液晶显示器及其放电电路制造技术

本发明专利技术公开了一种液晶显示器及其放电电路，放电电路包括像素电容、第一ESD保护器件、第一TFT器件、第二TFT器件、控制芯片、Source线，控制芯片的第一I/O引脚与第一TFT器件的栅极电连接，第二I/O引脚与第二TFT器件的栅极电连接，第一TFT器件的漏极、第二TFT器件的漏极以及第一ESD保护器件的一端均与Source线电连接，第一TFT器件的源极与像素电容电连接。本发明专利技术通过在Source线和公共端之间增加TFT器件，使得掉电后Source线上的残留电荷能够通过增加的TFT器件完全释放，既加快了残留电荷的释放速度，又不会影响液晶显示器的ESD防护能力，结构简单，方便控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示器领域，特别涉及一种液晶显示器及其放电电路。
技术介绍
现有技术中，液晶显示器的放电电路如图1所示，包括像素电容11、第一ESD (Electro-Static Discharge，静电释放)保护器件 12、Source 线 13、TFT (Thin FilmTransistor,薄膜晶体管)器件T1、TFT器件T3、测试焊盘14、第二 ESD保护器件15以及控制芯片(图中未示出)。其中，控制芯片的I/O引脚Pinl与TFT器件T1的栅极连接，控制芯片的I/O引脚Pin3与TFT器件T3的栅极连接。在液晶显示器掉电的瞬间，电荷经TFT器件T1到Source线，并通过以下两条路径进行电荷的释放:路径一、由Source线经第一 ESD保护器件到公共端COM ;路径二、由Source线经TFT器件T3、测试焊盘、第二 ESD保护器件到公共端COM。经实验证明，通过路径一释放的电荷远大于通过路径二释放的电荷。因此，路径一为释放残留电荷的主要路径。但是路径一上的第一 ESD保护器件会使得放电时间较长，因此导致电荷疏散不完全，而残留的电荷会造成模组的Flicker (即画面的闪烁程度)漂移等问题。若减少第一ESD保护器件，放电时间会减短，同时电荷疏散也更加完全，但是会影响液晶显示器的ESD防护能力。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中液晶显示器掉电时存在的残留电荷会导致画面闪烁程度漂移等的缺陷，提供一种能够加快残留电荷的释放速度，且不影响ESD防护能力的液晶显示器及其放电电路。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的:—种液晶显示器的放电电路，其特点在于，包括像素电容、第一 ESD保护器件、第一 TFT器件、第二 TFT器件、控制芯片以及Source线，所述控制芯片的第一 1/0引脚与所述第一 TFT器件的栅极电连接，所述控制芯片的第二 1/0引脚与所述第二 TFT器件的栅极电连接，所述第一 TFT器件的漏极、所述第二TFT器件的漏极以及所述第一 ESD保护器件的一端均与所述Source线电连接，所述第一TFT器件的源极与所述像素电容电连接，所述第二 TFT器件的源极以及所述第一 ESD保护器件的另一端均与公共端电连接。本方案中，当液晶显示器上电时，控制芯片控制第一 1/0引脚的输出电平，使得第一TFT器件导通，Source线通过第一 TFT器件向像素电容充电；当液晶显示器掉电时，控制芯片分别控制第一 1/0引脚和第二 1/0引脚的输出电平，使得第一 TFT器件断开且第二 TFT器件导通，Source线上的电荷通过第二 TFT器件到公共端的路径进行释放。本方案中，通过在Source线和公共端之间增加TFT器件，以及通过控制芯片对TFT器件通断的控制，使得掉电后Source线上的残留电荷能够通过增加的TFT器件完全释放，既加快了残留电荷的释放速度，又不会影响液晶显示器的ESD防护能力，结构简单，方便控制。较佳地，所述放电电路还包括第三TFT器件和测试焊盘，所述控制芯片的第三I/O引脚与所述第三TFT器件的栅极电连接，所述第三TFT器件的源极与所述第一 TFT器件的漏极电连接，所述测试焊盘串联于所述第三TFT器件的漏极与所述公共端之间。本方案中，在液晶显示器的液晶玻璃没有绑定驱动IC(Integrated Circuit)之前，工厂为了测试液晶显示器的显示是否正常，会在液晶玻璃的驱动1C的绑定区域两侧预留测试焊盘，并将专用夹具的导电金针连接测试焊盘，控制芯片控制第三I/O引脚的输出电平，使得第三TFT器件导通并驱动液晶显示器，以检测液晶显示器的显示视效。当驱动1C绑定之后，控制芯片控制第三I/O引脚的输出电平，使得第三TFT器件断开。较佳地，所述放电电路还包括第二 ESD保护器件，串联于所述测试焊盘与所述公共端之间。较佳地，所述第一 ESD保护器件和所述第二 ESD保护器件均包括至少一组反向并联的二极管。本专利技术还提供一种液晶显示器，其特点在于，包括如上所述的放电电路。较佳地，所述液晶显示器为TFT液晶显示器、TN(Twisted Nematic，扭曲向列型)液晶显示器、STN (Super TN，超扭曲向列型)液晶显示器或DSTN (Dual Scan TortuosityNomograph，双层超扭曲向列型)液晶显示器。在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本专利技术各较佳实例。本专利技术的积极进步效果在于:本专利技术通过在Source线和公共端之间增加TFT器件，以及通过控制芯片对TFT器件通断的控制，使得掉电后Source线上的残留电荷能够通过增加的TFT器件完全释放，既加快了残留电荷的释放速度，又不会影响液晶显示器的ESD防护能力，结构简单，方便控制。【附图说明】图1为现有技术中液晶显示器的放电电路的原理框图。图2为本专利技术实施例1的液晶显示器的放电电路的原理框图。图3为本专利技术实施例2的液晶显示器的放电电路的原理框图。【具体实施方式】下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。实施例1本实施例提供一种液晶显示器的放电电路，如图2所示，包括像素电容11、第一ESD保护器件12、第一 TFT器件T1、第二 TFT器件T2、控制芯片(图中未示出)以及Source线13，所述控制芯片的1/0引脚Pinl与第一 TFT器件T1的栅极电连接，所述控制芯片的1/0引脚Pin2与第二 TFT器件T2的栅极电连接，第一 TFT器件T1的漏极、第二 TFT器件T2的漏极以及第一 ESD保护器件12的一端均与Source线13电连接，第一 TFT器件T1的源极与像素电容11电连接，第二 TFT器件T2的源极以及第一 ESD保护器件12的另一端均与公共端COM电连接。本实施例当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示器的放电电路，其特征在于，包括像素电容、第一ESD保护器件、第一TFT器件、第二TFT器件、控制芯片以及Source线，所述控制芯片的第一I/O引脚与所述第一TFT器件的栅极电连接，所述控制芯片的第二I/O引脚与所述第二TFT器件的栅极电连接，所述第一TFT器件的漏极、所述第二TFT器件的漏极以及所述第一ESD保护器件的一端均与所述Source线电连接，所述第一TFT器件的源极与所述像素电容电连接，所述第二TFT器件的源极以及所述第一ESD保护器件的另一端均与公共端电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：弋高飞，
申请(专利权)人：上海创功通讯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31