一种多晶硅片制绒的清洗方法技术

本发明专利技术揭示了一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。本发明专利技术明显提高了硅片会因为碱洗过程中碱与硅片的反应，防止现有绒面被破坏的情况，从而形成反射率更低的绒面设备，从而改善了电池的电性能。

Method for cleaning polycrystalline silicon chip

The invention discloses a method for cleaning silicon velvet, cleaning the wafer after wool making, the method comprises the following steps: S1: acid texturing; S2: washing by silicon S1 step; S3: the silicon wafer in the first cleaning solution after washing in immersion cleaning; S4: on the first wafer cleaning fluid to clean after washing; S5: soaking cleaning by wafer cleaning liquid in second S4 steps after washing; S6: on the second clean silicon cleaning liquid after the washing; S7: soaking cleaning by wafer cleaning liquid in third S6 steps after washing S8: third; after cleaning a silicon wafer cleaning liquid after the drying. The invention obviously improves the silicon wafer to prevent the existing suede from being damaged due to the reaction of the alkali and the silicon in the alkali washing process, thereby forming a lower reflectivity suede equipment, thereby improving the electric performance of the battery.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅片制绒的清洗方法
本专利技术涉及太阳能电池板制造
，更具体地说，涉及一种多晶硅片制绒的清洗方法。
技术介绍
光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术，是当前利用太阳能的主要方式之一，光伏发电因其无枯竭危险；安全可靠，无噪声，无污染排放外，绝对干净（无公害）；不受资源分布地域的限制，可利用建筑屋面的优势；例如，无电地区，以及地形复杂地区；无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电；能源质量高等优点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。因此，深入研究和利用太阳能资源，对缓解全球资源危机、改善生态环境具有十分重要的意义。在晶体硅类太阳电池制造工艺中，硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗，清洗的目的是要消除在硅片表面的各类污染物，并制做能够减少表面太阳光反射的绒面结构（制绒），且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。制绒是制造晶硅电池的第一道工艺，又称“表面织构化”，有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能，制备完绒面后经过水洗，碱洗，水洗，酸洗等过程来制备出需要的绒面，然而在经过碱洗的时候，碱会进一步的腐蚀硅片，由于多晶硅的晶体结构为无规则的晶向，所有反应是相同晶向则会出现亮度与其他晶向不一致，此时不能很好的掌控其反应速率，导致制备绒面的时候会出现大绒面和小绒面的情况。因此，如何提供一种有效的清洗工艺对制绒工艺中的硅片进行有效清洗已成为目前业界亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种多晶硅片制绒的清洗方法，以便对硅片进行有效清洗，从而进一步降低反射率，提高电池的性能。本专利技术的目的将通过以下技术方案得以实现：一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第一清洗液为碱性溶剂；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第二清洗液为碱性溶剂；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；所述第三清洗液为HCL和HF的混合溶液；S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。优选地，S3步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第一清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液。优选地，S5步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第二清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液。优选地，所述第一清洗液为1%的KOH或1%的NaOH和0.5%的缓蚀剂。优选地，所述第二清洗液为4%的KOH或4%的NaOH和1%的缓蚀剂。优选地，所述第三清洗液中HCL和HF的体积比为3:1。优选地，所述第一清洗液浸泡清洗的时间为3～5sec。优选地，所述第二清洗液浸泡清洗的时间为6～10sec。优选地，所述第三清洗液浸泡清洗的时间为30～60sec。本专利技术技术方案的优点主要体现在：该方法在操作过程中可很好地掌控其反应速率，从而更好地利用时间调整来达到绒面控制的质量，在制备绒面的时候不会出现大绒面和小绒面的情况。本专利技术明显提高了硅片会因为碱洗过程中碱与硅片的反应，防止现有绒面被破坏的情况，从而形成反射率更低的绒面设备，从而改善了电池的电性能。附图说明图1是使用传统硅片制绒的清洗方法清洗后的硅片表面的SEM图；图2是使用本专利技术硅片制绒的清洗方法清洗后的硅片表面的SEM图。具体实施方式本专利技术的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本专利技术技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本专利技术要求保护的范围之内。硅片制绒是硅太阳能电池加工过程中非常重要的一步，制绒不但可以形成陷光性好的绒面，还可以去除硅片表面损伤层，形成利于PN结平整性好的绒面。如图1所示，本专利技术提供了一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；硅片首先在温度为5～20度的HF和HNO3的混合溶液中浸泡60～90sec进行酸腐蚀处理，达到对硅片初步制绒的目的。S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S3步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第一清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液。所述第一清洗液为1%的KOH或1%的NaOH和0.5%的缓蚀剂，在本实施例中，所述第一清洗液优选为1%的KOH和0.5%的缓蚀剂，所述缓蚀剂为体积比为1%的TS45添加剂，所述第一清洗液浸泡清洗的时间为3～5sec，减少多晶硅片进一步的腐蚀，导致表面明显晶格差异的情况。S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第一清洗液为碱性溶剂；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S4步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第二清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液；所述第二清洗液为4%的KOH或4%的NaOH和1%的缓蚀剂，所述第二清洗液浸泡清洗的时间为6～10sec，在本实施例中，所述第二清洗液优选为4%的KOH和1%的缓蚀剂，所述缓蚀剂为体积比为1%的TS45添加剂，减少多晶硅片进一步的腐蚀，导致表面明显晶格差异的情况，主要进行二次处理，让其表面多孔硅去除干净；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第二清洗液为碱性溶剂；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；所述第三清洗液为HCL和HF的混合溶液，且HCL和HF的体积比为3:1，所述第三清洗液浸泡清洗的时间为30～60sec。第三次的清洗液是常规的酸槽清洗液，中和碱液和脱水作用，HCL的作用是中和残留在硅片表面的碱液，去除在硅片切割时表面引入的金属杂质，盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Fe3+、Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+等金属离子形成可溶于水的络合物。HF的作用是去除在清洗过程中表面形成SiO2层，便于脱水，硅的疏水性要好于SiO2。S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼睛、长袖胶皮手套。一旦有化学试剂伤害了操作人员的身体，马上用纯水冲洗30分钟，并送医院就医。关于本专利技术提供的硅片制绒的清洗方法的效果，SEM是检测绒面效果的重要方法，通过SEM我们可以清楚的看到绒面大小、绒面密度、绒面深度，通过SEM判断制绒效果。如图1和如图2所示，其中图1为使用传统硅片制绒的清洗方法清洗后的硅片表面的SEM（扫描电子显微镜）图，图2为使用本专利技术实施例提供的硅片制绒的清洗方法清洗后的硅片表面的SEM（扫描电子显微镜）图，对两种工艺出来后进行比较反射率情况，比较外观绒面对比及显微镜下观察绒面大小。比较图1与图2可知，外观观察比较晶格比正常的小，亮度比传统工艺的低；显微镜下观察绒面状况比传统的要好，图1中，硅片的绒面存在一些污染物，图2中硅片的绒面表面几乎没有污本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第一清洗液为碱性溶剂；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第二清洗液为碱性溶剂；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；所述第三清洗液为HCL和HF的混合溶液；S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅片制绒的清洗方法，对制绒后的硅片进行清洗，其特征在于：该方法包括以下步骤：S1:酸制绒；S2：将经S1步骤后的硅片进行水洗；S3：将经水洗后的硅片置于第一清洗液中进行浸泡清洗；S4：对经第一清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第一清洗液为碱性溶剂；S5：将经S4步骤水洗后的硅片置于第二清洗液中进行浸泡清洗；S6：对经第二清洗液清洗后的硅片进行水洗；所述第二清洗液为碱性溶剂；S7：将经S6步骤水洗后的硅片置于第三清洗液中进行浸泡清洗；所述第三清洗液为HCL和HF的混合溶液；S8：对经第三清洗液清洗后的硅片进行烘干。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片制绒的清洗方法，其特征在于：S3步骤中的碱性溶剂可为KOH或NaOH，所述第一清洗液为KOH或NaOH和缓蚀剂的混合溶液。3.根据权利要求1所述的一种多晶硅片制绒的清洗方法，其特征在于：S5步骤中的碱性溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾石发，
申请(专利权)人：中建材浚鑫科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32