用于消除液晶显示器关机残影的电路及液晶显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种用于消除液晶显示器关机残影的电路及液晶显示器，该电路包括控制器、电压检测电路、电压输出电路、电源管理芯片、栅极驱动芯片和TFT，TFT的漏极连接电压检测电路的输入端，电压检测电路的输出端连接控制器的输入端，控制器的输出端连接电压输出电路的第一输入端，电压输出电路的第二输入端连接电源管理芯片，电压输出电路的输出端连接栅极驱动芯片的第二输入端，电源管理芯片连接栅极驱动芯片的第一输入端，栅极驱动芯片的输出端连接TFT的栅极；电压检测电路检测TFT的漏极电压，根据漏极电压的大小输出不同的检测信号至控制器，控制器控制电压输出电路生成不同的栅极开启电压，并在液晶显示器关机时，将栅极开启电压输给TFT的栅极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，具体涉及一种用于消除液晶显示器关机残影的电路及一种液晶显示器。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)在现今生活中扮演着越来越重要的角色，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLCD，TFT-LCD)是一种利用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)来产生电压以控制液晶分子转向的显示器，在上下两层导电玻璃基板之间夹着液晶分子，形成液晶电容。然而，由于所述TFT内部存在液晶电容和存储电容，在液晶显示器关机的瞬间，TFT的漏极端的电压难以在短时间内变为0伏特，通常会有电荷残留于液晶电容中。因此，当漏极端的电压比较高时，会导致关机残影画面的产生，甚至会导致画面显示异常。为了解决关机残影问题，在TFT-LCD关机时，通常通过电源管理芯片(PowerManagementIC)控制栅极驱动芯片(GateDriverIC)输出相同的栅极开启电压，从而将TFT打开，以加快TFT的漏极端的放电速度。但是，由于TFT-LCD关机时，不同的TFT的漏极电压可能不同，如果所有的TFT的栅极均加上相同的栅极开启电压，会导致一些TFT的漏极端的放电电流过大，以致TFT烧坏。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种用于消除液晶显示器关机残影的电路，在液晶显示器关机时，可以根据薄膜晶体管漏极电压的情况的不同而以不同的栅极开启电压对不同薄膜晶体管进行放电来改善液晶显示器的关机残影。另外，本专利技术还提供了一种包含上述用于消除液晶显示器关机残影的电路的液晶显示器。第一方面，本专利技术提供了一种用于消除液晶显示器关机残影的电路，包括控制器、电压检测电路、电压输出电路、电源管理芯片、栅极驱动芯片和薄膜晶体管薄膜晶体管，其中：所述薄膜晶体管的漏极连接所述电压检测电路的输入端，所述电压检测电路的输出端连接所述控制器的输入端，所述控制器的输出端连接所述电压输出电路的第一输入端，所述电压输出电路的第二输入端连接所述电源管理芯片，所述电压输出电路的输出端连接所述栅极驱动芯片的第二输入端，所述栅极驱动芯片的第一输入端连接至所述电源管理芯片，所述栅极驱动芯片的输出端连接所述薄膜晶体管的栅极；所述电压检测电路包括至少两个电压比较器；所述电压检测电路检测所述薄膜晶体管的漏极电压，根据所述漏极电压的大小输出不同的检测信号至所述控制器，所述控制器根据不同的检测信号控制所述电压输出电路生成不同的栅极开启电压；在液晶显示器关机时，所述电源管理芯片输出控制信号至所述电压输出电路及所述栅极驱动芯片，以控制所述电压输出电路输出所述栅极开启电压至所述栅极驱动芯片，以及控制所述栅极驱动芯片将所述电压输出电路输出的栅极开启电压输出至所述薄膜晶体管的栅极。其中，所述至少两个电压比较器包括第一电压比较器、第二电压比较器和第三电压比较器，其中：所述薄膜晶体管的漏极连接所述第一电压比较器的同相输入端、所述第二电压比较器的同相输入端和所述第三电压比较器的同相输入端；所述第一电压比较器的反相输入端连接第一参考电压，所述第二电压比较器的反相输入端连接第二参考电压，所述第三电压比较器的反相输入端连接第三参考电压，其中，所述第一参考电压大于所述第二参考电压，所述第二参考电压大于所述第三参考电压；所述第一电压比较器的输出端连接所述控制器的第一输入端，所述第二电压比较器的输出端连接所述控制器的第二输入端，所述第三电压比较器的输出端连接所述控制器的第三输入端。