S、第一漏极D1、第二漏极D2以及通道(未绘示)。栅极G与扫描线SL连接，且源极S位于栅极G上方。第一漏极Dl对应源极S设置，且与第一像素电极PEl电连接。第二漏极D2对应源极S设置，且与第二像素电极PE2电连接。在本实施例中，第一像素电极PEl与第二像素电极PE2是以块状电极来表示，但不限于此。举例来说，第一像素电极PEl与第二像素电极PE2亦可以当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括：一扫描线以及一数据线；一分享信号线，平行所述扫描线设置；一主动元件，与所述扫描线以及所述数据线电连接；一第一像素电极，与所述主动元件电连接；一第二像素电极，与所述第一像素电极分离开来且与所述主动元件电连接；一分享开关元件，与所述分享信号线以及所述主动元件电连接；一第一分享电容器，其包括一上电极以及一下电极，且所述上电极以及所述下电极彼此重叠设置，其中所述上电极与所述分享开关元件电连接；以及一第二分享电容器，其包括一第一电极以及一第二电极，且所述第一电极以及所述第二电极彼此重叠设置，其中所述第一电极与所述第一像素电极电连接，且所述第二电极与所述分享开关元件电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴尚杰，陈宜瑢，何升儒，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71