一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。该氧化物薄膜晶体管制造方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。本发明专利技术实施例提供的方案，减少了有源层和源/漏电极层间的搭接电阻，提升了氧化物薄膜晶体管的开态电流，迁移率和开关比。

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device. Including the oxide thin film transistor manufacturing method: providing a substrate; a gate metal layer, a gate insulating layer, an active layer, source / drain layer are sequentially formed on the substrate; the laser annealing process from the substrate to the back of the substrate, so that the resistivity of the active layer and the gate metal layer does not overlap the part below the active layer and the gate metal layer overlaps the resistivity, wherein, the active layer and the gate metal layer overlaps with the source / drain electrode layer is electrically connected. The embodiment of the invention reduces the lap resistance between the active layer and the source / drain layer, and improves the open state current, mobility, and switching ratio of the oxide film transistors.

【技术实现步骤摘要】
一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置
本专利技术涉及显示技术，尤指一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
随着显示器件的越发成熟，氧化物有源层的需求越来越高。氧化物半导体作为有源层材料，相比传统的非晶硅(a-Si)材料具有载流子迁移率高、制备温度低、大面积均匀性优良、光学透过率高等优势，这些优势也决定了氧化物薄膜晶体管(OxideTFT)适用于制备高分辨率的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)、有源矩阵有机发光二极体面板(AM-OLED)、柔性显示、透明显示等新型显示器件。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术至少一实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，提高了氧化物薄膜晶体管的电学性能。本专利技术一实施例提供了一种种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。在本专利技术一可选实施例中，所述方法还包括：在形成所述源漏极电极层之前，在所述有源层上形成刻蚀阻挡层。在本专利技术一可选实施例中，所述激光退火工艺为准分子激光退火工艺。在本专利技术一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述源/漏电极层上的绝缘层后执行。在本专利技术一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述有源层后且形成所述源/漏电极层前执行。在本专利技术一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述刻蚀阻挡层后且形成所述源/漏电极层前执行。在本专利技术一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述源/漏电极层后执行。本专利技术一实施例提供一种氧化物薄膜晶体管，包括：依次设置在衬底基板上的栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层，其中：所述有源层包括被从所述衬底基板背面进行的激光退火工艺处理形成的两个部分：与所述栅极金属层重叠的第一部分，未与所述栅极金属层重叠的第二部分，且所述第二部分的电阻率低于所述第一部分的电阻率，且所述第二部分与所述源/漏电极层电连接。在本专利技术一可选实施例中，所述氧化物薄膜晶体管还包括：设置在所述有源层上的刻蚀阻挡层。本专利技术一实施例提供一种阵列基板，包括上述氧化物薄膜晶体管。本专利技术一实施例提供一种显示装置，包括上述阵列基板。本专利技术实施例中，对氧化物半导体形成的有源层进行激光退火处理，提升了氧化物薄膜晶体管的开态电流，迁移率和开关比。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本专利技术的技术方案，并不构成对本专利技术技术方案的限制。图1(a)～1(h)为本专利技术一实施例提供的氧化物薄膜晶体管的制造方法过程图；图2为本专利技术一实施例提供的氧化物薄膜晶体管的制造方法示意图；图3为本专利技术一实施例提供的氧化物薄膜晶体管的制造方法示意图；图4(a)～4(h)为本专利技术一实施例提供的氧化物薄膜晶体管的制造方法过程图；图5为本专利技术一实施例提供的氧化物薄膜晶体管的制造方法示意图；图6为本专利技术一实施例提供的氧化物薄膜晶体管的制造方法示意图；图7为本专利技术一实施例提供的氧化物薄膜晶体管示意图；图8为本专利技术一实施例提供的氧化物薄膜晶体管示意图；图9为本专利技术一实施例提供的阵列基板示意图；图10为本专利技术一实施例提供的阵列基板示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本专利技术的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。本文中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。在用于描述本专利技术的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。本专利技术实施例附图只涉及到与本专利技术实施例相关的结构，其他结构可参考通常设计。本专利技术一实施例提供一种氧化物薄膜晶体管，包括依次在衬底基板上形成的栅极金属层，栅极绝缘层，有源层(由氧化物半导体形成)，源/漏电极层。其中，在衬底基板背面进行激光退火工艺处理，使得有源层的结构发生变化，有源层与源/漏极电极层相连的区域的电阻变低，趋于导体化，减少有源层和源/漏电极层间的搭接电阻，从而达到提升氧化物薄膜晶体管的开态电流，迁移率和开关比的技术效果。下面通过几个实施例进一步说明本专利技术。实施例一本实施例提供一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。在本专利技术的一可选实施例中，所述激光退火工艺为ELA(ExcimerLaserAnnealing，准分子激光退火)工艺。当然，也可使用其他激光退火工艺。在本专利技术的一可选实施例中，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述源/漏电极层上的绝缘层后执行；或者，在形成所述有源层后且形成所述源/漏电极层前执行，或者，在形成所述源/漏电极层后执行。在本专利技术的一可选实施例中，在形成所述源漏极电极层之前，在所述有源层上形成刻蚀阻挡层。所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述刻蚀阻挡层后且形成所述源/漏电极层前执行，或者，在在形成所述源/漏电极层后执行；或者，在形成所述源/漏电极层上的绝缘层后执行；或者，在形成所述有源层后，所述刻蚀阻挡层之前执行。下面通过如图1(a)至图1(g)进一步说明本专利技术实施例提供的氧化物薄膜晶体管的制造方法。如图1(a)所示，在衬底基板1上沉积栅极金属层薄膜并对该栅极金属层薄膜进行构图工艺以形成栅极金属层2。该衬底基板1可以是一个玻璃基板。该栅极金属层2的材料可以为铜基金属，例如，铜(Cu)、铜钼合金(Cu/Mo)、铜钛合金(Cu/Ti)、铜钼钛合金(Cu/Mo/Ti)、铜钼钨合金(Cu/Mo/W)、铜钼铌合金(Cu/Mo/Nb)等；该栅极金属层2的材料也可以为铬基金属，例如，铬钼合金(Cr/Mo)、铬钛合金(Cr/Ti)、铬钼钛合金(Cr/Mo/Ti)等。在本实施例中，构图工艺例如为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种氧化物薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上依次形成栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源/漏电极层；从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理，以使所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率低于所述有源层与所述栅极金属层重叠的部分的电阻率，其中，所述有源层未与所述栅极金属层重叠的部分与所述源/漏电极层电连接。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述源漏极电极层之前，在所述有源层上形成刻蚀阻挡层。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述激光退火工艺为准分子激光退火工艺。4.如权利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述源/漏电极层上的绝缘层后执行。5.如权利要求1、2或3所述的制造方法，其特征在于，所述从所述衬底基板背面进行激光退火工艺处理在形成所述有源层后且形成所述源/漏电极层前执行。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，孙林，王超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11