显示基板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种显示基板，包括：衬底基板，衬底基板的上方且位于非像素区域内形成有薄膜晶体管，薄膜晶体管的上方形成有钝化层，钝化层的上方且位于彩色像素区域内形成有彩色色阻，钝化层和彩色色阻的上方形成有平坦化层，彩色像素区域中的平坦化层的厚度小于非像素区域中的平坦化层的厚度，平坦化层的上方形成有显示电极，显示电极与薄膜晶体管中的漏极过孔连接。本实用新型专利技术的技术方案通过对位于彩色像素区域中的平坦化层进行减薄处理，以使得位于彩色色阻上方的平坦化层膜厚减小，从而能改善平坦化层的平坦性。此外，由于彩色色阻上方的平坦化层膜厚减小，可使得显示电极与漏极之间的高度差减小，从而可有效降低显示电极出现断裂的风险。

【技术实现步骤摘要】
显示基板
本技术涉及显示
，特别涉及一种显示基板。
技术介绍
COA(ColorFilterOnArray)是一种将彩色光阻(ColorFilter)直接制备在阵列基板上的技术，其优点是可以提高开口率、改善产品的对比度，且不存在彩膜基板与阵列基板的对位问题，也降低了液晶盒制成的难度。图1是现有的一种COA显示基板的结构示意图，如图1所示，包括：衬底基板1、形成为衬底基板1上方的薄膜晶体管2(ThinFilmTransistor，简称TFT)、覆盖薄膜晶体管2和衬底基板1的钝化层4、位于钝化层4上方的彩色色阻、覆盖所述彩色色阻12/13/14和所述钝化层4的平坦化层5、位于平坦化层5上方且对应像素区域10的显示电极7，显示电极7通过过孔与对应的薄膜晶体管2连接。由图1可见，由于在像素区域10内存在彩色色阻12/13/14，使得平坦化层5位于像素区域10的部分的高度明显高于位于非像素区域9的部分的高度，平坦化效果不佳，影响后序其他结构的制备；此外，在制备显示电极7时，由于位于彩色色阻12/13/14上方的平坦化层5膜厚很厚，使得显示电极7与漏极之间有较大的高度差H(高度差近似等于钝化层膜厚、彩色色阻膜厚、位于彩色色阻上方的平坦化层膜厚的三者之和与漏极膜厚的差)，当显示电极7通过过孔与漏极连接时，显示电极7位于过孔中的部分容易出现断裂，从而导致显示电极7与漏极连接不良。由此可见，如何改善平坦化层的平坦性以及避免显示电极与漏极连接不良，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板，以改善平坦化层的平坦性和避免显示电极断裂。为实现上述目的，本技术还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板划分有非像素区域和彩色像素区域，所述显示基板的制备方法包括：在衬底基板的上方且位于所述非像素区域内形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管的上方形成钝化层；在所述钝化层的上方且位于所述彩色像素区域内形成彩色色阻；在所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成平坦化层；减薄所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度，以使得所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度小于所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度；在所述平坦化层的上方形成显示电极，所述显示电极与所述漏极过孔连接。可选地，所述在所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成平坦化层的步骤与所述减薄所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度的步骤同步进行，形成平坦化层的步骤具体包括：在所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成平坦化材料薄膜，所述平坦化材料薄膜包括：全保留区域、部分保留区域和不保留区域，所述半保留区域与所述彩色像素区域对应，所述不保留区域与所述漏极所处区域对应；采用半色调掩膜版对所述平坦化材料薄膜进行掩膜、曝光处理；对曝光处理后的所述平坦化材料薄膜进行显影处理，剩余的平坦化材料构成所述平坦化层，所述不保留区域处形成有第一过孔，所述彩色像素区域中的所述平坦化材料部分保留以实现减薄。可选地，所述平坦化层上对应所述漏极的区域形成有第一过孔；所述在所述薄膜晶体管的上方形成钝化层的步骤具体包括：在所述薄膜晶体管的上方形成钝化材料薄膜；所述在所述平坦化层的上方形成显示电极的步骤具体包括：对所述钝化材料薄膜进行一次构图工艺，以在所述第一过孔的下方形成第二过孔，剩余的钝化材料构成所述钝化层；在所述平坦化层的上方以及所述第一过孔、所述第二过孔内形成透明导电材料薄膜；对所述透明导电材料薄膜进行一次构图工艺，以形成所述显示电极的图形，所述显示电极通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述漏极连接。可选地，所述平坦化层上对应所述漏极的区域形成有第一过孔；所述在所述薄膜晶体管的上方形成钝化层的步骤具体包括：在所述薄膜晶体管的上方形成钝化材料薄膜；对所述钝化材料薄膜进行一次构图工艺，以形成第二过孔，所述第二过孔与所述漏极对应设置且与后序形成的所述第一过孔连通，剩余的钝化材料构成所述钝化层；所述在所述平坦化层的上方形成显示电极的步骤具体包括：在所述平坦化层的上方以及所述第一过孔、所述第二过孔内形成透明导电材料薄膜；对所述透明导电材料薄膜进行一次构图工艺，以形成所述显示电极的图形，所述显示电极通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述漏极连接。可选地，所述显示基板为OLED基板，所述显示电极为阳极，所述显示基板的制备方法还包括：在所述平坦化层的上方形成像素界定层，所述像素界定层上形成有若干个容纳孔，所述容纳孔与所述显示电极对应设置；在所述容纳孔内形成有机发光层；在所述有机发光层的上方形成阴极；在所述阴极的上方设置保护基板。