【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件用基板及其制造方法。
技术介绍
1、使用了氮化物半导体的外延基板用于以高频率且高输出进行动作的功率元件等。特别地，作为适于在微波、准毫米波、毫米波等高频带中进行放大的元件，已知例如高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor：hemt)等。
2、在这样的hemt等中使用外延基板例如在专利文献1中公开。外延基板例如由缓冲层与器件有源层构成，该缓冲层是在硅基板上由aln层、algan层及gan层与aln层交替层叠而成的超晶格结构构成，该器件有源层是在缓冲层上形成有由gan构成的沟道层、由algan构成的阻挡层及由gan构成的覆盖层而成。另外，通过在外延基板上设置源极、漏极、栅极，可获得半导体元件(例如hemt等)。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1：日本特开2010-225703号公报
技术实现思路
1、(一)要解决的技术问题
2、但是，在上述结构的外延基板中，当将硅基板设为高电阻硅基板时，由于al会从aln层扩散至高电阻硅基板，从而在高电阻硅基板中形成低电阻层，该部分会作为泄漏路径而供电流在横方向上流动，因此器件的电特性会恶化。
3、本专利技术为了解决上述问题而完成，其目的在于提供一种能够对器件赋予良好的电特性的半导体器件用基板、及这种基板的简便的制造方法。
4、(二)技术方案
5、为了解决上述问题，在本专利技
6、电阻率100ω·cm以上的高电阻单晶硅基板；
7、由形成在所述高电阻单晶硅基板上的aln层构成的第一缓冲层；以及
8、设置在所述第一缓冲层上的氮化物半导体层，
9、其特征在于，
10、在所述高电阻单晶硅基板表面不存在电阻率比该高电阻单晶硅基板整体的电阻率相对低的低电阻率部分。
11、如果是像这样在电阻率100ω·cm以上的高电阻硅基板不存在低电阻率部分的半导体器件用基板，则能够制造高频特性良好的半导体器件。
12、此外，优选地，
13、设置在所述第一缓冲层上的所述氮化物半导体层是
14、由设置在所述第一缓冲层上的氮化物半导体层构成的第二缓冲层、以及
15、由设置在所述第二缓冲层上的氮化物半导体层构成的器件有源层。
16、在本专利技术中，特别适合设为这种结构的半导体器件用基板。
17、此外，在本专利技术中，提供一种半导体器件用基板的制造方法，包含：
18、(1)准备层叠基板的工序，该层叠基板包含电阻率100ω·cm以上的高电阻单晶硅基板、由形成在所述高电阻单晶硅基板的表面上的aln层构成的第一缓冲层、以及设置在所述第一缓冲层上的氮化物半导体层；以及
19、(2)消除低电阻率部分的工序，从所述高电阻单晶硅基板的背面侧向所述层叠基板照射电子射线，消除形成于所述高电阻单晶硅基板的表面的低电阻率部分，该低电阻率部分的电阻率比该高电阻单晶硅基板整体的电阻率相对低。
20、如果是这样的制造方法，则能够较容易地消除形成于高电阻单晶硅基板表面的低电阻率部分，并且能够制造一种半导体器件用基板，其能够制造高频特性良好的半导体器件。
21、此外，优选地，
22、将设置在所述第一缓冲层上的所述氮化物半导体层设为
23、由设置在所述第一缓冲层上的氮化物半导体层构成的第二缓冲层、以及
24、由设置在所述第二缓冲层上的氮化物半导体层构成的器件有源层。
25、在本专利技术中，特别适合设为这种结构的半导体器件用基板。
26、(三)有益效果
27、如上所述，如果是本专利技术，则能够通过消除形成于高电阻单晶硅基板表面的低电阻率部分，提供一种能够对器件赋予良好的电特性的半导体器件用基板、及这种基板的简便的制造方法。
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1.一种半导体器件用基板，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体器件用基板，其特征在于，
3.一种半导体器件用基板的制造方法，其特征在于，包含：
4.根据权利要求3所述的半导体器件用基板的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件用基板，包含：
2.根据权利要求1所述的半导体器件用基板，其特征在于，
3.一种半...
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