像素结构制造技术

一种像素结构，包括半导体图案、第一绝缘层、第一导体层、第二绝缘层、第二导体层、第三绝缘层及像素电极。半导体图案包括第一接触区、第二接触区及通道区。第一导体层包括闸极及扫描线。第一绝缘层的第一上部接触开口与第二绝缘层的第一下部接触开口构成第一接触开口。第一接触开口暴露半导体图案以定义出第一接触区。第二导体层包括接触于第一接触区的资料线。资料线的第一侧壁位于第一接触开口的面积之内。像素电极电性连接第二接触区。本发明专利技术资料线的线宽可设计的较小，进而达到提升像素结构开口率的目的。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种像素结构，包括半导体图案、第一绝缘层、第一导体层、第二绝缘层、第二导体层、第三绝缘层及像素电极。半导体图案包括第一接触区、第二接触区及通道区。第一导体层包括闸极及扫描线。第一绝缘层的第一上部接触开口与第二绝缘层的第一下部接触开口构成第一接触开口。第一接触开口暴露半导体图案以定义出第一接触区。第二导体层包括接触于第一接触区的资料线。资料线的第一侧壁位于第一接触开口的面积之内。像素电极电性连接第二接触区。本专利技术资料线的线宽可设计的较小，进而达到提升像素结构开口率的目的。【专利说明】像素结构
本专利技术是有关于一种像素结构,且特别是有关于一种高开口率(aperture ratio)的像素结构。
技术介绍
近年来，显示装置除了追求高对比、广视角、高色彩饱和度之外，更朝向高解析度发展。特别是，在行动显示装置方面，消费者使用行动显示装置浏览网页或观看影音多媒体的习惯逐渐形成，而行动显示装置的解析度对观赏的品质扮演重要的角色。一般而言，行动显示装置的面积不大。为了使行动显示装置达到高解析度，设计者需在有限的面积内置入多个像素结构。然而，像素结构中有许多透光度低的膜层(例如资料线、扫描线等所属的膜层)，当行动显示装置中像素结构的数目增加时，行动显示装置的开口率也急剧下降。如此一来，行动显示装置便需消耗更多的功率在提升显示亮度上，而不利于行动显示装置可使用的时间。因此，如何适当地设计像素结构中各膜层的图案以达到增加开口率目的，实为研发者所欲达成的目标之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，其具有高开口率。本专利技术的像素结构包括半导体图案、第一绝缘层、第一导体层、第二绝缘层、第二导体层、第三绝缘层以及像素电极。半导体图案配置于基板上。半导体图案包括第一接触区、第二接触区以及位于第一接触区与第二接触区之间的通道区。第一绝缘层覆盖半导体图案，并且具有第一下部接触开口。第一导体层配置于基板上。第一导体层包括重叠于通道区的闸极以及连接于闸极的扫描线。第二绝缘层覆盖第一导体层并具有第一上部接触开口。第一上部接触开口与第一下部接触开口构成第一接触开口。第一接触开口暴露半导体图案以定义出第一接触区。第二导体层配置于第二绝缘层上。第二导体层包括相交于扫描线的资料线。资料线接触于第一接触开口所暴露出来的第一接触区。资料线的第一侧壁位于第一接触开口的面积之内。第三绝缘层覆盖第二导体层。像素电极配置于第三绝缘层上并且电性连接第二接触区。在本专利技术的一实施例中，上述的第一接触开口的宽度不小于资料线的宽度。在本专利技术的一实施例中，上述的第一接触开口的宽度大于第一接触区的宽度。在本专利技术的一实施例中，上述的资料线的第一侧壁重叠于第一接触开口的边缘。在本专利技术的一实施例中，上述的资料线的第一侧壁与第一接触开口的边缘相隔一段距离。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体图案的第一接触区具有接触区侧壁。接触区侧壁重叠于资料线的第一侧壁，以使接触区侧壁与第一接触开口的边缘相隔上述的距离。在本专利技术的一实施例中，上述的资料线的第二侧壁位于第一接触开口的面积之内，且第一侧壁与第二侧壁彼此相对。在本专利技术的一实施例中，上述的资料线的第二侧壁重叠于第一接触开口的边缘。在本专利技术的一实施例中，上述的资料线的第二侧壁与第一接触开口的边缘相隔一距离。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体图案的第一接触区的接触区侧壁与资料线的第一侧壁及第二侧壁重叠。资料线的第二侧壁相对于资料线的第一侧壁。在本专利技术的一实施例中，上述的第一绝缘层具有第二下部接触开口。第二绝缘层具有第二上部接触开口。第二上部接触开口与第二下部接触开口构成第二接触开口而暴露出第二接触区。第二导体层更包括连接图案。连接图案接触于第二接触开口所暴露出来的第二接触区。连接图案电性连接像素电极。在本专利技术的一实施例中，上述的第二接触开口的宽度不小于连接图案的宽度。