薄膜晶体管基板及其制作方法以及显示器技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管基板，其包括：一基板；多个薄膜晶体管设置于该基板上，其中，各薄膜晶体管包含：一遮光层，位于基板上；一有源层，位于遮光层上；一栅绝缘层，位于基板上并覆盖有源层；一栅极，位于栅绝缘层上，并位于有源层上方；一源极，位于基板上并电连接有源层；以及一漏极，位于基板上并电连接有源层。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种薄膜晶体管基板，其包括：一基板；多个薄膜晶体管设置于该基板上，其中，各薄膜晶体管包含：一遮光层，位于基板上；一有源层，位于遮光层上；一栅绝缘层，位于基板上并覆盖有源层；一栅极，位于栅绝缘层上，并位于有源层上方；一源极，位于基板上并电连接有源层；以及一漏极，位于基板上并电连接有源层。【专利说明】薄膜晶体管基板及其制作方法以及显示器
本专利技术涉及薄膜晶体管，且特别是涉及具有遮光层的薄膜晶体管基板及其制作方法以及显示器。
技术介绍
随着显示科技的日益进步，人们借着显示器的辅助可使生活更加便利，为求显示器轻、薄的特性，促使平面显示器(flat panel display，FPD)成为目前的主流。在诸多平面显示器中，液晶显示器(liquid crystal display, IXD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性，因此，液晶显示器深受消费者欢迎。液晶显示器主要是由有源阵列基板、彩色滤光基板与位于两基板之间的液晶层所构成。有源阵列基板具有有源区以及周边电路区。有源阵列位于有源区内，而具有多个薄膜晶体管的驱动电路则位于周边电路区内。目前，液晶显示器多半是采用背光模块作为显示画面时的光源，然而，当背光模块产生的光线照射到薄膜晶体管的有源层时，易使有源层产生光电流，以致于影响薄膜晶体管的电性。当液晶显示器使用顶栅极的薄膜晶体管时，由于顶栅极的薄膜晶体管的有源层是直接暴露在背光模块所发出的光线下，因此，光线会影响薄膜晶体管的电性。当液晶显示器使用底栅极的薄膜晶体管时，底栅极虽可阻挡光线，但是底栅极薄膜晶体管的有源层容易受到后续制作工艺(如形成源极、漏极、以及覆盖源极与漏极的保护层的制作工艺)的伤害，以致于影响电性。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术一实施例提供一种薄膜晶体管基板，包括:一基板；多个薄膜晶体管设置于基板上，其中，各薄膜晶体管包含:一遮光层，位于基板上；一有源层，位于遮光层上；一栅绝缘层，位于基板上并覆盖有源层；一栅极，位于栅绝缘层上，并位于有源层上方；一源极，位于基板上并电连接有源层；以及一漏极，位于基板上并电连接有源层。本专利技术一实施例提供一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括:提供一基板；于基板上形成一遮光层；于遮光层上形成一有源层；于基板上形成一覆盖有源层的栅绝缘层；于栅绝缘层上形成一栅极，栅极位于有源层上方；以及于基板上形成电连接有源层的一源极与一漏极。本专利技术一实施例提供一种显示器，包括:一如前述实施例所述的薄膜晶体管基板；一基板，与薄膜晶体管基板相对设置；以及一显示介质，形成于薄膜晶体管基板与基板之间。【专利附图】【附图说明】图1A至图1C为本专利技术一实施例的薄膜晶体管基板的制作工艺剖视图；图2A至图2E为本专利技术一实施例的薄膜晶体管基板的制作工艺剖视图；图3为本专利技术另一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图；图4A至图4D为本专利技术一实施例的薄膜晶体管基板的制作工艺上视图；图5A至图为图4A至图4D的沿1_1’线段的剖视图；图6为本专利技术一实施例的显示器的剖视图。