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本发明公开了一种薄膜晶体管基板制作方法，包括：在衬底上依次形成第一金属电极层、第一金属电极绝缘层以及金属氧化物半导体层；在预设的金属氧化物沟道区域以及第二金属电极沟道区域形成孔状自堆积的过渡层；在金属氧化物半导体层以及所述过渡层上形成第二金...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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