本发明专利技术属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和驱动电极，所述薄膜晶体管包括栅极以及设置在同一层的源极/漏极，其中，所述栅极或所述源极/所述漏极与所述驱动电极采用相同的材料形成，且所述驱动电极的厚度小于所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。本发明专利技术的阵列基板，在满足透过率的同时，有效地简化了阵列基板的制备工艺，降低了掩模板和材料的成本，减少设备投资，节约了成本，提高了产能，提高了显示装置产品的竞争力。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和驱动电极，所述薄膜晶体管包括栅极以及设置在同一层的源极/漏极，其中，所述栅极或所述源极/所述漏极与所述驱动电极采用相同的材料形成，且所述驱动电极的厚度小于所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。本专利技术的阵列基板，在满足透过率的同时，有效地简化了阵列基板的制备工艺，降低了掩模板和材料的成本，减少设备投资，节约了成本，提高了产能，提高了显示装置产品的竞争力。【专利说明】阵列基板、制备方法以及显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种阵列基板、制备方法以及显示装置。
技术介绍
平板显示装置具有体积小、功耗低、无辐射等特点，目前已逐步取代笨重的CRT (Cathode Ray Tube,阴极射线管)显示装置占据显示器市场的主导地位。常用的平板显不装置包括 LCD (Liquid Crystal Display:液晶显不装置)、PDP (Plasma Display Panel:等离子显示装置)和OLED (Organic Light-Emitting Diode:有机发光二极管)显示装置。在成像过程中，IXD和有源矩阵驱动式OLED (Active Matrix Organic LightEmission Display,简称AM0LED)显示装置中的每一像素点都由集成在阵列基板中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor:简称TFT)来驱动,从而实现图像显示。薄膜晶体管作为发光控制开关，是实现IXD和OLED显示装置显示的关键，直接关系到高性能显示装置的发展方向。其中，LCD包括 TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA (Vertical Alignment,垂直取向)模式、ADSDS (ADvanced Super Dimension Switch,简称ADS,高级超维场转换)模式等。尤其是在ADSDS模式中，阵列基板同时包括像素电极和公共电极，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，在增大视角的同时提高了液晶分子工作效率并增大了透光效率。其中，薄膜晶体管主要包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极。图1是现有技术中一种ADSDS模式阵列基板的剖视图，在该阵列基板的制备过程中，自下而上分别通过5次构图工艺(或者说掩模工艺)制备完成，依次包括:公共电极掩模、栅极掩模、有源层和源极/漏极掩模、钝化层过孔掩模、像素电极掩模。在该阵列基板中，公共电极和栅极分别采用透明导电材料和金属材料，通过两次构图工艺形成。图2是现有技术中另一种ADSDS模式阵列基板的剖视图，在该阵列基板的制备过程中，自下而上分别通过6次构图工艺(或者说掩模工艺)制备完成，依次包括:栅极掩模、有源层掩模、源极/漏极掩模、像素电极掩模、钝化层过孔掩模、公共电极掩模。在该阵列基板中，源极/漏极和像素电极分别采用金属材料和透明导电材料，通过两次构图工艺形成。在上述两种结构的阵列基板中，公共电极和栅极、源极/漏极和像素电极均通过两次掩模工艺完成，工艺相对复杂，成本较高。同样的，在TN模式、VA模式和OLED显示装置的阵列基板的制备过程中也存在同样的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板、制备方法以及显示装置，该阵列基板和相应的阵列基板的制备方法，有效地简化了阵列基板的制备工艺，降低了掩模板和材料的成本，节约了成本，提高了产能，提高了显示装置产品的竞争力。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和驱动电极，所述薄膜晶体管包括栅极以及设置在同一层的源极/漏极，其中，所述栅极或所述源极/所述漏极与所述驱动电极采用相同的材料形成，且所述驱动电极的厚度小于所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。一种优选方案是，所述驱动电极包括第一电极与第二电极，所述第一电极与所述第二电极在正投影方向上至少部分重叠，所述第二电极设置于所述第一电极的下方，处于相对上层的所述栅极或所述源极/所述漏极、与所述第一电极采用相同的材料形成，且所述第一电极的厚度小于处于相对上层的所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度；和/或，处于相对下层的所述栅极或所述源极/所述漏极、与所述第二电极采用相同的材料形成，且所述第二电极的厚度小于处于相对下层的所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。优选的是，处于相对上层的所述栅极或所述源极/所述漏极与所述第一电极，和/或，处于相对下层的所述栅极或所述源极/所述漏极与所述第二电极，为单层或多层复合膜层，采用铝、铜、钥、铝钕合金、铬、钛或银形成；或者，处于相对上层的所述栅极或所述源极/所述漏极与所述第一电极，和/或处于相对下层的所述栅极或所述源极/所述漏极与所述第二电极，为具有一维金属/介质光子晶体结构的多层复合膜层，所述金属包括银，所述介质包括硫化锌、氧化铟锡。优选的是，所述第一电极为狭缝状，所述第二电极为板状，所述第一电极为像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接，所述第二电极为公共电极；或者，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接。优选的是，所述像素电极的透过率范围为30-90%，当所述像素电极采用铝、铜、钥、铝钕合金、铬、钛或银形成时，厚度范围为10-100 A ;当所述像素电极采用一维金属/介质光子晶体形成时，厚度范围为100-1 000 A；所述公共电极的透过率范围为30-90%，当所述公共电极采用铝、铜、钥、铝钕合金、铬、钛或银形成时，厚度范围为10-100 A;当所述公共电极采用一维金属/介质光子晶体形成时，厚度范围为100-1000 A。一种优选方案是，所述驱动电极包括第一电极，处于相对上层的所述栅极或所述源极/所述漏极、与所述第一电极采用相同的材料形成，且所述第一电极的厚度小于处于相对上层的所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。优选的是，处于相对上层的所述栅极或所述源极/所述漏极与所述第一电极为单层或多层复合膜层，采用铝、铜、钥、铝钕合金、铬、钛或银形成；或者，处于相对上层的所述栅极或所述源极/所述漏极与所述第一电极为具有一维金属/介质光子晶体结构的多层复合膜层，所述金属包括银，所述介质包括硫化锌、氧化铟锡。优选的是，所述第一电极为像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接，所述像素电极的透过率范围为30-90%，当所述像素电极采用铝、铜、钥、铝钕合金、铬、钛或银形成时，厚度范围为10-100 A ;当所述像素电极采用一维金属/介质光子晶体形成时，厚度范围为loo-1ooo A0一种显示装置，包括上述的阵列基板。一种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成薄膜晶体管和驱动电极的步骤，所述薄膜晶体管包括栅极以及设置在同一层的源极/漏极，其中，所述栅极或所述源极/所述漏极与所述驱动电极采用相同的材料、通过同一构图工艺形成，且所述驱动电极的厚度小于所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。优选的是，所述栅极或所述源极/所述漏极与所述驱本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括基板以及设置于所述基板上的薄膜晶体管和驱动电极，所述薄膜晶体管包括栅极以及设置在同一层的源极/漏极，其特征在于，所述栅极或所述源极/所述漏极与所述驱动电极采用相同的材料形成，且所述驱动电极的厚度小于所述栅极或所述源极/所述漏极的厚度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张锋，姚琪，刘志勇，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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