The invention discloses a method, a thin film transistor substrate comprises a first metal electrode layer, a first metal electrode insulating layer and the metal oxide semiconductor layer are sequentially formed on the substrate; forming holes from the transition layer accumulation of metal oxides in the preset channel region and a second metal electrode channel region; forming a second metal electrode layer in the metal oxide semiconductor layer and the transition layer; stripping the transition layer and the second metal electrode layer and the second metal electrode; forming an insulating layer and a pixel electrode layer. The implementation of the invention can increase the transition layer based on maintaining the original simple process on which protection of metal oxide semiconductor, reduce the damage of subsequent etching process on metal oxide semiconductor layer.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，特别是涉及平板显示设备、薄膜晶体管基板及其制作方法。
技术介绍
目前金属铟镓锌氧化物薄膜晶体管(即IGZOTFT)是当前薄膜晶体管领域的研究热点，其最常见的结构有蚀刻阻挡型(ESL)、背沟道蚀刻型(BCE)。其中，背沟道蚀刻型(BCE)结构是目前研发制造的主流结构，制作工艺简单，成品率高，且成本低。但是，在工业制程当中，背沟道蚀刻型结构中的金属氧化物IGZO层没有保护层，在形成源漏金属电极时蚀刻药液很容易对金属氧化物IGZO层造成破坏，从而会损坏金属氧化物IGZO的特性。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管基板制作方法、薄膜晶体管基板以及薄膜晶体管，能够对金属氧化物半导体层形成保护，减少后续蚀刻工艺对金属氧化物半导体层的损伤。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一种技术方案是：提供一种薄膜晶体管基板制作方法，包括：在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金属电极...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板制作方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金属电极层；剥离所述过渡层及其上的所述第二金属电极层；形成第二金属电极绝缘层以及像素电极层。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板制作方法，其特征在于，包括：在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金属电极层；剥离所述过渡层及其上的所述第二金属电极层；形成第二金属电极绝缘层以及像素电极层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层包括：在所述金属氧化物半导体层及暴露的所述第一金属电极绝缘层形成光阻层；将对应第二金属电极走线区域及所述金属氧化物半导体与所述第二金属电极接触区域的光阻去除；对对应金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域的剩余光阻进行灰化处理，形成孔状自堆积的碳氧化合物层。3.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚江波，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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