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本发明提供了薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及电子设备，该薄膜晶体管包括：栅极；栅绝缘层；有源层；源漏电极，其中，在所述源漏电极靠近所述栅极的表面设置有保护结构。发明人发现，通过在源漏电极靠近所述栅极的表面设置保护结构，可以避免在刻蚀过程对...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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