阵列基板及该阵列基板的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板，其包括：基板；薄膜晶体管，设置于所述基板之上；像素电极，设置于所述基板之上且与所述薄膜晶体管的漏极接触；公共电极，设置于所述像素电极之上且与所述像素电极电绝缘，所述公共电极中具有多个第一通孔。本发明专利技术还公开了一种该阵列基板的制作方法。本发明专利技术的阵列基板及其制作方法，能够降低公共电极和像素电极之间的寄生电容，并且能够加速聚集离子的释放。此外，本发明专利技术通过形成立体电极结构，有效增强横向电场，从而可以降低驱动电压，提高显示穿透率，降低能耗。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及该阵列基板的制作方法
本专利技术属于显示
，具体地讲，涉及一种阵列基板及该阵列基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的快速发展，液晶显示技术已经成为了目前应用最广泛的显示技术。此外，人们对显示技术的要求越来越高，例如对大视角、高穿透率和高信赖性等提出了更高的要求。目前，常用的液晶显示器有TN(TwistNematic，扭转向列型)模式、VA(VerticalAlignment，垂直对齐)模式，IPS(In-planeswitching，平面方向转换)模式和FFS(FringeFieldSwitching，边缘场开关)模式等。其中，FFS模式因具有广视角、高穿透率且为硬屏技术而备受关注。然而，FFS模式仍然有一些不足，其中最重要的是IS(imagesticking，影像残留)现象，即长时间显示同一画面后切换到下一画面时依旧可见前一画面残影的现象。IS现象产生的根源有很多，其中最主要的原因是由于长时间驱动导致的离子聚集无法及时释放和寄生电容过大而导致公共电压(Vcom)的对称性变差。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种能够使聚集的离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，设置于所述基板之上；像素电极，设置于所述基板之上且与所述薄膜晶体管的漏极接触；公共电极，设置于所述像素电极之上且与所述像素电极电绝缘，所述公共电极中具有多个第一通孔。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管，设置于所述基板之上；像素电极，设置于所述基板之上且与所述薄膜晶体管的漏极接触；公共电极，设置于所述像素电极之上且与所述像素电极电绝缘，所述公共电极中具有多个第一通孔。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层设置于所述薄膜晶体管之上和所述像素电极之下，在所述像素电极之下的所述钝化层具有多个凸起，所述像素电极中具有多个第二通孔，所述凸起穿过对应的所述第二通孔。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极设置于所述凸起之上，所述第一通孔对应于相邻的两个凸起之间。4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极，设置在所述基板上；栅极绝缘层，设置在所述基板和所述栅极上；有源层，设置在所述栅极绝缘层上；第一N型导电层和第二N型导电层，彼此间隔设置在所述有源层上；源极和漏极，分别设置在第一N型导电层和所述第二N型导电层上，所述源极和所述漏极与所述有源层接触，并且所述源极和所述漏极分别延伸至所述栅极绝缘层上；其中，所述像素电极位于在所述基板上的所述栅极绝缘层上，在所述基板上的钝化层位于所述像素电极和在所述基板上的所述栅极绝缘层之间。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层设置于所述薄膜晶体管和所述像素电极之上，在所述像素电极之上的所述钝化层具有多个凸起，所述公共电极设置于所述凸起之上，所述第一通孔对应于相邻的两个凸起之间。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：栅极，设置在所述基板上；栅极绝缘层，设置在所述基板和所述栅极上；有源层，设置在所述栅极绝缘层上；第一N型导电层和第二N型导电层，彼此间隔设置在所述有源层上；源极和漏极，分别设置在第一N型导电层和所述第二N型导电层上，所述源极和所述漏极与所述有源层接触，并且所述源极和所述漏极分别延伸至所述栅极绝缘层上；其中，在所述基板上的像素电极位于在所述基板上的所述栅极绝缘层上。7.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板上制...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兴武，陈黎暄，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44