薄膜晶体管、阵列基板及显示面板制造技术

本申请公开了薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。薄膜晶体管的一具体实施方式包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，栅极形成于栅极金属层，有源层形成于氧化物半导体层，源极和漏极形成于源漏金属层，源漏金属层位于氧化物半导体层远离栅极金属层的一侧，且源极和漏极与有源层相接触；栅极与有源层之间设有栅极绝缘层；栅极绝缘层对任意波长为λ

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)液晶显示屏具有亮度高、功耗低、寿命长等优点，被广泛应用于显示领域。TFT通常包括用于提供载流子的有源层。在TFT的栅极接收电压信号时，载流子在有源层的沟道内发生迁移。现有的一种TFT采用氧化物半导体(例如铟镓锌氧化物)作为有源层材料，这种材料具有较高的载流子迁移率。但由于氧化物半导体对可见光波段的蓝紫光较为敏感，当蓝紫光由背光源提供的射入TFT的有源层时，TFT的稳定性下降，从而影响了显示效果。
技术实现思路
为了解决上述
技术介绍
部分提到的一个或多个技术问题，本申请提供了薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。一方面，本申请提供了一种薄膜晶体管，包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，栅极形成于栅极金属层，有源层形成于氧化物半导体层，源极和漏极形成于源漏金属层，源漏金属层位于氧化物半导体层远离栅极金属层的一侧，且源极和漏极与有源层相接触；栅极与有源层之间设有栅极绝缘层；栅极绝缘层对任意波长为λ1的光的透过率低于对任意波长为λ2的光的透过率；其中400nm≤λ1≤480nm，480nm＜λ2≤780nm。第二方面，本申请提供了一种阵列基板，包括上述薄膜晶体管。第三方面，本申请提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。本申请提供的薄膜晶体管、阵列基板和显示面板，栅极绝缘层对蓝紫光波段的光的透过率低于对其他波段可见光的透过率，使得入射至薄膜晶体管的有源层的蓝紫光的光强下降，从而提升了薄膜晶体管的稳定性。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1是根据本申请的薄膜晶体管的一个实施例的结构示意图；图2是光线传输至图1所示薄膜晶体管中的有源层的路径示意图；图3是根据本申请的薄膜晶体管的另一个实施例的结构示意图；图4是光线传输至图3所示薄膜晶体管中的有源层的路径示意图；图5是本申请实施例的一种薄膜晶体管的透过率频谱仿真曲线；图6是根据本申请的阵列基板的一个实施例的结构示意图；图7是根据本申请的显示面板的一个实施例的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与有关专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。请参考图1，其示出了根据本申请的薄膜晶体管的一个实施例的结构示意图。如图1所示，薄膜晶体管100包括栅极101、有源层102、源极103以及漏极104。其中，栅极101形成于栅极金属层11，有源层102形成于氧化物半导体层12，源极103和漏极104形成于源漏金属层13。上述栅极金属层11可以形成于衬底10的一侧，源漏金属层13位于氧化物半导体层12远离栅极金属层11的一侧，且源极103和漏极104与有源层102相接触。栅极101与有源层102之间设有栅极绝缘层14，该栅极绝缘层14可以由硅氮化物材料、硅氧化物材料或者由硅氮化物和硅氧化物的混合物形成。栅极绝缘层14对于任意波长为λ1的光的透过率低于对任意波长为λ2的光的透过率；其中400nm≤λ1≤480nm，480nm＜λ2≤780nm。400nm至480nm为可见光的蓝紫光波段，通常在液晶显示面板中，背光源发出的光线由衬底10向薄膜晶体管的栅极方向入射，上述栅极绝缘层14对蓝紫光波段的透过率低于对其他波段可见光的透过率，则各波段的光线经过栅极绝缘层14后，蓝紫光强度的衰减程度较其他波段光强度的衰减程度大，从而削弱了蓝紫光对薄膜晶体管有源层的氧化物半导体的稳定性的影响。在一些可选的实现方式中，上述栅极绝缘层14可以由对蓝紫光吸收率高于对其他波段光的吸收率的材料形成，或者由对蓝紫光的反射率高于对其他波段光的反射率的材料形成。可选地，上述栅极绝缘层14的材料为二氧化硅。光线在入射至上述栅极绝缘层表面时，会发生反射和透射。在另一些可选的实现方式中，栅极绝缘层14可以按照如下方式设计：栅极绝缘层的厚度为d，栅极绝缘层对波长为λ1的光的折射率为n10，栅极绝缘层对波长为λ2的光的折射率为n20；对于任意的λ1，λ2，满足：其中，[a]表示不大于a的正整数，或在本实施例中，可以选择栅极绝缘层的厚度d以及其折射率n10和n20，使其满足上式(1)、(2)、(3)，这样，在入射至栅极绝缘层的各波段光的强度相同时，蓝紫光(波长为λ1)的反射光强度大于其他波段光(波长为λ2)的反射光强度，根据能量守恒定律，蓝紫光的透射光的强度小于其他波段光的透射光强度，即栅极绝缘层对蓝紫光的透射率小于对其他波段光的透射率。以下结合图2进一步解释满足上式(1)、(2)、(3)的栅极绝缘层中蓝紫光透射率小于其他波段光的透射率的原理。图2是光线传输至图1所示薄膜晶体管中的有源层的路径示意图。如图2所示，背光源发出的光线20以垂直入射角入射至栅极绝缘层14，并在栅极绝缘层14的两个表面201和202发生反射和透射，其中201可以为与栅极接触的表面，202可以为与有源层接触的表面。光线在表面201的反射光21与经过栅极绝缘层之后在表面202的反射光22为相同频率、具有恒定相位差的两束光线，这两束光线可以发生干涉，干涉光的强度与两束反射光的相位差δ的余弦值cosδ正相关。假设入射至栅极绝缘层的表面201的各波段光线的强度相同，则各波段的光线经过两次反射后的干涉光的强度只与相位差正相关。对于波长为λ1的光，两束反射光的相位差对于波长为λ2的光，两束反射光的相位差根据cos函数的特性，当满足上式(1)、(2)、(3)时，cosδ1＞cosδ2，则波长为λ1的两束反射光的干涉强度大于波长为λ2的两束反射光的干涉强度，也即波长为λ1的光线的反射光强度大于波长为λ2的光线的反射光强度，从而使得波长为λ1的光线的透过率小于波长为λ2的光线的透过率。可选地，在满足上式(1)、(2)、(3)的前提下，δ2的值越大，则cosδ2越小，反射光的干涉光强度越小，则相应地透射光强度越大。为了保证包含上述薄膜晶体管的显示面板的透过率，可以在满足上式(1)、(2)、(3)的前提下，尽量增大δ2(例如增大n20和/或增大d)，以降低栅极绝缘层对除蓝紫光外的其他颜色可见光的透过率的影响。同理，在一些可选的实现方式中，当栅极绝缘层的厚度和折射率满足如下公式(4)、(5)、(6)时，cosδ1＞cosδ2，栅极绝缘层对波长为λ1的蓝紫光的透射率小于对波长为λ2的其他波段可见光的透射率：其中，[b]表示不大于b的正整数，或可选地，在满足上式(4)、(5)、(6)的前提下，δ2的值越小，则cosδ2越小，反射光的干涉光强度越小，则相应地透射光强度越大。为了保证包含上述薄膜晶体管的显示面板的透过率，可以在满足上式(4)、(5)、(6)的前提下，尽量减小δ2(例如减小n20和/或减小d)，以降低栅极绝缘层对除蓝紫光外的其他颜色可见光的透过率的影响。请参考图3，其示出了根据本申请的薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，所述栅极形成于栅极金属层，所述有源层形成于氧化物半导体层，所述源极和所述漏极形成于源漏金属层，所述源漏金属层位于所述氧化物半导体层远离所述栅极金属层的一侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层相接触；所述栅极与所述有源层之间设有栅极绝缘层；所述栅极绝缘层对任意波长为λ

