低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置，该低温多晶硅薄膜晶体管的有源层包括多个子单元，所述多个子单元中低温多晶硅的迁移率不同。该低温多晶硅薄膜晶体管可以有效降低漏电流同时迁移率保持较高水平。

Low temperature polycrystalline silicon thin film transistor, method for producing the same, array substrate and display device

The invention provides a low-temperature polycrystalline silicon thin film transistor array substrate and a preparation method thereof, and display device, the active layer of the low-temperature polysilicon thin film transistor comprises a plurality of sub units, migration of low temperature polysilicon of the plurality of sub units in different rate. The low temperature polycrystalline silicon thin film transistor can effectively reduce the leakage current while maintaining a high mobility.

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。
技术介绍
微棱镜阵列基板技术是一种新型的薄膜晶体管技术，但是其漏电流较大或迁移率不足，目前，为了降低微棱镜阵列基板的漏电流，通常采p-Si串联a-Si的方式，但整体薄膜晶体管的迁移率会大幅度下降，使其在小尺寸高分辨率上不具有明显优势。因此，目前的薄膜晶体管技术仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。本专利技术是基于专利技术人的以下发现而完成的：专利技术人在研究过程中发现，为了降低微棱镜阵列基板技术中薄膜晶体管的漏电流，一般的会使p-Si与a-Si进行串联，但是这种方法会使得整体薄膜晶体管的迁移率大幅度下降，如果能够开发一种既能够有效降低漏电流、又能保证较高的迁移率的薄膜晶体管，对显示装置的性能改进将具有重要意义。针对上述问题，专利技术人进行了深入研究，意外的发现，采用低温多晶硅制备薄膜晶体管的有源层，且使得其在不同位置具有不同的迁移率，可以使得薄膜晶体管的漏电流较低，且同时迁移率较高，薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，有源层包括多个子单元，所述多个子单元中低温多晶硅的晶粒尺寸不同。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，有源层包括多个子单元，所述多个子单元中低温多晶硅的晶粒尺寸不同。2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括成行依次排列的第一子单元、第二子单元和第三子单元，其中，所述第二子单元中低温多晶硅的晶粒尺寸大于或小于所述第一子单元和所述第三子单元中低温多晶硅的晶粒尺寸。3.根据权利要求1或2所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述多个子单元中低温多晶硅的晶粒尺寸不大于600nm。4.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的低温多晶硅薄膜晶体管。5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4所述的阵列基板。6.一种制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于，在形成所述有源层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张斌，詹裕程，孙雪菲，周婷婷，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11