其中，所述电压输出电路包括第一与门、第二与门、第三与门、非门、第一开关管、第二开关管和第三开关管，其中：所述第一开关管、所述第二开关管和所述第三开关管均为N沟道增强型MOS管，所述控制器的第一输出端连接所述第一与门的第一输入端，所述控制器的第二输出端连接所述第二与门的第一输入端，所述控制器的第三输出端连接所述第三与门的第一输入端；所述电源管理芯片连接至所述非门的输入端，所述第一与门的第二输入端、所述第二与门的第二输入端和所述第三与门的第二输入端连接至所述非门的输出端；所述第一与门的输出端连接所述第一开关管的栅极，所述第二与门的输出端连接所述第二开关管的栅极，所述第三与门的输出端连接所述第三开关管的栅极；所述第一开关管的漏极连接第一栅极开启电压，所述第二开关管的漏极连接第二栅极开启电压，所述第三开关管的漏极连接第三栅极开启电压，其中，所述第一栅极开启电压大于所述第二栅极开启电压，所述第二栅极开启电压大于所述第三栅极开启电压；所述栅极驱动芯片的第二输入端连接所述第一开关管的源极、所述第二开关管的源极和所述第三开关管的源极；所述栅极驱动芯片的第一输入端连接至所述电源管理芯片及所述非门的输入端。其中，所述电压输出电路包括第一与门、第二与门、第三与门、第一非门、第二非门、第三非门、第四非门、第一开关管、第二开关管和第三开关管，其中：所述第一开关管、所述第二开关管和所述第三开关管均为P沟道增强型MOS管，所述控制器的第一输出端连接至所述第一非门的输入端，所述第一非门的输出端连接至所述第一与门的第一输入端，所述控制器的第二输出端连接至所述第二非门的输入端，所述第二非门的输出端连接至所述第二与门的第一输入端，所述控制器的第三输出端连接至所述第三非门的输入端，所述第三非门的输出端连接至所述第三与门的第一输入端；所述电源管理芯片连接至所述第四非门的输入端，所述第一与门的第二输入端、所述第二与门的第二输入端和所述第三与门的第二输入端连接至所述第四非门的输出端；所述第一与门的输出端连接所述第一开关管的栅极，所述第二与门的输出端连接所述第二开关管的栅极，所述第三与门的输出端连接所述第三开关管的栅极；所述第一开关管的漏极连接第一栅极开启电压，所述第二开关管的漏极连接第二栅极开启电压，所述第三开关管的漏极连接第三栅极开启电压，其中，所述第一栅极开启电压大于所述第二栅极开启电压，所述第二栅极开启电压大于所述第三栅极开启电压；所述栅极驱动芯片的第二输入端连接所述第一开关管的源极、所述第二开关管的源极和所述第三开关管的源极；所述栅极驱动芯片的第一输入端连接至所述电源管理芯片及所述第四非门的输入端。其中，当所述控制器的所述第一输入端输入高电平信号时，所述控制器控制所述第一输出端输出高电平信号；当所述控制器的所述第一输入端输入低电平信号且所述第二输入端输入高电平信号时；所述控制器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于消除液晶显示器关机残影的电路，其特征在于，包括控制器、电压检测电路、电压输出电路、电源管理芯片、栅极驱动芯片和薄膜晶体管，其中：所述薄膜晶体管的漏极连接所述电压检测电路的输入端，所述电压检测电路的输出端连接所述控制器的输入端，所述控制器的输出端连接所述电压输出电路的第一输入端，所述电压输出电路的第二输入端连接所述电源管理芯片，所述电压输出电路的输出端连接所述栅极驱动芯片的第二输入端，所述栅极驱动芯片的第一输入端连接至所述电源管理芯片，所述栅极驱动芯片的输出端连接所述薄膜晶体管的栅极；所述电压检测电路包括至少两个电压比较器；所述电压检测电路检测所述薄膜晶体管的漏极电压，根据所述漏极电压的大小输出不同的检测信号至所述控制器，所述控制器根据不同的检测信号控制所述电压输出电路生成不同的栅极开启电压；在液晶显示器关机时，所述电源管理芯片输出控制信号至所述电压输出电路及所述栅极驱动芯片，以控制所述电压输出电路输出所述栅极开启电压至所述栅极驱动芯片，以及控制所述栅极驱动芯片将所述电压输出电路输出的栅极开启电压输出至所述薄膜晶体管的栅极。

【技术特征摘要】
1.一种用于消除液晶显示器关机残影的电路，其特征在于，包括控制器、
电压检测电路、电压输出电路、电源管理芯片、栅极驱动芯片和薄膜晶体管，
其中：
所述薄膜晶体管的漏极连接所述电压检测电路的输入端，所述电压检测电
路的输出端连接所述控制器的输入端，所述控制器的输出端连接所述电压输出
电路的第一输入端，所述电压输出电路的第二输入端连接所述电源管理芯片，
所述电压输出电路的输出端连接所述栅极驱动芯片的第二输入端，所述栅极驱
动芯片的第一输入端连接至所述电源管理芯片，所述栅极驱动芯片的输出端连