主要元件符号说明110~基板；120~遮光层；120a~遮光材料层；120b、130b~边缘；130~有源层； 130a~有源材料层；132、R~外围部分；134~第一部分；136~第二部分；140-栅绝缘层；150~栅极；152 ~第一开口；154 ~第二开口；160"绝缘保护层；170~源极；180~漏极；300、610~薄膜晶体管基板；310~扩散阻障层；600~显示器；620"基板；630"显示介质；640"背光模块；Α1不透光区；Α2"半透光区；A3~全透光区；0-中心部分；D~距离；半调式光掩模；光致抗蚀剂层；Pf光致抗蚀剂材料层；Τ1、Τ2~厚度；Υ1 第一通孔；V2~第二通孔；W1、W2、W3、W4 ~最大宽度。【具体实施方式】以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。在附图中，实施例的形状或是厚度可能扩大，以简化或是突显其特征。再者，图中未绘示或描述的元件，可为所属
中具有通常知识者所知的任意形式。图1A至图1C绘示本专利技术一实施例的薄膜晶体管基板的制作工艺剖视图。首先，请参照图1A,提供一基板110,例如一玻璃基板。接着,于基板110上形成一遮光材料层120a。在一实施例中，遮光材料层120a的材质包括金属材料、或是不透明的高分子材料，其中金属材料例如为铬、铝、铜、或钛，不透明的高分子材料例如为掺杂有颜料的树脂(resin)。然后，于遮光材料层120a上形成一有源材料层130a。有源材料层130a的材质例如为铟镓锌氧化物(IGZO, indium - gallium - zinc - oxide)、或是其他适于作为有源层的半导体材料。之后，于有源材料层130a上形成图案化的一光致抗蚀剂层P。然后，请参照图1B，以光致抗蚀剂层P为蚀刻掩模，对有源材料层130a与遮光材料层120a进行一蚀刻制作工艺，以形成有源层130与遮光层120。详细而言，在本实施例中，前述蚀刻制作工艺包括以例如草酸为蚀刻液对有源材料层130a进行湿式蚀刻，并且对遮光材料层120a进行干式蚀刻或湿式蚀刻(例如以铝酸为蚀刻液)。之后，移除光致抗蚀剂层P。值得注意的是，本实施例在基板110与有源层130之间设置遮光层120，以通过遮光层120阻挡来自于下方的光线(例如显示器的背光模块所发出的光线)，进而使有源层130的电性的稳定性提升。由于在蚀刻制作工艺中，有源材料层130a的被蚀刻程度大于遮光材料层120a的被蚀刻程度，因此，有源层130的边缘130b相对于遮光层120的边缘120b向内退缩，故遮光层120可更加有效地阻挡来自于下方的光线。在本实施例中，有源层130的最大宽度Wl小于遮光层120的最大宽度W2。在一实施例中，有源层130的最大宽度Wl小于遮光层120的最大宽度W2约?μm-6μπm。在一实施例中，有源层130的(部分或全部)边缘130b相对于遮光层120的(部分或全部)边缘120b向内退缩约0.5微米至3微米之间。接着，请参照图1C，在基板110上形成一覆盖有源层130的栅绝缘层140。栅绝缘层140的材质包括有机材料、或氧化物，其中有机材料例如为聚四氟乙烯(PFA，Polytetrafluoroethylene)、娃基(silica based)材料、或是压克力基(acrylic based)材料，氧化物包括氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛、或硅铝氧化物。然后，于栅绝缘层140上形成一栅极150，栅极150位于有源层130上方。栅极150的材质可包括铝(Al)与钥(Mo)、铜、或是其他适合的导电材料。之后，可选择性地在栅绝缘层140上形成一覆盖栅极150的绝缘保护层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：基板；多个薄膜晶体管，设置于该基板上，其中，各该薄膜晶体管包含：遮光层，位于该基板上；有源层，位于该遮光层上；栅绝缘层，位于该基板上并覆盖该有源层；栅极，位于该栅绝缘层上，并位于该有源层上方；源极，位于该基板上并电连接该有源层；以及漏极，位于该基板上并电连接该有源层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李冠锋，
申请(专利权)人：群康科技深圳有限公司，奇美电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：