薄膜晶体管基板的制造方法及其应用技术

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管基板的制造方法及其应用，薄膜晶体管基板即使在以剥离液组合物进行处理之后硬化膜(有机膜)的体积电阻率依旧高。本发明专利技术的薄膜晶体管基板的制造方法依序包括至少步骤1～步骤6：步骤1：使用特定的硬化性组合物在薄膜晶体管基板上的至少一部分形成有机膜的步骤；步骤2：在有机膜上的至少一部分形成无机膜的步骤；步骤3：在无机膜上形成抗蚀剂层的步骤；步骤4：对抗蚀剂层进行曝光且显影的步骤；步骤5：经由经显影的抗蚀剂层对无机膜进行蚀刻的步骤；步骤6：使用特定的剥离液组合物将抗蚀剂层剥离除去的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种薄膜晶体管基板(以下也称为“TFT(ThinFilmTransistor)基板”)的制造方法，以及包含所述制造方法的液晶显示装置及有机电致发光(Electroluminescence，EL)显示装置的各种显示装置。
技术介绍
在有机EL显示装置或液晶显示装置等中，在具备TFT(薄膜晶体管)元件的基板上设置有经图案形成的层间绝缘膜。在所述层间绝缘膜的形成中，从用以获得所必需的图案形状的步骤数少、且可获得充分的平坦性的方面来看，广泛使用感光性树脂组合物。所述显示装置中的层间绝缘膜理想的是除了绝缘性、耐热性、硬度、及氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)图案适性优异等硬化膜的物性以外，透明性也高。因此，尝试将透明性优异的丙烯酸系树脂用作膜形成成分。作为所述层间绝缘膜中所用的感光性树脂组合物，例如已知有专利文献1～专利文献2中记载的。在专利文献1中记载有一种正型感光性树脂组合物，其含有：(A)满足下述(1)及(2)的至少一个的聚合物成分，(1)(A1)包含具有酸基经酸分解性基保护而成的基团的构成单元(a1)、具有-NH-CH2-O-R(R为碳数1～20的烷基)所表示的部分结构的构成单元(a2)、及所述(a2)以外的具有交联基的构成单元(a3)的共聚物；(2)(A2)包含具有酸基经酸分解性基保护而成的基团的构成单元(a1)、及具有-NH-CH2-O-R(R为碳数1～20的烷基)所表示的部分结构的构成单元(a2)的共聚物，以及(C)包含所述(a2)以外的具有交联基(c2)的构成单元的聚合物、(B)光酸产生剂、及(D)溶剂。在专利文献2中记载有一种感放射线性树脂组合物，其含有：[A]使(A1)选自由不饱和羧酸及不饱和羧酸酐所组成的群组中的至少一种、与(A2)含环氧基的不饱和化合物共聚而成的碱可溶性树脂、[B]醌二叠氮化合物、以及[C]选自由下述式(1)所表示的化合物、下述式(2)所表示的化合物、三级胺化合物、胺盐、鏻盐、脒盐、酰胺化合物、酮亚胺化合物、封端异氰酸酯化合物、含咪唑环的化合物及包接化合物所组成的群组中的至少一种硬化剂。在层间绝缘膜的形成步骤的后续步骤中，形成经图案化的氧化铟锡(ITO)膜或氮化硅(SiNx)膜等无机膜层。在所述后续步骤中，一般是经过以下步骤来制造TFT基板：(1)在层间绝缘膜的上层，利用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)法、溅镀法等全面形成所述无机膜层的步骤；(2)在所述无机膜层上，使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂层并进行曝光、显影，由此形成经图案化的蚀刻抗蚀剂层的步骤；(3)经由所述蚀刻抗蚀剂层，利用湿式蚀刻或干式蚀刻对所述无机膜进行蚀刻的步骤；以及(4)使用胺系的剥离液组合物将所述蚀刻抗蚀剂层剥离除去的步骤。作为层间绝缘膜的形成步骤的后续步骤中使用的抗蚀剂的剥离液组合物，例如大多使用单乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、N-甲基吡咯烷酮等胺类，或在这些胺类中添加二甲基亚砜、水等而组成的剥离液组合物。例如，在专利文献3中记载有一种抗蚀剂用剥离液组合物，其包含：(a)2重量％～30重量％的羟基胺类；(b)2重量％～35重量％的水；(c)2重量％～20重量％的、25℃的水溶液中的酸解离常数(pKa)为7.5～13的胺类(其中，将N，N-二乙基羟基胺除外)；(d)35重量％～80重量％的水溶性有机溶媒；及(e)2重量％～20重量％的防蚀剂。另一方面，作为不含胺的剥离液组合物，例如已知有专利文献4中记载的。