石墨烯电极制备方法及液晶显示面板技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯电极制备方法，在本发明专利技术的制备方法中，将作为目标衬底的基板覆盖于所述石墨烯层上后，通过激光照射所述基板制备电极的所需图案区，以通过激光将石墨烯转移至所述基板上，由于仅在所述电极所需图案区才会转移有石墨烯，因此，转移到基板上的石墨烯直接形成了图案化的石墨烯电极。显然，本发明专利技术的石墨烯电极制备方法，可简化制备过程，并降低石墨烯电极的图案化的难度，降低加工成本。本发明专利技术还公开了一种液晶显示面板，其包括由上述方法制备形成的石墨烯电极。

【技术实现步骤摘要】
石墨烯电极制备方法及液晶显示面板
本专利技术涉及石墨烯电极领域，尤其涉及一种石墨烯电极制备方法及一种液晶显示面板。
技术介绍
石墨烯(Graphene)是从石墨材料中剥离出来、并且由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体。石墨烯目前是自然界最薄、强度最高的材料，其具有极高导热系数，而优异的导热性能使得石墨烯有望作为未来超大规模纳米集成电路的散热材料。此外，石墨烯的稳定的晶格结构使其具有优秀的导电性。正是由于石墨烯具有优异的性能表现，使其在工业中得到了广泛的应用，例如，应用于显示装置中，作为石墨烯电极使用等。目前，制备石墨烯电极主要是：利用转移法，具体为：将石墨烯转移到所需基底上，再利用微加工对石墨烯刻蚀，从而形成预设图案；或者，预先制备具有图案化的金属材料，利用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)法在金属图案上形成石墨烯，进而转移到所需基底。虽然以上现有方法可制备出特定图案的石墨烯电极，但其制备过程复杂，石墨烯的质量较低，而且上述方法使得石墨烯电极图案化难度较大，成本较高。因此，需要开发一种新的石墨烯电极制备方法，使其在电子器件等领域的应用更加广泛。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种石墨烯电极制备方法，其可简化制备过程，并降低石墨烯电极的图案化的难度，从而进一步降低加工成本。第一方面，本专利技术实施例提供了一种石墨烯电极制备方法，包括以下步骤：提供一支撑板，并在所述支撑板上形成石墨烯层；提供一基板，并将所述基板覆盖于所述石墨烯层上；在所述基板上对应石墨烯电极预设图案处进行激光照射，使正对激光照射处的石墨烯吸附于所述基板上；冷却所述基板，使所述基板被激光照射部分与吸附的所述石墨烯相粘连；及将所述支撑板与所述基板相互分离，粘连于所述基板上的石墨烯随所述基板一起分离，从而于所述基板上形成图案化的石墨烯电极。其中，所述基板为PET或者PI材料制备的柔性基板。其中，所述提供一支撑板，并在所述支撑板上形成石墨烯层的步骤后还包括：将承载有石墨烯层的所述支撑板处于50℃-80℃条件下进行烘烤。其中，所述激光为二氧化碳激光、半导体激光或者光纤激光。其中，所述在所述基板上对应石墨烯电极预设图案处进行激光照射的步骤，包括：在所述基板上，通过一激光束沿所述石墨烯层所需图案区移动；或者通过一平面状的激光源，配合一图案化的光罩对所述基板进行激光照射，使透过所述光罩的激光照射至所述基板上正对所述石墨烯层所需图案区。其中，所述在所述基板上对应所述石墨烯层所需图案区进行激光照射，使所述石墨烯层所需图案区吸附于所述基板上的步骤，包括：所述石墨烯层所需图案区的石墨烯捕捉所述激光的能量而产生热量，所产生的热量将所述激光照射区域内的基板融化，以通过融化的所述基板于融化处吸附相接触的石墨烯。其中，所述冷却所述基板，使所述基板被激光照射部分与吸附的所述石墨烯相粘连的步骤，包括：所述基板融化的部分因冷却而凝固，从而将吸附于所述基板融化部分的石墨烯粘连在所述基板上。其中，所述石墨烯层由石墨烯和/或氧化石墨烯作为原料，通过喷涂、涂旋或者化学气相沉积工艺形成。其中，当所述石墨烯层中含有氧化石墨烯时，所述石墨烯层所需图案区经过激光照射后，其中的氧化石墨烯被还原成还原性氧化石墨烯，并吸附且粘连于所述基板上。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种液晶显示面板，其包括石墨烯电极，并且所述石墨烯电极通过上述的方法制备而成。本专利技术实施例中提供的石墨烯电极制备方法及液晶显示面板，无需通过刻蚀的方式实现石墨烯电极的图案化，也无需借助图案化的金属材料配合CVD工艺来实现石墨烯的图案化。本专利技术的制备方法中直接采用激光照射石墨烯电极的预设图案区域，使该预设图案区域的石墨烯和/或还原性氧化石墨烯吸附并粘连于基板上，从而可与未被激光照射的石墨烯分离，进而于所述基板上形成图案化的石墨烯电极，不仅简化了制备过程，还降低了石墨烯电极的图案化的难度，因此大大降低加工成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的石墨烯电极制备方法的流程图。