【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容器，尤其涉及一种应用于电力电子电路DC-Link的高方阻金属化聚合物薄膜电容器。
技术介绍
电力电子电路DC-Link电容用于三相桥式整流或两相整流输出负载有突变的应用中，防止因负载的突变造成直流母线的寄生电感产生感生电势而导致的直流母线电压大幅度突变。要求产品能满足直线电压波动，还要吸收来自直流母线电压或负载的纹波电流，因此需要能承受高纹波电流的能力。现有铝电解电容自身可承受的纹波电流值较低，而需要多个铝电解电容的串联或并联才能满足所需要的纹波电流要求，但铝电解电容体积大，在空间上已不能容许；且应用 环境决定了铝电解电容的温度与寿命不能满足要求。国内目前采用纹波电流承受能力相同的薄膜电容代替铝电解电容，所才要能够的金属化薄膜分为加厚区方阻和非加厚区方阻，加厚区方阻较小，为2 4 Ω，非加厚区方阻为7.5Ω左右。其优点是加厚区边缘电流密度大，很快就可以自愈。但是，当靠近金属化膜的留边附近有疵点时，由于电流密度较小，无法迅速自愈，电弧产生的热量会引起该点邻近层介质发热，介电强度下降，从而发生击穿，此时该处企图自愈而又无法自愈，这样就会引起邻近...
【技术保护点】
高方阻金属化聚合物薄膜电容器，包括电容器外壳、电容芯子、电容芯子的引出电极，以及填充到电容器内部的环氧树脂灌封材料，电容芯子由两层金属化薄膜无感卷制而成，金属化薄膜包括聚丙烯薄膜介质层及涂覆在薄膜介质层之上的金属化层，其特征在于：所述金属化层分为加厚区、高方阻区和留边区，加厚区和留边区位于边沿，高方阻区位于中间；所述高方阻区采用锌铝复合金属层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶海锋，
申请(专利权)人：佛山市意壳电容器有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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