接所述薄膜晶体管的栅极；所述电压检测电路包括至少两个电压比较器；
所述电压检测电路检测所述薄膜晶体管的漏极电压，根据所述漏极电压的
大小输出不同的检测信号至所述控制器，所述控制器根据不同的检测信号控制
所述电压输出电路生成不同的栅极开启电压；在液晶显示器关机时，所述电源
管理芯片输出控制信号至所述电压输出电路及所述栅极驱动芯片，以控制所述
电压输出电路输出所述栅极开启电压至所述栅极驱动芯片，以及控制所述栅极
驱动芯片将所述电压输出电路输出的栅极开启电压输出至所述薄膜晶体管的栅
极。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述至少两个电压比较器包
括第一电压比较器、第二电压比较器和第三电压比较器，其中：
所述薄膜晶体管的漏极连接所述第一电压比较器的同相输入端、所述第二
电压比较器的同相输入端和所述第三电压比较器的同相输入端；所述第一电压
比较器的反相输入端连接第一参考电压，所述第二电压比较器的反相输入端连
接第二参考电压，所述第三电压比较器的反相输入端连接第三参考电压，其中，
所述第一参考电压大于所述第二参考电压，所述第二参考电压大于所述第三参
考电压；
所述第一电压比较器的输出端连接所述控制器的第一输入端，所述第二电
压比较器的输出端连接所述控制器的第二输入端，所述第三电压比较器的输出
端连接所述控制器的第三输入端。
3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电压输出电路包括第一
与门、第二与门、第三与门、非门、第一开关管、第二开关管和第三开关管，
其中：
所述第一开关管、所述第二开关管和所述第三开关管均为N沟道增强型MOS
管，所述控制器的第一输出端连接所述第一与门的第一输入端，所述控制器的
第二输出端连接所述第二与门的第一输入端，所述控制器的第三输出端连接所
述第三与门的第一输入端；所述电源管理芯片连接至所述非门的输入端，所述
第一与门的第二输入端、所述第二与门的第二输入端和所述第三与门的第二输
入端连接至所述非门的输出端；
所述第一与门的输出端连接所述第一开关管的栅极，所述第二与门的输出
端连接所述第二开关管的栅极，所述第三与门的输出端连接所述第三开关管的
栅极；所述第一开关管的漏极连接第一栅极开启电压，所述第二开关管的漏极
连接第二栅极开启电压，所述第三开关管的漏极连接第三栅极开启电压，其中，
所述第一栅极开启电压大于所述第二栅极开启电压，所述第二栅极开启电压大
于所述第三栅极开启电压；所述栅极驱动芯片的第二输入端连接所述第一开关
管的源极、所述第二开关管的源极和所述第三开关管的源极；所述栅极驱动芯
片的第一输入端连接至所述电源管理芯片及所述非门的输入端。
4.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述电压输出电路包括第一
与门、第二与门、第三与门、第一非门、第二非门、第三非门、第四非门、第
一开关管、第二开关管和第三开关管，其中：
所述第一开关管、所述第二开关管和所述第三开关管均为P沟道增强型MOS
管，所述控制器的第一输出端连接至所述第一非门的输入端，所述第一非门的
输出端连接至所述第一与门的第一输入端，所述控制器的第二输出端连接至所
述第二非门的输入端，所述第二非门的输出端连接至所述第二与门的第一输入
端，所述控制器的第三输出端连接至所述第三非门的输入端，所述第三非门的
输出端连接至所述第三与门的第一输入端；所述电源管理芯片连接至所述第四
非门的输入端，所述第一与门的第二输入端、所述第二与门的第二输入端和所
述第三与门的第二输入端连接至所述第四非门的输出端；
所述第一与门的输出端连接所述第一开关管的栅极，所述第二与门的输出

\t端连接所述第二开关管的栅极，所述第三与门的输出端连接所述第三开关管的
栅极；所述第一开关管的漏极连接第一栅极开启电压，所述第二开关管的漏极
连接第二栅极开启电压，所述第三开关管的漏极连接第三栅极开启电压，其中，
所述第一栅极开启电压大于所述第二栅极开启电压，所述第二栅极开启电压大
于所述第三栅极开启电压；所述栅极驱动芯片的第二输入端连接所述第一开关
管的源极、所述第二开关管的源极和所述第三开关管的源极；所述栅极驱动芯
片的第一输入端连接至所述电源管理芯片及所述第四非门的输入端。
5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文芳，曹丹，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44