The invention discloses a flexible resistance storage device and a preparation method thereof. The flexible RRAM comprises preparation on a flexible substrate, a bottom electrode storage function layer and the top electrode, a bottom electrode, wherein the storage layer and the top electrode to form a sandwich structure; storage layer material of rare earth oxides. The preparation method comprises the following steps: (1) forming a bottom electrode layer on a flexible substrate; (2) by a photolithography process on the bottom electrode is formed on the memory required graphics; (3) the formation of rare earth oxide film layer on the graphics storage function; (4) the top electrode layer is formed on the storage the function layer; (5) forming a photoresist removal device unit complete. The flexible resistance memory of the invention has the advantages of stable storage performance after bending to a certain radius and multiple bends, and is suitable for flexible storage technology.
【技术实现步骤摘要】
一种柔性阻变存储器及制备方法
本专利技术涉及一种柔性阻变存储器及制备方法,属于柔性电子
技术介绍
柔性电子技术是将有机或者无机材料电子器件制作在柔性或者可延性塑料或薄金属基板上的新兴电子技术。柔性电子技术将带来一场电子技术革命,引起全世界的广泛关注并得到迅速发展。美国《科学》杂志将有机电子技术进展列为2000年世界十大科技成果之一,与人类基因组草图、生物克隆技术等重大发现并列。与传统IC技术一样,制造工艺和装备也是柔性电子技术发展的主要驱动力。柔性电子制造技术水平指标包括芯片特征尺寸和基板面积大小,其关键是如何在更大幅面的基板上以更低的成本制造出特征尺寸更小的柔性电子器件。随着柔性电子技术的飞速发展,越来越多的柔性电子器件走入了人们的生活领域。在这其中,最核心的硬件——柔性存储器(FlexibleMemory)的制造工艺还不够完善。阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)具有低廉的价格、简单的结构、超高的密度、低功耗、高速和与CMOS工艺兼容的优点,受到广泛的关注,有望成为新一代主流的非挥发性存储器。由于阻变存储器的结构简单、可低温制造使得阻变存储器在柔性存储器方向有着显著的应用前景。在柔性阻变存储器中,对材料的耐弯折强度与弯折耐久性选择很重要。对于电极的选择,铝、铜、铂金、氧化铟锡或氧化铟锌等材料在薄膜状态时都表现出了优异耐弯折强度与弯折耐久性。而对于作为存储功能层的薄膜材料而言,不仅需要材料具备优异耐弯折强度与弯折耐久性,而且要求材料在弯折后的存储性能不发生变化,这样制造出的存储器才能符合实际应用。因此, ...
【技术保护点】
一种柔性阻变存储器,其特征在于:它包括依次制备在柔性衬底上的底电极、存储功能层和顶电极,其中,底电极、存储功能层与顶电极形成三明治结构;存储功能层材料为稀土氧化物。
【技术特征摘要】
1.一种柔性阻变存储器,其特征在于:它包括依次制备在柔性衬底上的底电极、存储功能层和顶电极,其中,底电极、存储功能层与顶电极形成三明治结构;存储功能层材料为稀土氧化物。2.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器,其特征在于:所述存储功能层的厚度为15nm-35nm。3.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器,其特征在于:所述稀土氧化物存储功能层材料为氧化钇、氧化钪、氧化镧、氧化铈、氧化镨、氧化钕、氧化钷、氧化钐、氧化铕、氧化钆、氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒、氧化铥、氧化镱或氧化镥。4.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器,其特征在于:所述底电极或顶电极的厚度为5nm-40nm。5.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器,其特征在于:所述底电极或顶电极材料为铝、铜、铂金、氧化铟锡或氧化铟锌。6.根据权利要求1所述的柔性阻变存储器,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵鸿滨,屠海令,魏峰,杨志民,
申请(专利权)人:北京有色金属研究总院,
类型:发明
国别省市:北京,11
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