The invention provides a method for improving metal oxide film resistance PVD cavity structure, the uniformity of the driving device, which comprises a cavity, a magnetic element, target, upper baffle and the lower baffle, baffle on the wafer; an inverted cone shape, the outer baffle set up in the opening of the cavity, and the bottom end of the baffle on the surface of the base is lower than the pressure ring; the cavity is provided with a oxygen inlet, inlet is provided with an air inlet ring, gas ring into the outer ring and the inner ring, the outer ring is an air inlet, two separate outlet hole, two separate connection ring, the inner hole symmetry distribution. The cavity structure of the invention, the gap between the upper and lower baffle not immediately from the gas enters the cavity draining process, gas pumping, gas flow will have a direction to the center of the vector, improves the reaction gas concentration will be the center of the wafer; mixing air inlet to air intake, air distribution uniformity, better diffuse, separate oxygen and argon argon oxygen inlet, can mix better, so that the oxygen distribution is more uniform.
【技术实现步骤摘要】
改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构
本专利技术涉及
,具体的涉及一种改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构。
技术介绍
物理气相沉积(physicalvapordeposition,PVD)技术在半导体领域被广泛应用,该方法包括真空蒸镀、溅射镀膜、分子束外延等。在MEMS制造中的金属薄膜材料多通过PVD溅射方法制备。在PVD技术中,通常采用PVD腔室进行薄膜沉积。在薄膜沉积中,采用磁控溅射(磁性件ronSputtering)技术,用于金属薄膜的沉积以构成金属接触以及金属互连线等。在真空环境下,磁控溅射通过电压和磁场的共同作用,以被离化的惰性气体离子对靶材(靶材)进行轰击,致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出,在衬底上沉积形成薄膜。随着MEMS技术的发展,金属氧化物薄膜材料被应用到特殊的制程中,特别是含有可变价态的金属氧化物薄膜材料。影响金属氧化物大规模应用的关键问题就便是金属氧化物薄膜的方阻均匀性。但是,满足金属薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构并不能满足金属氧化物薄膜方阻均匀性,本专利技术就是设计一种新型的PVD腔体结构,解决金属氧化物薄膜方阻均匀性的问题。在现有技术中,PVD腔体结构包括:驱动装置,磁性件,靶材,上挡板,低温泵,锁紧圈,加热器,进气口,下挡板等。金属氧化物沉积过程中,在真空环境下,磁性件在驱动装置的带动下,以一定的转速旋转,氧气和氩气混合,通过进气口进入腔体,磁控溅射通过电压和磁场的共同作用,氩气被离化,并对靶材进行轰击,致使靶材以离子、原子或分子的形式被弹出,离化的氧离子和靶材原子或者离子反应,生产氧化物,在衬底晶 ...
【技术保护点】
一种改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构,其特征在于,包括:底部具有进气口的腔体,安装在腔体上方的驱动装置、磁性件和靶材,置于腔体内的上挡板、下挡板、晶片和加热器,安装在所述腔体侧壁上的低温泵;所述驱动装置和所述磁性件相连接,所述靶材置于所述磁性件的下方;所述晶片放置在所述加热器上,并置于所述上、下挡板围成的空间内;所述上挡板呈倒锥形筒状,上挡板的上端的外沿架设在所述腔体的开口处,且上挡板的底端低于所述基座压环的上表面;所述腔体的底部开设有氩气的进气口,所述腔体的侧壁开设有氧气进口,所述氧气进口处安装有进气环。
【技术特征摘要】
1.一种改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构,其特征在于,包括:底部具有进气口的腔体,安装在腔体上方的驱动装置、磁性件和靶材,置于腔体内的上挡板、下挡板、晶片和加热器,安装在所述腔体侧壁上的低温泵;所述驱动装置和所述磁性件相连接,所述靶材置于所述磁性件的下方;所述晶片放置在所述加热器上,并置于所述上、下挡板围成的空间内;所述上挡板呈倒锥形筒状,上挡板的上端的外沿架设在所述腔体的开口处,且上挡板的底端低于所述基座压环的上表面;所述腔体的底部开设有氩气的进气口,所述腔体的侧壁开设有氧气进口,所述氧气进口处安装有进气环。2.根据权利要求1所述的改善金属氧化物薄膜方阻均匀性的PVD腔体结构,其特征在于,所述进气环包括相连接外环和内环,所述外环具有两个与内环相连接的进气孔,所述内环设有2n个出气孔,其中n为自然数。3.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:林晓东,李成强,
申请(专利权)人:中科微机电技术北京有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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