一种多晶硅薄膜的检测装置及检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种多晶硅薄膜的检测装置及检测方法，该检测装置包括：供发射光束的一发射单元、供接收反射光束的一接收单元、一控制单元、以及一影像侦测单元，所述控制单元分别连接控制所述发射单元、所述接收单元和所述影像侦测单元，所述控制单元接收所述发射单元、所述接收单元和所述影像侦测单元传送的信号，通过接收到的信号逻辑判断所述多晶硅薄膜的图像缺陷。提高多晶硅薄膜的检测准确度，减少人眼主观判断的错误率，相对于传统的裂片检测有效地缩短检测时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅薄膜的检测技术，尤指一种检测多晶硅薄膜Mura缺陷的检测装置及检测方法。
技术介绍
多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中温度高于600度，衬底使用昂贵的石英，但制备工艺较简单。另一类是低温工艺，加工工艺温度低于600度，可用廉价玻璃作衬底，因此可以大面积制作，但制备工艺较复杂。现行采用低温工艺制备多晶硅薄膜较为普遍，经激光照射后，非晶硅薄膜转换成为多晶硅薄膜，如图1所示，发射单元10发射出激光束101经反射镜60反射到非晶硅薄膜20的表面，经激光束101照射的非晶硅薄膜20转换成为多晶硅薄膜201。由于薄膜成长的均匀性受到非晶硅材料的特性、激光设备能力的稳定性、光束均匀性、移动平台的稳定性、腔体氧浓度等因素影响，造成制作出的多晶硅薄膜会产生Mura(线条)缺陷、<br>结晶性不佳等现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅薄膜的检测装置，其特征在于，包括：发射单元，用于向待测多晶硅薄膜发射探测光束；接收单元，用于接收由所述发射单元所发射的探测光束经所述待测多晶硅反射的探测反射光束；控制单元，连接于所述发射单元和所述接收单元，用于根据获得的所述发射单元发送的探测光束信号和所述接收单元接收的探测反射光束信号而检测所述待测多晶硅薄膜表面的缺陷密度，并在检测到所述待测多晶硅薄膜表面的缺陷密度为不合格时发出结束检测的中断信号以及在检测到所述待测多晶硅薄膜表面的缺陷密度为合格时发出控制信号；影像侦测单元，连接于所述控制单元，用于根据所述控制单元发送的控制信号而对多晶硅薄膜进行拍摄并将拍摄所形成图像信号传送给所述控...

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜的检测装置，其特征在于，包括：
发射单元，用于向待测多晶硅薄膜发射探测光束；
接收单元，用于接收由所述发射单元所发射的探测光束经所述待测多
晶硅反射的探测反射光束；
控制单元，连接于所述发射单元和所述接收单元，用于根据获得的所
述发射单元发送的探测光束信号和所述接收单元接收的探测反射光束信
号而检测所述待测多晶硅薄膜表面的缺陷密度，并在检测到所述待测多晶
硅薄膜表面的缺陷密度为不合格时发出结束检测的中断信号以及在检测
到所述待测多晶硅薄膜表面的缺陷密度为合格时发出控制信号；
影像侦测单元，连接于所述控制单元，用于根据所述控制单元发送的
控制信号而对多晶硅薄膜进行拍摄并将拍摄所形成图像信号传送给所述
控制单元，以供所述控制单元根据所述图像信号判定所述待测多晶硅薄膜
的图像缺陷。
2.如权利要求1所述的一种多晶硅薄膜待检测装置，其特征在于：
所述控制单元包括所述缺陷密度的初设条件，
当所述缺陷密度与初设条件不符时，所述控制单元发送中断信号，结
束多晶硅薄膜的检测；
当所述缺陷密度符合初设条件时，所述控制单元发送控制信号至所述
影像侦测单元。
3.如权利要求1所述的一种多晶硅薄膜的检测装置，其特征在于，
所述影像侦测单元包括一相机和一光源，所述光源照射多晶硅薄膜，所述
相机与所述多晶硅薄膜成一角度拍摄所述多晶硅薄膜并将图像信号传送
至所述控制单元。
4.如权利要求3所述的一种多晶硅薄膜的检测装置，其特征在于，
所述相机为电感耦合相机。
5.如权利要求3所述的一种多晶硅薄膜的检测装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶昱均，黄政仕，方赞源，任东，韩开，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31