可选地，所述显示基板为液晶显示基板，所述显示电极为像素电极，所述显示基板的制备方法还包括：在所述像素电极的上方形成保护层；在所述保护层的上方形成取向层。可选地，所述显示基板还划分有白色像素区域。可选地，所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度与所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度的差为：2μm～3μm。可选地，所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度为3μm～3.5μm；所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度为0～1.5μm。为实现上述目的，本技术还提供了一种显示基板，所述显示基板划分有非像素区域和彩色像素区域，所述显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板的上方且位于所述非像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的上方形成有钝化层，所述钝化层的上方且位于所述彩色像素区域内形成有彩色色阻，所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成有平坦化层，所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度小于所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度，所述平坦化层的上方形成有显示电极，所述显示电极与所述薄膜晶体管中的漏极过孔连接。可选地，所述显示基板为OLED基板，所述显示电极为阳极；所述平坦化层的上方形成有像素界定层，所述像素界定层上形成有若干个容纳孔，所述容纳孔与所述显示电极对应设置，所述容纳孔内形成有机发光层，所述有机发光层的上方形成有阴极；所述阴极的上方设置有保护基板。可选地，所述显示基板为液晶显示基板，所述显示电极为像素电极，所述像素电极的上方形成有保护层，所述保护层的上方形成有取向层。可选地，所述显示基板还划分有白色像素区域。可选地，所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度与所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度的差为：2μm～3μm。可选地，所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度为3μm～3.5μm；所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度为0～1.5μm。本技术具有以下有益效果：本技术提供了一种显示基板，包括：在衬底基板的上方且位于非像素区域内形成薄膜晶体管；在薄膜晶体管的上方形成钝化层；在钝化层的上方且位于彩色像素区域内形成彩色色阻；在钝化层和彩色色阻的上方形成平坦化层，平坦化层上形成有第一过孔；减薄彩色像素区域中的平坦化层的厚度；在平坦化层的上方形成显示电极，显示电极与薄膜晶体管中的漏极过孔连接。本技术的技术方案通过对位于彩色像素区域中的平坦化层进行减薄处理，以使得位于彩色色阻上方的平坦化层膜厚减小，从而能有效改善平坦化层的平坦性。此外，由于彩色色阻上方的平坦化层膜厚减小，可使得显示电极与漏极之间的高度差减小，从而可有效降低显示电极通过过孔与漏极连接时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，其特征在于，所述显示基板划分有非像素区域和彩色像素区域，所述显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板的上方且位于所述非像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的上方形成有钝化层，所述钝化层的上方且位于所述彩色像素区域内形成有彩色色阻，所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成有平坦化层，所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度小于所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度，所述平坦化层的上方形成有显示电极，所述显示电极与所述薄膜晶体管中的漏极过孔连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板划分有非像素区域和彩色像素区域，所述显示基板包括：衬底基板，所述衬底基板的上方且位于所述非像素区域内形成有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的上方形成有钝化层，所述钝化层的上方且位于所述彩色像素区域内形成有彩色色阻，所述钝化层和所述彩色色阻的上方形成有平坦化层，所述彩色像素区域中的所述平坦化层的厚度小于所述非像素区域中的所述平坦化层的厚度，所述平坦化层的上方形成有显示电极，所述显示电极与所述薄膜晶体管中的漏极过孔连接。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板为OLED基板，所述显示电极为阳极；所述平坦化层的上方形成有像素界定层，所述像素界定层上形成有若干个容纳孔，所述容纳孔与所述显示电极对应设置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜生平，苏同上，黄正峰，杨玉，马云，郭稳，刘丽华，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11