在本专利技术的一实施例中，上述的连接图案的连接图案侧壁重叠于第二接触开口的边缘。在本专利技术的一实施例中，上述的连接图案的连接图案侧壁与第二接触开口的边缘相隔一段距离。在本专利技术的一实施例中，上述的第一导体层更包括电容电极。电容电极重叠于像素电极，以构成储存电容。在本专利技术的一实施例中，上述的资料线具有固定的线宽。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体图案更包括邻接于第一接触区的周边区。周边区被第一绝缘层所覆盖。第一接触区被第一接触开口所暴露。第一接触区的宽度小于周边区的宽度。在本专利技术的一实施例中，上述的资料线包括与第一接触区接触的一接触部以及邻接于接触部的一导线部，而导线部位在第一绝缘层与第二绝缘层上。在本专利技术的一实施例中，上述的半导体图案具有至少一半导体开口。半导体开口位于第一接触开口内，且半导体开口的部分边缘重叠于第一侧壁。基于上述，在本专利技术的像素结构中，资料线接触于第一接触开口所暴露出来的第一接触区，且资料线的一第一侧壁位于第一接触开口的面积之内。藉由此设计，资料线的线宽可设计的较小，进而达到提升像素结构开口率的目的。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。【专利附图】【附图说明】图1A至图1I为本专利技术第一实施例的像素结构的制作流程剖面示意图。图2A至图21为本专利技术第一实施例的像素结构的制作流程俯视示意图。图3为根据图21的剖线C-C’所绘的剖面图。图4示出图21中第一接触开口附近的半导体图案。图5A为本专利技术第二实施例的像素结构的俯视示意图。图5B是根据图5A的剖线D-D’绘示的剖面图。图6A为本专利技术第三实施例的像素结构的俯视示意图。图6B是根据图6A的剖线E_E’绘示的剖面图。图7A为本专利技术第四实施例的像素结构的俯视示意图。图7B是根据图7A的剖线F_F’绘示的剖面图。图8A为本专利技术第五实施例的像素结构的俯视示意图。图8B是根据图8A的剖线G_G’绘示的剖面图。图9A为本专利技术第六实施例的像素结构的俯视示意图。图9B是根据图9A的剖线H_H’绘示的剖面图。其中，附图标记100、100A ?100E:像素结构102:基板104:第一缓冲层106:第二缓冲层108:半导体图案108a:第一部分108b:第二部分110:第一绝缘层112:光阻图案层114:第一导体层114’:第一预图案导体层114a、114b:闸极114a’、114b’:预定闸极114c:扫描线114c’:预定扫描线114d:电容电极114d’:预定电容电极118:第二绝缘层120:第二导体层120a:资料线120aa:接触部I2Oab:导线部120b:连接图案122:第三绝缘层124:像素电极A1、A2:第二接触开口的边缘CH:通道区D1、D1，、D2、D2，、S1、S1，、S2、S2，:第一掺杂区dl、d2、Ll、L2:距离E1、E2:资料线的侧壁el、e2:第一接触开口的边缘F1、F2:第一接触区的接触区侧壁gl、g2:连接图案侧壁fl、f2:第二接触区的接触区侧壁Kl:第一接触区的宽度K2:周边区的宽度K3:第二接触区的宽度LDD:第二掺杂区O:半导体开口Pl:周边区Rl:第一接触区R2:第二接触区Wl:第一接触开口的宽度W2:第二接触开口的宽度Wc:连接图案的宽度Wd:资料线的宽度V1:第一接触开口VlU:第一上部接触开口VlD:第一下部接触开口V2:第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：一半导体图案，配置于一基板上，且该半导体图案包括一第一接触区、一第二接触区以及位于该第一接触区与该第二接触区之间的一通道区；一第一绝缘层，覆盖该半导体图案，并且具有一第一下部接触开口；一第一导体层，配置于该基板上，并且该第一导体层包括重叠于该通道区的一闸极以及连接于该闸极的一扫描线；一第二绝缘层，覆盖该第一导体层并具有一第一上部接触开口，其中该第一上部接触开口与该第一下部接触开口构成一第一接触开口而该第一接触开口暴露该半导体图案以定义出该第一接触区；一第二导体层，配置于该第二绝缘层上，且该第二导体层包括相交于该扫描线的一资料线，该资料线接触于该第一接触开口所暴露出来的该第一接触区，且该资料线的一第一侧壁位于该第一接触开口的面积之内；一第三绝缘层，覆盖该第二导体层；以及一像素电极，配置于该第三绝缘层上并且电性连接该第二接触区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：谢秀春，陈亦伟，陈明炎，苏志中，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：