激光三维成像装置及其制造方法制造方法及图纸

一种激光三维成像装置及其制作方法，包括步骤：提供第一半导体晶圆；刻蚀第一半导体晶圆，在衬底中形成接触孔；填充接触孔，并在接触孔上形成金属连线；在接触孔、金属连线、APD和衬底上形成介质层；在介质层上形成玻璃层；研磨第一半导体晶圆的背面直到露出接触孔的底部；在所述第一半导体晶圆的背面形成掺杂区；形成与掺杂区互连的互连电极；提供第二半导体晶圆，其包括CMOS电路和金属层；将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆相对重叠放置，并将第二半导体晶的金属层和第一半导体晶圆背面的互连电极对应键合。本发明专利技术的激光三维成像装置及其制作方法，将三维APD阵列和CMOS像素原位信号放大器纵向的整合为一个器件，从而明显减小了电路的面积。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种激光三维成像装置及其制作方法，包括步骤：提供第一半导体晶圆；刻蚀第一半导体晶圆，在衬底中形成接触孔；填充接触孔，并在接触孔上形成金属连线；在接触孔、金属连线、APD和衬底上形成介质层；在介质层上形成玻璃层；研磨第一半导体晶圆的背面直到露出接触孔的底部；在所述第一半导体晶圆的背面形成掺杂区；形成与掺杂区互连的互连电极；提供第二半导体晶圆，其包括CMOS电路和金属层；将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆相对重叠放置，并将第二半导体晶的金属层和第一半导体晶圆背面的互连电极对应键合。本专利技术的激光三维成像装置及其制作方法，将三维APD阵列和CMOS像素原位信号放大器纵向的整合为一个器件，从而明显减小了电路的面积。【专利说明】
本专利技术涉及三维成像
，特别涉及。
技术介绍
激光三维成像技术，是由激光雷达向探测目标发射出一系列扫描光束，从探测目标返回的回波信号的二维平面信息和激光雷达测距得到的距离信息来合成图像的技术。激光三维成像装置通常包括:发射激光的激光雷达，接收从探测目标返回的回波信号的三维APD(雪崩光电二极管)阵列，处理由APD阵列输出的电信号的数据处理装置。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光三维成像装置的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供第一半导体晶圆，其包括衬底和位于衬底上的APD；刻蚀第一半导体晶圆，在衬底中形成接触孔；填充接触孔，并在接触孔上形成金属连线；在接触孔、金属连线、APD和衬底上形成介质层；在介质层上形成玻璃层；研磨第一半导体晶圆的背面直到露出接触孔的底部；在所述第一半导体晶圆的背面形成掺杂区；形成与掺杂区互连的互连电极；提供第二半导体晶圆，其包括CMOS电路，以及与CMOS电路互连的金属层；将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆相对重叠放置，并将第二半导体晶的金属层和第一半导体晶圆背面的互连电极对应键合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邢超，毛剑宏，
申请(专利权)人：上海丽恒光微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31