一种图案化目标膜层、薄膜晶体管、阵列基板及制作方法技术
Patterned target film layer, thin film transistor, array substrate and manufacturing method
The embodiment of the utility model provides a patterned target film layer, a thin film transistor, an array substrate and a manufacturing method, in order to simplify the manufacturing process of the patterned target film layer, and reduce the manufacturing cost of the patterned target film layer. Including the production method: patterned photoresist layer formed on a substrate wherein the photoresist layer pattern is complementary with the target layer pattern; form the target film on the photoresist layer; the photoresist layer is patterned to remove the target layer and removed at the same time with the the photoresist layer corresponds to the pattern region, forming target layer pattern.
【技术实现步骤摘要】
一种图案化目标膜层、薄膜晶体管、阵列基板及制作方法
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种图案化目标膜层、薄膜晶体管、阵列基板及制作方法。
技术介绍
平面显示器(F1atPane1Disp1ay，FPD)己成为市场上的主流产品，平面显示器的种类也越来越多，如液晶显示器(LiquidCrysta1Disp1ay，LCD)、有机发光二极管(OrganicLightEmittedDiode，OLED)显示器、等离子体显示面板(P1asmaDisp1ayPane1，PDP)及场发射显示器(FieldEmissionDisplay，FED)等。作为FPD产业核心技术的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)背板技术，也在经历着深刻的变革。现有技术中的薄膜晶体管，在制作图案化的源漏极层和/或栅极层时，通常是先形成一层金属薄膜，再在金属薄膜上形成图案化的光刻胶层，在图案化的光刻胶层的遮挡下对金属薄膜进行单独刻蚀，形成图案化的源漏极层和/或栅极层，最后将图案化的光刻胶层去除。即，现有技术在形成图案化的目标膜层(例如，图案化的目标膜层为源漏极层)时，通常都需要对目标膜层...
【技术保护点】
一种图案化目标膜层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底基板上形成图案化的光刻胶层，其中，所述光刻胶层的图案为与所述目标膜层的图案互补的图案；在所述光刻胶层上形成目标层薄膜；去除图案化的所述光刻胶层，并同时去除与所述光刻胶层的图案相对应区域的目标层薄膜，形成目标膜层的图案。
【技术特征摘要】
1.一种图案化目标膜层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底基板上形成图案化的光刻胶层，其中，所述光刻胶层的图案为与所述目标膜层的图案互补的图案；在所述光刻胶层上形成目标层薄膜；去除图案化的所述光刻胶层，并同时去除与所述光刻胶层的图案相对应区域的目标层薄膜，形成目标膜层的图案。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述目标膜层为薄膜晶体管的源漏极膜层和/或栅极膜层；所述在所述光刻胶层上形成目标层薄膜，具体包括：在所述光刻胶层上形成至少一层金属层薄膜。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述光刻胶层上形成至少一层金属层薄膜，具体包括：在所述光刻胶层上依次形成银薄膜和铜薄膜。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，在所述光刻胶层上依次形成银薄膜和铜薄膜，具体包括：通过银镜反应，在所述光刻胶层上形成银薄膜；通过铜镜反应，在所述银薄膜上形成铜薄膜。5...
【专利技术属性】
技术研发人员：张慧文，占建英，王志鹏，于凯，李铁朋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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