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极、有源层、源极和漏极；其中，所述栅极形成于栅极金属层，所述有源层形成于氧化物半导体层，所述源极和所述漏极形成于源漏金属层，所述源漏金属层位于所述氧化物半导体层远离所述栅极金属层的一侧，且所述源极和所述漏极与所述有源层相接触；所述栅极与所述有源层之间设有栅极绝缘层；所述栅极绝缘层对任意波长为λ1的光的透过率低于对任意波长为λ2的光的透过率；其中400nm≤λ1≤480nm，480nm＜λ2≤780nm。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度为d，所述栅极绝缘层对波长为λ1的光的折射率为n10，所述栅极绝缘层对波长为λ2的光的折射率为n20；对于任意的λ1，λ2，满足：其中，[a]表示不大于a的正整数，或3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的厚度为d，所述栅极绝缘层对波长为λ1的光的折射率为n10，所述栅极绝缘层对波长为λ2的光的折射率为n20；对于任意的λ1，λ2，满足：其中，[b]表示不大于b的正整数，或4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的材料为二氧化硅。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层；所述第二栅极绝缘层位于所述第一栅极绝缘层远离所述栅极金属层的一侧；所述第一栅极绝缘层对于任意波长为λ1的光的折射率大于所述第二栅极绝缘层对于任意波长为λ1的光的折射率；所述第一栅极绝缘层对于任意波长为λ2的光的折射率大于所述第二栅极绝缘层对于任意波长为λ2的光的折射率。6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层对任意波长为λ1的光的透过率高于对任意波长为λ2的光的透过率；所述第二栅极绝缘层对任意波长为λ1的光的透过率高于对任意波长为的λ2的光的透过率。7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层对于任意波长为λ3的光的折射率为n1，所述第二栅极绝缘层对于任意波长为λ3的光的折射率为n2，1.88≤n1≤2.15，1.45≤n2≤1.60；其中，400nm≤λ3≤780nm。8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为d1，所述第一栅极绝缘层对波长为λ1的光的折射率为n11，所述第一栅极绝缘层对波长为λ2的光的折射率为n12；对于任意的λ1，λ2，满足：其中，[x]表示不大于x的正整数，或9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为d1，所述第一栅极绝缘层对波长为λ1的光的折射率为n11，所述第一栅极绝缘层对波长为λ2的光的折射率为n12；对于任意的λ1，λ2，满足：其中，[x]表示不大于x的正整数，或10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：应变，符鞠建，何泽尚，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31