一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统技术方案

本发明专利技术提出了一种多晶硅薄膜的质量检测方法，包括：向表面形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并进行拍摄，以获得薄膜图像；根据薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；按照设定的尺寸将薄膜图像分割成多个图像单元；获取图像单元中多晶硅薄膜的显示参数，获取对比结果，并计算最佳能量密度；根据对比结果获取合格的图像单元的数量；根据合格的图像单元的数量和图像单元的总数量判断多晶硅薄膜是否合格，若不合格，则控制加工设备对多晶硅薄膜进行激光退火处理，若合格，则结束检测。本发明专利技术还提供了一种多晶硅薄膜的质量检测系统。本发明专利技术可以将检测出的不合格产品最佳能量密度再加工得到合格产品，并同时获得最佳能量密度，增加了产品的合格率。

Method and system for detecting quality of polycrystalline silicon film

The invention provides a quality detection method, a polysilicon film formed on the surface of the substrate includes: to light a polysilicon film, and film, in order to obtain the film image; according to the optimal energy density to determine the brightness of film image; according to the set size film image is divided into a plurality of image display unit; obtaining parameters of polysilicon film image unit, get results, and calculate the optimal energy density; according to the comparison results to obtain image unit qualified number; judging whether or not qualified according to the total amount of polycrystalline silicon thin film and the number of image unit image unit of qualified, if not qualified, the control processing equipment of polycrystalline silicon thin film by laser annealing treatment, if qualified that is the end of testing. The invention also provides a quality inspection system of the polysilicon film. The invention can reprocess the unqualified energy of the detected product to obtain the qualified product, and obtain the best energy density at the same time, and increase the qualified rate of the product.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统
本专利技术涉及显示器件检测领域，尤其涉及一种多晶硅薄膜的质量检测方法。
技术介绍
专利CN201510408380.7公开了一种多晶硅薄膜的质量检测方法和系统，提供了一种通过拍摄图像来判断多晶硅薄膜质量的方案，其流程图如图1所示，其存在的问题时，仅公开了检测的方法和系统，未公开当检测到不合格产品时，如何选择最佳能量密度值来保证在进行再加工的退火处理时，将不合格品加工使其成为合格品。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术中存在的多晶硅薄膜质量检测方法中若不良品超过一定比例则产品直接报废而造成生产成本浪费的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提出了一种多晶硅薄膜的质量检测方法。根据本专利技术的第一个方面，提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法，其包括如下步骤：向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格。优选地，所述根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤还包括：若不合格，对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理；若合格，则结束检测。优选地，所述根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度的方法为：预先建立薄膜图像亮度与最佳能量密度的对应关系，通过所述对应关系以及所述薄膜图像亮度确定最佳能量密度。优选地，将所述显示参数与所述预设参数进行对比以获取对比结果的步骤包括：若所述线条宽长度分布大于或等于阈值，并且所述亮度大于或等于所述亮度值，则对比结果为合格；否则为不合格。优选地，所述显示参数至少包括亮度和线条宽长度分布，所述根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的所述对比结果获取合格的所述图像单元的数量的步骤包括：根据所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果确定所述图像单元是否合格；统计合格的所述图像的数量。优选地，所述根据薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤包括：将合格的所述图像单元的数量与预设数量进行比较，所述预设数量为根据所述图像单元的总数量设定的数量；当合格的所述图像单元的数量小于预设数量时，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；当合格的所述图像单元的数量大于或等于预设数量时，且所述薄膜图像的亮度为最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格。