薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示器制造技术

本发明专利技术涉及到薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示器。本发明专利技术提出了一种薄膜晶体管基板，包括：第一薄膜晶体管；第二薄膜晶体管；第一存储电容器电极；氧化物层，覆盖所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管，并暴露出第一存储电容器电极；在所述氧化物层上且覆盖所述第一存储电容器电极的氮化物层；在所述氮化物层上的第二存储电容器电极，其中所述第二电容器电极与所述第一存储电容器电极交叠；覆盖所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第二存储电容器电极的平坦层；和在所述平坦层上的像素电极公开。

Thin film transistor substrate and display using the thin film transistor substrate

The invention relates to a thin film transistor substrate and a display using the thin film transistor substrate. The present invention provides a thin film transistor substrate comprises a first thin film transistor second; thin film transistor; a first storage capacitor electrode; the oxide layer covering the first thin film transistor and the second thin film transistor, and expose the first storage capacitor electrode; in the oxide layer and the nitride layer covers the first the storage capacitor electrode; second storage capacitor electrode in the nitride layer, wherein the second capacitor electrode and the first storage capacitor electrode overlapping; covering the first thin film transistor, a second thin film transistor and the second electrode of the storage capacitor and the flat layer; the pixel electrode layer on the open flat.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示器
本专利技术涉及在相同基板上具有两个不同类型薄膜晶体管的薄膜晶体管基板以及使用此薄膜晶体管基板的显示器。
技术介绍
当前，随着信息社会的发展，用于呈现信息的显示器的需求逐渐增加。因此，开发各种平板显示器(“FPD”)用于克服阴极射线管(“CRT”)的很多缺陷比如重量重以及体积大。平板显示器装置包括液晶显示装置(“LCD”)、等离子体显示面板(“PDP”)、有机发光显示装置(“OLED”)和电泳显示装置(“ED”)。平板显示器的显示面板可包括具有以矩阵形式分配在每个像素区中的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板。例如，通过使用电场控制液晶层的光透射性，液晶显示装置(或“LCD”)呈现视频数据。对于有机发光二极管显示器，由于其中形成了有机发光二极管，通过在以矩阵形式设置的每个像素产生适当控制的光来呈现视频数据。作为自发光显示装置，有机发光二极管显示装置具有如下优点：响应速度非常快，亮度非常高以及视角大。使用具有良好能量效率的有机发光二极管的有机发光二极管显示器(OLED)可分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(AMOLED)。随着个人应用越来越盛行，正在积极开发便携式和/或可穿戴式装置。为了将显示装置应用到便携式和/或可穿戴式装置，显示装置需要具有低功耗特性。但是，使用直到现在开发出来的技术，获得具有卓越低功耗特性的显示器存在限制。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术的目的是提出一种用于平板显示器的薄膜晶体管基板以及使用该薄膜晶体管基板的显示器，该薄膜晶体管基板具有在相同基板上特性彼此不同的至少两个晶体管。