图2(a)-2(e)为通过图1所示制备方法来制备石墨烯电极时各步骤的加工示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施方式中的附图，对本专利技术实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式是本专利技术的一部分实施方式，而不是全部实施方式。在本专利技术中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施方式，都应属在本专利技术保护的范围。此外，以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本专利技术，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。若本说明书中出现“工序”的用语，其不仅是指独立的工序，在与其他工序无法明确区别时，只要能实现所述工序所预期的作用则也包括在本用语中。另外，本说明书中用“-”表示的数值范围是指将“-”前后记载的数值分别作为最小值及最大值包括在内的范围。在附图中，结构相似或相同的单元用相同的标号表示。本专利技术实施例提供了一种石墨烯电极制备方法，其可简化制备过程，并降低石墨烯电极的图案化的难度，降低加工成本。以下分别进行详细说明。请参阅图1，图1为本专利技术实施例提供的石墨烯电极制备方法的流程图，请一并参阅图2(a)至2(e)，图2(a)-2(e)为通过图1所示制备方法来制备石墨烯电极时各步骤的加工示意图。其中，图2(a)至2(e)分别对应图1所示石墨烯电极制备方法的各个步骤。在本专利技术实施例中，所述石墨烯电极制备方法至少包括以下步骤。步骤1、提供一支撑板，并在所述支撑板上形成石墨烯层。在本专利技术一实施例中，所述支撑板的类型不限，可以是玻璃、塑料或者其他材质的支撑板。所述石墨烯层可以由石墨烯和/或氧化石墨烯形成，在本专利技术的实施例中，无论是由所述石墨烯和氧化石墨烯中的任意一种，或者是两者共同形成的膜层，下文均统称为石墨烯层。在本专利技术一实施方式中，可以将所述石墨烯和/或者氧化石墨烯分散到酒精或者其他类似溶液中后，采用喷涂或者涂旋的工艺在所述支撑板上形成所述石墨烯层。在本专利技术另一实施方式中，也可以通过化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，CVD)工艺在所述支撑板上形成所述石墨烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一支撑板，并在所述支撑板上形成石墨烯层；提供一基板，并将所述基板覆盖于所述石墨烯层上；在所述基板上对应所述石墨烯层所需图案区进行激光照射，使所述石墨烯层所需图案区吸附于所述基板上；冷却所述基板，使所述基板被激光照射部分与吸附的所述石墨烯相粘连；及将所述支撑板与所述基板相互分离，粘连于所述基板上的石墨烯随所述基板一起分离，从而于所述基板上形成图案化的石墨烯电极。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一支撑板，并在所述支撑板上形成石墨烯层；提供一基板，并将所述基板覆盖于所述石墨烯层上；在所述基板上对应所述石墨烯层所需图案区进行激光照射，使所述石墨烯层所需图案区吸附于所述基板上；冷却所述基板，使所述基板被激光照射部分与吸附的所述石墨烯相粘连；及将所述支撑板与所述基板相互分离，粘连于所述基板上的石墨烯随所述基板一起分离，从而于所述基板上形成图案化的石墨烯电极。2.如权利要求1所述的石墨烯电极制备方法，其特征在于，所述基板为PET或者PI材料制备的柔性基板。3.如权利要求1所述的石墨烯电极制备方法，其特征在于，所述提供一支撑板，并在所述支撑板上形成石墨烯层的步骤后还包括：将承载有石墨烯层的所述支撑板处于50℃-80℃条件下进行烘烤。4.如权利要求1所述的石墨烯电极制备方法，其特征在于，所述激光为二氧化碳激光、半导体激光或者光纤激光。5.如权利要求1所述的石墨烯电极制备方法，其特征在于，所述在所述基板上对应石墨烯电极预设图案处进行激光照射的步骤，包括：在所述基板上，通过一激光束沿所述石墨烯层所需图案区移动；或者通过一平面状的激光源，配合一图案化的光罩对所述基板进行激光照射，使透过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海军，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44