一种超低方阻金属化铝膜，涉及电容器技术领域，由基膜和金属化铝膜层组成，所述的金属化铝膜层的方阻为0.25~0.65Ω/□，而常规金属化铝膜层的方阻为2~4Ω/□，即金属化铝膜层的厚度是常规金属化铝膜的7倍左右，金属化铝膜层大幅度增厚，意味着在真空蒸镀金属化铝膜时，要在同样的时间内在基膜上沉淀更多的铝。本发明专利技术的超低方阻金属化铝膜性能稳定，长期存放不会变质，可耐受大电流冲击，能在极端环境下如太空中使用，承受温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电容器
，具体涉及一种超低方阻金属化铝膜。
技术介绍
将高纯度铝在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上，在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜就是金属化铝膜。金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻，用Ω/ □表示，因为金属化膜上金属化层的厚度很小极难测量，通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。金属化层的厚度和方阻值成反比，即方阻越低，金属化层厚度越大。目前，常规金属化铝膜的方阻为2 4Ω/口。在地面一般大气条件下，此种金属化铝膜使用不会出现问题，但在极端环境如太空中，温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件下，无法保证其制成的电容器的可靠性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种超低方阻金属化铝膜，可以在在极端环境如太空中，温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件下使用，并有很高的可靠性。本专利技术所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种超低方阻金属化铝膜，由基膜和金属化铝膜层组成，其特征在于:所述的金属化铝膜层的方阻为0.25、.65 Ω / 口，而常规金属化铝膜层的方阻为2 4 Ω / 口，即金属化铝膜层的厚度是常规金属化铝膜的7倍左右，金属化铝膜层大幅度增厚，意味着在真空蒸镀金属化铝膜时，要在同样的时间内在基膜上沉淀更多的铝。所述的基膜为有机薄膜。所述的基膜为聚酯膜或聚丙烯膜。所述的金属化铝膜层的金属层为金属铝附着在有机薄膜上形成。为了获得超低方阻金属化铝膜，需要改善铝的融化和蒸发速度，提高沉淀到基膜上的铝量，以及及时散发大幅度增加的热量，因此金属化铝膜层采用真空蒸镀制成。所述真空蒸镀的条件为，真空镀膜机的蒸镀速度为f 3米/秒，镀膜机冷却主鼓的温度为-2(T-30°C，蒸发舟为二硼化钛、氮化硼双组分蒸发舟。使用比现有的氮化硼蒸发舟性能更好的蒸发舟，二硼化钛、氮化硼双组分蒸发舟，改善铝的融化和蒸发速度，其蒸发率可以从5克/分钟以下提高到9.11克/分钟；提高同时间内铝在基膜上的沉淀量，可以降低膜的蒸镀速度，即膜卷的转动线速度，普通方阻金属化铝膜的蒸镀速度为7米/秒，应降低到2米/秒左右。更多的铝沉淀在基膜，也带来更多的热量，如果散热不好，会烫伤有机基膜，影响金属化铝膜的性能，需要将镀膜机主鼓的冷却温度从通常的_5°C降低到-25°C附近。所述真空镀膜机的蒸镀速度优选为2米/秒。所述镀膜机冷却主鼓的温度优选为_25°C。本专利技术制备的低方阻金属化铝膜在电容器中的应用。以上述方法蒸镀获得的超低方阻金属化铝膜，经中国航天科工集团8511研究所使用确认，可以应用于太空环境，承受温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件。本专利技术的有益效果是:该超低方阻金属化铝膜性能稳定，长期存放不会变质，可耐受大电流冲击，能在极端环境下如太空中使用，承受温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件。附图说明图1为本专利技术结构示意图。具体实施例方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本专利技术。如图1所示，一种超低方阻金属化铝膜，由基膜I和金属化铝膜层2组成，金属化铝膜层2的方阻为0.25、.65 Ω / 口，而常规金属化铝膜层的方阻为2 4 Ω / 口，即金属化铝膜层2的厚度是常规金属化铝膜的7倍左右，金属化铝膜层2大幅度增厚，意味着在真空蒸镀金属化铝膜时，要在同样的时间内在基膜上沉淀更多的铝。其中基膜I为有机薄膜，可以选用为聚酯膜或聚丙烯膜，其中金属化铝膜层2的金属层为金属铝附着在有机薄膜上形成。为了获得超低方阻金属化铝膜，需要改善铝的融化和蒸发速度，提高沉淀到基膜上的铝量，以及及时散发大幅度增加的热量，因此金属化铝膜层采用真空蒸镀制成。真空蒸镀的条件为，真空镀膜机的蒸镀速度为f 3米/秒，优选为2米/秒，镀膜机冷却主鼓的温度为-2(T-30°C，优选为_25°C，蒸发舟为二硼化钛、氮化硼双组分蒸发舟。使用比现有的氮化硼蒸发舟性能更好的蒸发舟，二硼化钛、氮化硼双组分蒸发舟，改善铝的融化和蒸发速度，其蒸发率可以从5克/分钟以下提高到9.11克/分钟；提高同时间内铝在基膜上的沉淀量，可以降低膜的蒸镀速度，即膜卷的转动线速度，普通方阻金属化铝膜的蒸镀速度为7米/秒，应降低到2米/秒左右。更多的铝沉淀在基膜，也带来更多的热量，如果散热不好，会烫伤有机基膜，影响金属化铝膜的性能，需要将镀膜机主鼓的冷却温度从通常的_5°C降低到-25°C附近。以上述方法蒸镀获得的超低方阻金属化铝膜，经中国航天科工集团8511研究所使用确认，可以应用于太空环境，承受温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件。以上显示和描述了本专利技术的基本原理和主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种超低方阻金属化铝膜，由基膜和金属化铝膜层组成，其特征在于：所述的金属化铝膜层的方阻为0.25~0.65Ω/□。
【技术特征摘要】
1.一种超低方阻金属化铝膜，由基膜和金属化铝膜层组成，其特征在于:所述的金属化铝膜层的方阻为0.25 0.65Ω / 口。2.根据权利要求1所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述的基膜为有机薄膜。3.根据权利要求2所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述的基膜为聚酯膜。4.根据权利要求2所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述的基膜为聚丙烯膜。5.根据权利要求1所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述的金属化铝膜层的金属层为金属铝附着在有机薄膜上形成。6.根据权利要求5所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤泽波，罗健，
申请(专利权)人：铜陵市东市电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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