【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及晶圆的双面抛光方法及双面抛光硅晶圆。
技术介绍
1、现在所进行的抛光为了制作出尽可能无凹凸的精密面而正在摸索构件和抛光条件等。因此，大部分所制成的晶圆面的afm(atomic force microscope(原子力显微镜))粗糙度(通过原子力显微镜分析获得的粗糙度)ra为0.1nm以下、粗糙度小，晶圆的表面与背面均容易成为平坦的面。以往也存在下述报告：如专利文献1所述，通过调整浆料中的缔合型胶体二氧化硅的缔合度来提升抛光速率；如专利文献2及专利文献3所述，将磨粒的缔合度设为例如1.0以上且小于5.0，从而提升抛光速率且同时使起因于磨粒形状的表面粗糙度良好。
2、专利文献4记载了一种方法，其在单面抛光中，在后续的第二(精)抛光工序中将水溶性高分子添加至精抛光浆料中，利用精抛光布抛光第一(粗)抛光工序中发生的水印缺陷，由此形成保护膜并且减少水印缺陷。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2017-155242号公报
6、专利文献2：国际公开第wo2017/163942号册子
7、专利文献3：日本特开2019-169687号公报
8、专利文献4：日本特开2016-51763号公报
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题
2、作为近年来的顾客需求，由于背面相较于光刻工序中的真空针卡盘(vacuum pinchuck)越粗糙、越能够减少针(pin)与晶圆之
3、本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供可获得背面经粗糙化的双面抛光晶圆的双面抛光方法及背面经粗糙化的双面抛光硅晶圆。
4、解决技术问题的技术手段
5、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种双面抛光方法，其特征在于，
6、对晶圆进行第一抛光，该第一抛光中使用根据(通过动态散射法测定的以体积为基准的平均粒径)/(使用扫描电子显微镜测定的以个数为基准的平均实际粒径)求得的缔合度小于1.0的磨粒的浆料；
7、在所述第一抛光后，使用含有水溶性聚合物的浆料对所述晶圆进行15秒以下的第二抛光。
8、通过对晶圆进行第一抛光，且在该第一抛光中使用根据(通过动态散射法测定的以体积为基准的平均粒径)/(使用扫描电子显微镜测定的以个数为基准的平均实际粒径)求得的缔合度小于1.0的磨粒的浆料，能够获得一种背面经粗糙化的双面抛光晶圆、例如背面的每2μm2的afm粗糙度ra为0.3nm以上的双面抛光晶圆。此外，通过在第一抛光后，使用含有水溶性聚合物的浆料对晶圆实施15秒以下的第二抛光(以后也称为精抛光)，能够维持背面的粗糙度，并且实现对表面、背面的保护。
9、能够使用肖氏硬度a为70以上的发泡氨基甲酸酯类的抛光布或无纺布类的抛光布来进行所述第一抛光。
10、例如，能够使用这种硬度的抛光布来进行第一抛光。
11、此外，本专利技术提供一种双面抛光硅晶圆，其特征在于，背面的每2μm2的afm粗糙度ra为0.3nm以上。
12、这样的双面抛光硅晶圆虽然进行了双面抛光，但是背面仍被充分粗糙化。这样的双面抛光硅晶圆能够满足谋求背面经粗糙化的双面抛光晶圆的顾客的需求。通过将本专利技术的双面抛光硅晶圆用于例如光刻工序，能够减少真空针卡盘的针与晶圆之间的摩擦。
13、专利技术效果
14、如上所述，若为本专利技术的双面抛光方法，则能够获得一种背面经粗糙化的双面抛光晶圆。
15、此外，本专利技术的双面抛光硅晶圆能够满足谋求背面经粗糙化的双面抛光晶圆的顾客的需求。
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1.一种双面抛光方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的双面抛光方法，其特征在于，使用肖氏硬度A为70以上的发泡氨基甲酸酯类的抛光布或无纺布类的抛光布来进行所述第一抛光。
3.一种双面抛光硅晶圆，其特征在于，背面的每2μm2的AFM粗糙度Ra为0.3nm以上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种双面抛光方法，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的双面抛光方法，其特征在于，使用肖氏硬度a为70以上的发泡氨基甲酸酯类的抛...
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