超低方阻金属化铝膜制造技术

一种超低方阻金属化铝膜，涉及电容器技术领域，由基膜和金属化铝膜层组成，所述的金属化铝膜层的方阻为0.25~0.65Ω/□，而常规金属化铝膜层的方阻为2~4Ω/□，即金属化铝膜层的厚度是常规金属化铝膜的7倍左右，金属化铝膜层大幅度增厚，意味着在真空蒸镀金属化铝膜时，要在同样的时间内在基膜上沉淀更多的铝。本发明专利技术的超低方阻金属化铝膜性能稳定，长期存放不会变质，可耐受大电流冲击，能在极端环境下如太空中使用，承受温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电容器
，具体涉及一种超低方阻金属化铝膜。
技术介绍
将高纯度铝在高真空状态下熔化、蒸发、沉淀到基膜上，在基膜表面形成一层极薄的金属层后的塑料薄膜就是金属化铝膜。金属化薄膜上的金属层在单位正方形面积的电阻值称为方块电阻，用Ω/ □表示，因为金属化膜上金属化层的厚度很小极难测量，通常用方块电阻来表示金属镀层的厚度。金属化层的厚度和方阻值成反比，即方阻越低，金属化层厚度越大。目前，常规金属化铝膜的方阻为2 4Ω/口。在地面一般大气条件下，此种金属化铝膜使用不会出现问题，但在极端环境如太空中，温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件下，无法保证其制成的电容器的可靠性。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种超低方阻金属化铝膜，可以在在极端环境如太空中，温度急剧变化、高温、强振动和超重、高辐射环境、失重和微重力等条件下使用，并有很高的可靠性。本专利技术所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种超低方阻金属化铝膜，由基膜和金属化铝膜层组成，其特征在于:所述的金属化铝膜层的方阻为0.25、.65 Ω / 口，而常规金属化铝膜层的方阻为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超低方阻金属化铝膜，由基膜和金属化铝膜层组成，其特征在于：所述的金属化铝膜层的方阻为0.25~0.65Ω/□。

【技术特征摘要】
1.一种超低方阻金属化铝膜，由基膜和金属化铝膜层组成，其特征在于:所述的金属化铝膜层的方阻为0.25 0.65Ω / 口。2.根据权利要求1所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述的基膜为有机薄膜。3.根据权利要求2所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述的基膜为聚酯膜。4.根据权利要求2所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述的基膜为聚丙烯膜。5.根据权利要求1所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述的金属化铝膜层的金属层为金属铝附着在有机薄膜上形成。6.根据权利要求5所述的超低方阻金属化铝膜，其特征在于:所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤泽波，罗健，
申请(专利权)人：铜陵市东市电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：