本专利技术的另一个目的是提出一种用于平板显示器的薄膜晶体管基板的制造方法以及采用该基板的显示器，该薄膜晶体管基板具有通过优化的工艺和最少化的掩模工艺数量实现的两个不同类型的晶体管。为了实现上述目的，本专利技术提出了一种薄膜晶体管基板，包括：基板、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一存储电容器电极、氧化物层、氮化物层、第二存储电容器电极、平坦层和像素电极。第一薄膜晶体管设置在基板上的第一区域中。第二薄膜晶体管设置在基板上的第二区域中。第一存储电容器电极设置在基板上的第三区域中。氧化物层覆盖了第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管并暴露出第一存储电容器电极。氮化物层设置在氧化物层上且覆盖第一存储电容器电极。第二存储电容器电极与氮化物层上的第一存储电容器电极交叠。平坦层覆盖第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第二存储电容器电极。像素电极设置在平坦层上。在一个实施方式中，一种薄膜晶体管基板包括：第一薄膜晶体管(T1)；第二薄膜晶体管(T2)；第一存储电容器电极(ST1)；氧化物层(SIO)，覆盖所述第一薄膜晶体管(T1)和所述第二薄膜晶体管(T2)，并暴露出第一存储电容器电极(ST1)；在所述氧化物层(SIO)上且覆盖所述第一存储电容器电极(ST1)的氮化物层(SIN)；在所述氮化物层(SIN)上的第二存储电容器电极(ST2)，其中所述第二电容器电极与所述第一存储电容器电极(ST1)交叠；覆盖所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)和所述第二存储电容器电极(ST2)的平坦层(PLN)；和在所述平坦层(PLN)上的像素电极(ANO)。在一个实施方式中，所述第一薄膜晶体管(T1)设置在基础基板(SUB)上，所述第二薄膜晶体管(T2)设置在所述基础基板(SUB)上，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管是不同类型的晶体管。在一个实施方式中，所述第一薄膜晶体管(T1)包括：第一半导体层(A1)；第一栅极(G1)，其与所述第一半导体层(A1)的中间部分交叠；第一源极(S1)，其接触所述第一半导体层(A1)的第一侧；第一漏极(D1)，其经由漏极接触孔(DH)接触所述第一半导体层(A1)的第二侧；第一像素接触孔(PH1)，其穿过所述氮化物层(SIN)和所述氧化物层(SIO)并且通过所述漏极接触孔(DH)暴露出所述第一漏极(D1)；和辅助漏极(AD)，其经由所述第一像素接触孔(PH1)和所述漏极接触孔(DH)接触所述第一漏极(D1)，其中所述像素电极(ANO)经由第二像素接触孔(PH2)接触所述辅助漏极(AD)，所述第二像素接触孔(PH2)穿过所述平坦层(PLN)而暴露出所述辅助漏极(AD)。在一个实施方式中，所述辅助漏极(AD)是与所述第二存储电容器电极(ST2)相同的层的一部分，且包括与第二存储电容器电极(ST2)相同的材料。在一个实施方式中，所述第二薄膜晶体管(T2)是用于选择像素的开关元件，其中所述第一薄膜晶体管(T1)是用于提供视频数据至由所述第二薄膜晶体管(T2)选择的像素的驱动元件。在一个实施方式中，所述氧化物层(SIO)具有至少的厚度，其中所述氮化物层(SIN)具有至的厚度。在一个实施方式中，所述第一薄膜晶体管具有顶部栅极结构，所述第二薄膜晶体管具有底部栅极结构。在一个实施方式中，所述薄膜晶体管基板包括：第一半导体层(A1)，其包括多晶半导体材料；栅极绝缘层(GI)，其覆盖所述第一半导体层(A1)；第一栅极(G1)，其在所述栅极绝缘层(GI)上与所述第一半导体层(A1)交叠；在所述栅极绝缘层(GI)上的第二栅极(G2)；中间绝缘层(ILD)，其覆盖所述第一栅极(G1)和所述第二栅极(G2)；在所述中间绝缘层(ILD)上的第二半导体层(A2)，所述第二半导体层(A2)包括与所述第二栅极(G2)交叠的氧化物半导体材料；在所述中间绝缘层(ILD)上的第一源极(S1)和第一漏极(D1)；和在所述第二半导体层(A2)上的第二源极(S2)和第二漏极(D2)，其中所述第一薄膜晶体管(T1)包括所述第一半导体层(A1)、所述第一栅极(G1)、所述第一源极(S1)和所述第一漏极(D1)，其中所述第二薄膜晶体管(T2)包括所述第二半导体层(A2)、所述第二栅极(G2)、所述第二源极(S2)和所述第二漏极(D2)。在一个实施方式中，所述第一存储电容器电极(ST1)在所述中间绝缘层(ILD)上。在一个实施方式中，所述第一存储电容器电极(ST1)是与所述第二源极(S2)和所述第二漏极(D2)相同的层的一部分，且包括与所述第二源极(S2)和所述第二漏极(D2)相同的材料。在一个实施方式中，所述中间绝缘层(ILD)具有包括氮化物层和叠置在所述中间绝缘层(ILD)的氮化物层上的氧化物层的叠置结构，并且所述氧化物半导体材料直接设置在所述中间绝缘层(ILD)的氧化物层上。