薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及电子设备技术
Thin film transistor, method for producing the same, array substrate and electronic device
The present invention provides a thin film transistor array substrate and a preparation method thereof, and electronic equipment, the thin film transistor includes a gate electrode; a gate insulating layer; an active layer; the source electrode and the drain electrode, which, on the surface of the source and drain electrodes near the gate electrode is provided with protective structure. The inventors have found that the surface in the source and drain electrodes near the gate of the setting of protective structure, can be avoided in the process of etching of the active layer on the active layer will not damage the channel region of erosion, which can greatly enhance the performance of the thin film transistor.
【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及电子设备
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及薄膜晶体管、含有该薄膜晶体管的阵列基板，含有该阵列基板的电子设备，以及制备该薄膜晶体管的方法。
技术介绍
随着液晶显示技术的发展，对TFT(薄膜晶体管)半导体层的电子迁移率要求越来越高，低温多晶硅技术(LTPS)应运而生。LTPS显示技术显著提高了像素写入速度，从而可以设置更细的线宽、更小的TFT开关，更高的开口率。传统的顶栅LTPSTFT通常需要制备LS(遮光层)、源/漏极掺杂(S/Ddoping)、轻掺杂漏区(Ldddoping)等工艺，工艺复杂，成本较高。底栅LTPSTFT无需LS层和掺杂工艺，但是背沟道刻蚀对有源层(active层)的损伤和欧姆接触问题较难同时解决。因而，目前的薄膜晶体管工艺仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种可以有效防止背沟道刻蚀工艺对有源层的损伤，降低接触电阻或有效提升TFT性能的薄膜晶体管。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种薄膜晶体管。根据本专利技术的实施例...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；栅绝缘层；有源层；源漏电极；其中，所述有源层的材料为多晶硅，在所述源漏电极靠近所述栅极的表面设置有保护结构。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；栅绝缘层；有源层；源漏电极；其中，所述有源层的材料为多晶硅，在所述源漏电极靠近所述栅极的表面设置有保护结构。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述保护结构的材料为氧化物半导体。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物、氧化铟锌和氧化锌中的至少一种。5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括欧姆接触结构，所述欧姆接触结构设置在所述保护结构和所述源漏电极之间。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述欧姆接触结构的材料为n+a-Si。7.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-6中任一项所述的薄膜晶体管。8.一种电子设备，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：何晓龙，李东升，班圣光，黄睿，米东灿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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