优选地，所述根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤包括：根据合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量计算图像单元的合格率；将所述合格率与预设的合格率进行比较；当所述合格率小于预设合格率，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为不合格；当所述合格率大于或等于预设的合格率，且所述薄膜图像的亮度是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜的质量为合格。若多晶硅薄膜的质量为不合格时，对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理。在一个具体的实施例中，所述不合格时，激光退火处理的方式包括：若合格率小于预设的合格率但大于预设值(如50％)时，仅对不合格处(不合格的图像单元在多晶硅薄膜上对应的区域)进行激光退火处理；若合格率为所述预设值(如50％)以下时，对所述多晶硅薄膜的全部进行激光退火处理。优选地，所述对所述多晶硅薄膜进行拍摄的步骤包括：在与所述基板呈5度至45度角的方向上对所述多晶硅薄膜进行拍摄。优选地，所述向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光的步骤包括：在与表面上形成有多晶硅薄膜的基本呈5度到45度角的方向上向所述基板照射光。根据本专利技术的第二个方面，提供了一种多晶硅薄膜的质量检测系统，其包括：拍摄装置和处理器；所述拍摄装置包括：电荷耦合组件、光学镜头以及光源；所述光源位于所述表面上形成有多晶硅薄膜的基板下方，用于向所述基板照射光；所述光学镜头位于所述基板上方，用于收集视场内的光线，并将所述光线引入到所述电荷耦合组件，所述多晶硅薄膜包含在所述视场中；所述电荷耦合组件，用于感应所述光线生成对应的图像，并将所述图像传输给所述处理器；所述处理器，用于：根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格，若不合格，控制所述加工设备对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理，若合格，则结束检测。与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：本专利技术优化了影像扫描条件，通过确定最佳能量密度来在再加工的激光退火过程中准确地将不合格产品加工为合格产品，大大提高合格的产品率，降低生产成本。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例共同用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1显示了现有技术中的多晶硅薄膜的质量检测方法的流程图；图2显示了本专利技术实施例的多晶硅薄膜的质量检测方法的流程图；图3显示了本专利技术实施例的多晶硅薄膜的质量检测系统的基板与光学镜头的拍摄角度关系的示意图；图4显示了本专利技术实施例的多晶硅薄膜的最佳能量密度示意图；图5显示了经过拍摄得到的不合格的多晶硅薄膜的图片；图6显示了经过拍摄得到的合格的多晶硅薄膜的图片；图7显示了本专利技术实施例的多晶硅薄膜的质量检测系统的原理图；图8显示了本专利技术实施例的多晶硅薄膜的质量检测系统的示意图；图9显示了本专利技术的多晶硅薄膜质量检测方法的一个具体实施例的流程图；图10显示了本专利技术的多晶硅薄膜质量检测方法的另一个具体实施例的流程图。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。本专利技术旨在解决现有技术中存在的多晶硅薄膜质量检测方法中若不良品超过一定比例则产品直接报废而造成生产成本浪费的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术提出了一种多晶硅薄膜的质量检测方法。如图2所示，提供了一种多晶硅薄膜的质量检测方法，包括步骤100-步骤600。在步骤S100中，向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅薄膜的质量检测方法，其包括如下步骤：向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜的质量检测方法，其包括如下步骤：向表面上形成有多晶硅薄膜的基板照射光，并对所述多晶硅薄膜进行拍摄，以获得薄膜图像；根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度；按照设定的尺寸将所述薄膜图像分割成多个图像单元；获取所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数，并将所述显示参数与预设参数进行对比，以获取对比结果；根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果获取合格的所述图像单元的数量；根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量以及所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤还包括：若不合格，对所述多晶硅薄膜进行激光退火处理；若合格，则结束检测。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述薄膜图像的亮度确定最佳能量密度的方法为：预先建立薄膜图像亮度与最佳能量密度的对应关系，通过所述对应关系以及所述薄膜图像亮度确定最佳能量密度。4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，将所述显示参数与所述预设参数进行对比以获取对比结果的步骤包括：若所述线条宽长度分布大于或等于阈值，并且所述亮度大于或等于所述亮度值，则对比结果为合格；否则为不合格。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述显示参数至少包括亮度和线条宽长度分布，所述根据各所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的所述对比结果获取合格的所述图像单元的数量的步骤包括：根据所述图像单元中所述多晶硅薄膜的显示参数与所述预设参数的对比结果确定所述图像单元是否合格；统计合格的所述图像的数量。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据薄膜图像的亮度、合格的所述图像单元的数量和所述图像单元的总数量判断所述多晶硅薄膜是否合格的步骤包括：将合格的所述图像单元的数量与预设数量进行比较，所述预设数量为根据所述图像单元的总数量设定的数量；当合格的所述图像单元的数量小于预设数量，或所述薄膜图像的亮度不是最佳能量密度所对应的亮度时，确定所述多晶硅薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱均，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42