在一个实施方式中，所述薄膜晶体管基板被划分为显示区和非显示区，其中所述第二薄膜晶体管(T2)位于所述显示区中，所述第一薄膜晶体管(T1)和所述第一存储电容器电极(ST1)位于所述非显示区中。在一个实施方式中，所述第一存储电容器电极不与所述第一薄膜晶体管(T1)和所述第二薄膜晶体管(T2)交叠。在一个实施方式中，提供一种具有显示面板的平板显示器，所述显示面板包括如上所述的薄膜晶体管基板。在一个实施方式中，所述显示面板是有机发光二极管显示面板，其中所述像素电极(ANO)用作有机发光二极管的阳极，在具有所述阳极的基础基板(SUB)上设置有堤岸(BN)，所述堤岸(BN)通过暴露所述阳极的一些部分和覆盖所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：第一薄膜晶体管(T1)；第二薄膜晶体管(T2)；第一存储电容器电极(ST1)；氧化物层(SIO)，覆盖所述第一薄膜晶体管(T1)和所述第二薄膜晶体管(T2)，并暴露出第一存储电容器电极(ST1)；在所述氧化物层(SIO)上且覆盖所述第一存储电容器电极(ST1)的氮化物层(SIN)；在所述氮化物层(SIN)上的第二存储电容器电极(ST2)，其中所述第二电容器电极与所述第一存储电容器电极(ST1)交叠；覆盖所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)和所述第二存储电容器电极(ST2)的平坦层(PLN)；和在所述平坦层(PLN)上的像素电极(ANO)。

【技术特征摘要】
2015.12.28 KR 10-2015-01875651.一种薄膜晶体管基板，包括：第一薄膜晶体管(T1)；第二薄膜晶体管(T2)；第一存储电容器电极(ST1)；氧化物层(SIO)，覆盖所述第一薄膜晶体管(T1)和所述第二薄膜晶体管(T2)，并暴露出第一存储电容器电极(ST1)；在所述氧化物层(SIO)上且覆盖所述第一存储电容器电极(ST1)的氮化物层(SIN)；在所述氮化物层(SIN)上的第二存储电容器电极(ST2)，其中所述第二电容器电极与所述第一存储电容器电极(ST1)交叠；覆盖所述第一薄膜晶体管(T1)、所述第二薄膜晶体管(T2)和所述第二存储电容器电极(ST2)的平坦层(PLN)；和在所述平坦层(PLN)上的像素电极(ANO)。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一薄膜晶体管(T1)设置在基础基板(SUB)上，所述第二薄膜晶体管(T2)设置在所述基础基板(SUB)上，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管是不同类型的晶体管。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一薄膜晶体管(T1)包括：第一半导体层(A1)；第一栅极(G1)，其与所述第一半导体层(A1)的中间部分交叠；第一源极(S1)，其接触所述第一半导体层(A1)的第一侧；第一漏极(D1)，其经由漏极接触孔(DH)接触所述第一半导体层(A1)的第二侧；第一像素接触孔(PH1)，其穿过所述氮化物层(SIN)和所述氧化物层(SIO)并且通过所述漏极接触孔(DH)暴露出所述第一漏极(D1)；和辅助漏极(AD)，其经由所述第一像素接触孔(PH1)和所述漏极接触孔(DH)接触所述第一漏极(D1)，其中所述像素电极(ANO)经由第二像素接触孔(PH2)接触所述辅助漏极(AD)，所述第二像素接触孔(PH2)穿过所述平坦层(PLN)而暴露出所述辅助漏极(AD)。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中所述辅助漏极(AD)是与所述第二存储电容器电极(ST2)相同的层的一部分，且包括与第二存储电容器电极(ST2)相同的材料。5.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述第二薄膜晶体管(T2)是用于选择像素的开关元件，其中所述第一薄膜晶体管(T1)是用于提供视频数据至由所述第二薄膜晶体管(T2)选择的像素的驱动元件。6.如权利要求1至5中任一项所述的薄膜晶体管基板，其中所述氧化物层(SIO)具有至少的厚度，其中所述氮化物层(SIN)具有至的厚度。7.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中所述第一薄膜晶体管具有顶部栅极结构，所述第二薄膜晶体管具有底部栅极结构。8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，包括：第一半导体层(A1)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢韶颖，全镇埰，崔承燦，李俊昊，李瑛长，柳成彬，金杞泰，赵宝敬，尹辰汉，郑義振，李智慧，金银成，申铉秀，文庆周，金孝真，金元炅，李帝贤，诸沼延，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR