薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，所述制备方法包括：在基板上同时形成开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管的有源区；在有源区上形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层及栅极，以及驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；形成驱动薄膜晶体管的栅极；驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度大于开关薄膜晶体管栅极绝缘层的厚度，使得驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅，由于驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅较大，可以更好的控制灰阶的显示，同时由于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅较小，保证开关薄膜晶体管的开关性能，最终提升显示器件的品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平面显示
，具体涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光显示器(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)相比现在的主流显示技术薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)，具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积更轻薄等优点，是目前平板显示技术关注的焦点。有机发光显示器的驱动方法分为被动矩阵式(PM，PassiveMatrix)和主动矩阵式(AM，ActiveMatrix)两种。而相比被动矩阵式驱动，主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。目前，主动矩阵式有机发光显示器(AMOLED)主要使用低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS-TFT)驱动OLED发光。如图1所示，一般而言主动矩阵式有机发光显示器包括：开关薄膜晶体管2、驱动薄膜晶体管1和有机发光器件(OLED)3。开关薄膜晶体管2的栅极连接扫描线4，其漏极(或源极)连接数据线5，其源极(或漏极)连接驱动薄膜晶体管1的栅极。驱动薄膜晶体管1的源极(或漏极)连接电源线6，其漏极(或源极)连接OLED的阳极，OLED的阴极接地。在驱动薄膜晶体管1的源极(或漏极)与栅极之间连接有存储电容7。通常要求开关薄膜晶体管2具有低的亚阈值摆幅(sub-thresholdswing，S.S)，>使得电流随电压变化更大，而要求驱动薄膜晶体管1具有较高的亚阈值摆幅，使得电流随电压变化更小，这样可以保证开关薄膜晶体管2的开关性能更好，有利于灰阶的控制。而薄膜晶体管的亚阈值摆幅取决于栅极电容大小，栅极电容大小取决于栅极绝缘层的厚度，因此驱动薄膜晶体管2的栅极绝缘层厚度应大于开关薄膜晶体管1的栅极绝缘层的厚度。但是，在现有工艺中，开关薄膜晶体管2和驱动薄膜晶体管1的制程相同，其栅极绝缘层的厚度也相同，导致两种薄膜晶体管的亚阈值摆幅的大小相等，因此不利于有效的开启和闭合开关薄膜晶体管及灰阶的控制。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，在保持开关薄膜晶体管亚阈值摆幅较小的前提下有效提高驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅，进而保证开关薄膜晶体管的开关能力，可以更好的控制灰阶的显示，提升显示器件的品质。为实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括：在基板上同时形成开关薄膜晶体管的有源区和驱动薄膜晶体管的有源区；在所述基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层和驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；在所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成开关薄膜晶体管的栅极；在所述驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的栅极。可选的，所述栅极绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合。可选的，在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的栅极之后，还包括：依次形成保护层、开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管的源极/漏极、有机平坦层、有机电致发光电极和像素定义层。本专利技术还提供一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括：在基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极和驱动薄膜晶体管的栅极；在所述基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层和驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；在所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成开关薄膜晶体管的有源区；在所述驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的有源区。可选的，所述栅极绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合。可选的，在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的有源区之后，还包括：依次形成保护层、开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管的源极/漏极、有机平坦层、有机电致发光电极和像素定义层。相应的，本专利技术还提供一种薄膜晶体管阵列基板，采用上述薄膜晶体管阵列基板的制备方法制备。优选的，所述开关薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管；所述驱动薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。相应的，本专利技术还提供一种显示面板，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。相应的，本专利技术还提供一种显示装置，包括上述的显示面板。与现有技术相比，本专利技术提供的薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，通过在形成开关薄膜晶体管的栅极图形之后，在驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层，使得驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度大于开关薄膜晶体管栅极绝缘层的厚度，进而使得驱动薄膜晶体管的栅极电容值小于开关薄膜晶体管的栅极电容值，进而使得驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅，由于驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅较大，可以更好的控制灰阶的显示，同时由于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅较小，保证开关薄膜晶体管的开关性能，最终提升显示器件的品质。附图说明图1为现有的主动矩阵式有机发光显示器(AMOLED)的基本原理图；图2为本专利技术实施例一所提供的薄膜晶体管阵列基板的制备方法的流程图；图3～7为本专利技术实施例一所提供的薄膜晶体管阵列基板的制备方法各步骤的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容做进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。其次，本专利技术利用示意图进行了详细的表述，在详述本专利技术实例时，为了便于说明，示意图不依照一般比例局部放大，不应对此作为本专利技术的限定。本专利技术的核心思想在于，通过在形成开关薄膜晶体管的栅极图形之后，在驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层，使得驱动薄膜晶体管的栅极绝缘层的厚度大于开关薄膜晶体管栅极绝缘层的厚度，进而使得驱动薄膜晶体管的栅极电容值小于开关薄膜晶体管的栅极电容值，进而使得驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅，由于驱动薄膜晶体管的亚阈值摆幅较大，可以更好的控制灰阶的显示，同时由于开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅较小，保证开关薄膜晶体管的开关性能，最终提升显示器件的品质。【实施例一】图2为本专利技术实施例一所提供的薄膜晶体管阵列基板的制备方法的流程图，如图2所示，本专利技术提出一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，包括以下步骤：步骤S01：在基板上同时形成开关薄膜晶体管的有源区和驱动薄膜晶体管的有源区；<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在基板上同时形成开关薄膜晶体管的有源区和驱动薄膜晶体管的有源区；在所述基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层和驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层；在所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成开关薄膜晶体管的栅极；在所述驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的栅极。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上同时形成开关薄膜晶体管的有源区和驱动薄膜晶体管的有源区；
在所述基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层和驱动薄膜晶体管的
第一栅极绝缘层；
在所述开关薄膜晶体管的栅极绝缘层上形成开关薄膜晶体管的栅极；
在所述驱动薄膜晶体管的第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；
在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的栅极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述栅极绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层之一或其组合。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，
在所述第二栅极绝缘层上形成驱动薄膜晶体管的栅极之后，还包括：依次形成
保护层、开关薄膜晶体管与驱动薄膜晶体管的源极/漏极、有机平坦层、有机电
致发光电极和像素定义层。
4.一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极和驱动薄膜晶体管的栅极；
在所述基板上同时形成开关薄膜晶体管的栅极绝缘层和驱动薄膜晶体管的
第一栅极绝缘层；
在所述开...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘青刚，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32