所述剥离液组合物不含有胺，故对Cu等的金属配线的腐蚀性小，另外，为中性，故使用时的危险性低，且容易过滤而易于进行再利用，对环境的负荷小，因此近年来备受瞩目。在专利文献4中，关于对层间绝缘膜用的硬化性组合物进行处理的情况下的影响并未加以记载。在专利文献4中记载有一种光致抗蚀剂(photoresist)除去用处理液，其特征在于含有：(a)氧化剂；(b)选自碳酸亚烷酯及其衍生物中的至少一种；以及(c)水。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2013-210607号公报[专利文献2]日本专利特开2012-88459号公报[专利文献3]日本专利第2911792号公报[专利文献4]日本专利特开2006-106616号公报
技术实现思路
[专利技术所欲解决的课题]关于所述专利文献1或专利文献2中记载的硬化性组合物，以剥离液组合物进行处理之前的硬化膜的体积电阻率虽高，但在应用于层间绝缘膜形成步骤的后续步骤中并以专利文献3中记载的包含胺的以往的剥离液组合物进行处理的情况下，硬化膜的体积电阻率降低成为大的问题。本专利技术所欲解决的课题为提供一种即使在以剥离液组合物进行处理之后硬化膜(有机膜)的体积电阻率依旧高的TFT基板的制造方法。进而，本专利技术的目的在于提供一种使用这种TFT基板的制造方法的有机EL显示装置及液晶显示装置的制造方法，以及有机EL显示装置、及液晶显示装置。[解决课题的技术手段]本专利技术的所述课题是通过以下的<1>、<10>～<13>中记载的手段来解决。以下一并记载作为优选实施方式的<2>～<9>。<1>一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于依序包括至少下述步骤1～步骤6：步骤1：使用下述组成a或组成b所表示的硬化性组合物，在具备薄膜晶体管元件的基板上的至少一部分形成有机膜的步骤；步骤2：在所述有机膜上的至少一部分形成无机膜的步骤；步骤3：在所述无机膜上使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂层的步骤；步骤4：对所述抗蚀剂层进行曝光且利用水性显影液进行显影的步骤；步骤5：经由经显影的所述抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤；步骤6：使用剥离液组合物将所述抗蚀剂层剥离除去的步骤，所述剥离液组合物含有具有3元环～6元环的环状碳酸酯化合物和/或具有3元环～6元环的内酯化合物；组成a为含有下述成分A～C且满足下述1～3的至少一个的硬化性组合物，硬化性组合物的每1g有机固体成分的、成分A和/或成分D中所含的交联性基量的合计量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下：作为成分A的含有聚合物的聚合物成分，所述聚合物包含具有酸基经酸分解性基保护而成的基团的构成单元a1；作为成分B的光酸产生剂；作为成分C的有机溶剂；1：所述聚合物还包含具有交联性基的构成单元a2；2：成分A还含有包含构成单元a2的聚合物，所述构成单元a2具有交联性基；3：硬化性组合物还含有作为成分D的分子量1,000以下的交联剂；组成b为含有下述成分A′、B′、C以及D的硬化性组合物，硬化性组合物的每1g有机固体成分的、成分A′和/或成分D中所含的交联性基量的合计量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下：作为成分A′的包含具有酸基的构成单元a1′的聚合物成分；作为成分B′的醌二叠氮化合物；作为成分C的有机溶剂；作为成分D的任意的分子量1,000以下的交联剂。<2>根据<1>所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其中，所述具有3元环～6元环的环状碳酸酯化合物和/或具有3元环～6元环的内酯化合物为碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、或碳酸亚乙酯与碳酸亚丙酯的混合物的任一个，<3>根据本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于依序包括至少下述步骤1～步骤6：步骤1：使用下述组成a或组成b所表示的硬化性组合物，在具备薄膜晶体管元件的基板上的至少一部分形成有机膜的步骤；步骤2：在所述有机膜上的至少一部分形成无机膜的步骤；步骤3：在所述无机膜上使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂层的步骤；步骤4：对所述抗蚀剂层进行曝光且利用水性显影液进行显影的步骤；步骤5：经由经显影的所述抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤；步骤6：使用剥离液组合物将所述抗蚀剂层剥离除去的步骤，所述剥离液组合物含有具有3元环～6元环的环状碳酸酯化合物和/或具有3元环～6元环的内酯化合物；组成a为含有下述成分A～C且满足下述1～3的至少一个的硬化性组合物，硬化性组合物的每1g有机固体成分的、成分A和/或成分D中所含的交联性基量的合计量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下：作为成分A的含有聚合物的聚合物成分，所述聚合物包含具有酸基经酸分解性基保护而成的基团的构成单元a1；作为成分B的光酸产生剂；作为成分C的有机溶剂；1：所述聚合物还包含具有交联性基的构成单元a2；2：成分A还含有包含构成单元a2的聚合物，所述构成单元a2具有交联性基；3：硬化性组合物还含有作为成分D的分子量1,000以下的交联剂；组成b为含有下述成分A′、B′、C以及D的硬化性组合物，硬化性组合物的每1g有机固体成分的、成分A′和/或成分D中所含的交联性基量的合计量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下：作为成分A′的含有聚合物的聚合物成分，所述聚合物包含具有酸基的构成单元a1′；作为成分B′的醌二叠氮化合物；作为成分C的有机溶剂；作为成分D的任意的分子量1,000以下的交联剂。...

【技术特征摘要】
2015.02.17 JP 2015-0284421.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于依序包括至少下述步骤1～步骤6：步骤1：使用下述组成a或组成b所表示的硬化性组合物，在具备薄膜晶体管元件的基板上的至少一部分形成有机膜的步骤；步骤2：在所述有机膜上的至少一部分形成无机膜的步骤；步骤3：在所述无机膜上使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂层的步骤；步骤4：对所述抗蚀剂层进行曝光且利用水性显影液进行显影的步骤；步骤5：经由经显影的所述抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤；步骤6：使用剥离液组合物将所述抗蚀剂层剥离除去的步骤，所述剥离液组合物含有具有3元环～6元环的环状碳酸酯化合物和/或具有3元环～6元环的内酯化合物；组成a为含有下述成分A～C且满足下述1～3的至少一个的硬化性组合物，硬化性组合物的每1g有机固体成分的、成分A和/或成分D中所含的交联性基量的合计量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下：作为成分A的含有聚合物的聚合物成分，所述聚合物包含具有酸基经酸分解性基保护而成的基团的构成单元a1；作为成分B的光酸产生剂；作为成分C的有机溶剂；1：所述聚合物还包含具有交联性基的构成单元a2；2：成分A还含有包含构成单元a2的聚合物，所述构成单元a2具有交联性基；3：硬化性组合物还含有作为成分D的分子量1,000以下的交联剂；组成b为含有下述成分A′、B′、C以及D的硬化性组合物，硬化性组合物的每1g有机固体成分的、成分A′和/或成分D中所含的交联性基量的合计量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下：作为成分A′的含有聚合物的聚合物成分，所述聚合物包含具有酸基的构成单元a1′；作为成分B′的醌二叠氮化合物；作为成分C的有机溶剂；作为成分D的任意的分子量1,000以下的交联剂。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，所述具有3元环～6元环的环状碳酸酯化合物和/或具有3元环～6元环的内酯化合物为碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、或碳酸亚乙酯与碳酸亚丙酯的混合物的任一个。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，所述剥离液组合物还包含选自由下述式...

【专利技术属性】
技术研发人员：霜山达也，山﨑健太，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP