【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】绝缘体上硅晶圆的制造方法
本专利技术涉及一种绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator,以下简称为SOI)晶圆的制造方法,特别是关于被称为FDSOI(FullyDepletedSilicon-On-Insulator:全空乏SOI)的被要求有极高SOI层膜厚度的均一性的SOI晶圆的制造方法。
技术介绍
根据现有技术,作为将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI层薄膜化的方法之一,进行将SOI晶圆以批次(batch)式热处理炉进行热处理,借由氧化SOI层表面的Si而使变质成氧化膜之后,去除此氧化膜的方法(即所谓的牺牲氧化处理)。借由此方法将SOI膜厚度高精度地薄膜化至目标值,必须经由正确地调控来使氧化膜厚度达到目标值。然而,实际上由于氧化过程中的大气压的变动会导致氧化率变化的缘故,要对经由热处理而成长的氧化膜厚度进行正确地调控是件非常困难的事。因此,借由氧化膜的形成与去除来进行薄膜化的情形下,会采取使薄膜化处理后的SOI膜厚度比目标值稍(约3nm左右)厚来进行借由氧化膜的形成与去除的薄膜化,之后再另外调控蚀刻时间来借由蚀刻(etching)的薄膜化以达到目标值的方法。在这两阶段薄膜化的方法中,如专利文献1所示,所采取的是于去除氧化后的氧化膜之后测定SOI膜厚度,以该值为基础,设定下个阶段的蚀刻处理的加工量的方法。再者,于借由氧化膜的形成与去除以及蚀刻的该两阶段薄膜化处理中,作为缩短步骤的方法,提出有:于氧化后仍带有氧化膜的状态下测定SOI层的膜厚度,基于所测定出的SOI层的膜厚度,以洗净的同一批处理进行氧化膜去除以及蚀刻,还有洗净处理的方法。再者,除了 ...
【技术保护点】
一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法,具有将形成有绝缘体上硅层(SOI层)的SOI晶圆的绝缘体上硅膜厚度(SOI膜厚度)予以调整的薄膜化处理,该SOI晶圆的制造方法包含:(A1)测定步骤,将形成有该SOI层的SOI晶圆在该薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定;(A2)旋转步骤,基于借由在该(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该薄膜化处理的平面内加工量分布,而决定出在进行该薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置,使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置;以及(A3)薄膜化步骤,将经该(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.24 JP 2014-1944251.一种绝缘体上硅(SOI)晶圆的制造方法,具有将形成有绝缘体上硅层(SOI层)的SOI晶圆的绝缘体上硅膜厚度(SOI膜厚度)予以调整的薄膜化处理,该SOI晶圆的制造方法包含:(A1)测定步骤,将形成有该SOI层的SOI晶圆在该薄膜化处理前的SOI膜厚度予以测定;(A2)旋转步骤,基于借由在该(A1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该薄膜化处理的平面内加工量分布,而决定出在进行该薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置,使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置;以及(A3)薄膜化步骤,将经该(A2)步骤中所旋转的SOI晶圆的SOI层予以薄膜化处理。2.一种SOI晶圆的制造方法,具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的薄膜化处理,其中该SOI晶圆的制造方法包含:(B0)形成步骤,在氧化性气体氛围下进行热处理而于该SOI层的表面予以形成热氧化膜;(B1)测定步骤,在仍带有该热氧化膜的状态下,将在该(B0)步骤中形成有热氧化膜的SOI晶圆的SOI膜厚度予以测定;(B2)旋转步骤,基于借由在该(B1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该薄膜化处理的平面内加工量分布,而决定出在进行该薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置,使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置;以及(B3)薄膜化步骤,借由批次(batch)式洗净,而因应于该(B1)步骤所得到的SOI膜厚度来控制该SOI层的蚀刻量的同时,对该SOI层予以薄膜化处理,其中该批次式洗净包括在该(B2)步骤中经旋转的SOI晶圆的SOI层表面的热氧化膜去除以及该SOI层的蚀刻。3.一种SOI晶圆的制造方法,具有将形成有SOI层的SOI晶圆的SOI膜厚度予以调整的第一及第二薄膜化处理,其中该SOI晶圆的制造方法包含下列步骤:(C0)形成步骤,在氧化性气体氛围下进行热处理而于该SOI层的表面予以形成热氧化膜;(C1)测定步骤,在仍带有该热氧化膜的状态下,将在该(C0)步骤中形成有热氧化膜的SOI晶圆的SOI膜厚度予以测定;(C2)旋转步骤,基于借由在该(C1)步骤的膜厚度测定所得到的SOI膜厚度的平面内分布以及预先求出的在该第一薄膜化处理的平面内加工量分布,而决定出在进行该第一薄膜化处理时的该SOI晶圆的旋转位置,使该SOI晶圆绕中心轴旋转而达到该旋转位置;(C3)第一薄膜化步骤,借由批次(batch)式洗净,而因应于该(C1)步骤所得到的SOI膜厚...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿贺浩司,桑原登,
申请(专利权)人:信越半导体株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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