一种晶圆刻蚀工艺制造技术

本发明专利技术公开一种晶圆刻蚀工艺，包括如下步骤：分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子。扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面。表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞。反应：与柜表面的膜层发生RIE反应。解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面。排放：排放反应腔。本发明专利技术可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特性，通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆刻蚀工艺。
技术介绍
刻蚀工艺是半导体技术中一个重要的环节，随着半导体技术的不断发展，刻蚀技术也有了很大的发展。在大规模集成电路的制造中，刻蚀工艺主要分为湿法刻蚀和干法刻蚀两大类。但是，传统刻蚀工艺存在如下不足：一、各向异性差，横向腐蚀使得刻蚀剖面呈半圆弧形，不仅使图形剖面发生变化，而且稍有过刻蚀时剖面会产生虚线，致使薄膜上图形的线宽比原抗腐蚀剂膜上形成的线宽小。二、选择性差，必须采用专门的刻蚀终点监测，而且刻蚀效率低下。
技术实现思路
本专利技术的目的在于通过一种晶圆刻蚀工艺，来解决以上
技术介绍
部分提到的问题。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种晶圆刻蚀工艺，其包括如下步骤：S101、分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子；S102、扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面；S103、表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞；S104、反应：与柜表面的膜层发生RIE反应；S105、解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面；S106、排放：排放反应腔。特别地，所述步骤S101中的等离子体选用纯CF4。本专利技术提出的晶圆刻蚀工艺可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特性，通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。附图说明图1为本专利技术实施例提供的晶圆刻蚀工艺流程图。具体实施方式<br>下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。请参照图1所示，图1为本专利技术实施例提供的晶圆刻蚀工艺流程图。晶圆刻蚀前的准备工作：将晶圆直接放在下电极上，腔室内有中性电极以增大有效积，以此可增大从等离子体到电极电压差和离子撞机的能量。本实施例中晶圆刻蚀工艺具体包括如下步骤：S101、分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子。在本实施例中所述等离子体选用纯CF4。S102、扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面。S103、表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞。S104、反应：与柜表面的膜层发生RIE反应。S105、解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面。S106、排放：排放反应腔。本专利技术的技术方案可以进行精确控制，提高了刻蚀的各向异性特性，通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双从作用刻蚀，选择性也较好。注意，上述仅为本专利技术的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本专利技术不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本专利技术的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本专利技术进行了较为详细的说明，但是本专利技术不仅仅限于以上实施例，在不脱离本专利技术构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本专利技术的范围由所附的权利要求范围决定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆刻蚀工艺,其特征在于，包括如下步骤：S101、分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子；S102、扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面；S103、表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞；S104、反应：与柜表面的膜层发生RIE反应；S105、解吸：RIE反应的生成物解吸，离开硅片表面；S106、排放：排放反应腔。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆刻蚀工艺,其特征在于，包括如下步骤：
S101、分离：工艺气体由等离子体电离为可化学反应的粒子；
S102、扩散：粒子扩散并吸附到硅片被刻蚀的表面；
S103、表面扩散：到达硅表面后，四处移动碰撞；
S104、反...

【专利技术属性】
技术研发人员：华源兴，
申请(专利权)人：江苏凯旋涂装自动化工程有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32