本发明提供的一种制冷红外探测器的及其制备方法中，制备方面包括以下步骤：提供一衬底，衬底上依次形成有超晶格复合层和硬掩模层，衬底中形成有沟槽和台面，沟槽和台面贯穿硬掩模层，并均暴露出部分厚度的超晶格复合层；去除硬掩模层；对衬底执行第一次清...

本发明提供的一种制冷红外探测器及其制备方法中，制备方面包括以下步骤：提供一衬底，衬底上形成有超晶格复合层；执行第一次清洁和表面处理工艺；在超晶格复合层上形成第一钝化层；在第一钝化层上形成具有开口的硬掩模层，以硬掩模层为掩模，依次刻蚀第一...

本发明提供的一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法，硬掩模刻蚀图形的方法一次光刻工艺，两次或者三次刻蚀工艺完成了硬掩模刻蚀图形，同时形成了双台阶的刻蚀图形，减少了下切现象的产生，缓解了刻蚀侧壁的内应力，提高了台阶区域的导电能...

本发明揭示了一种芯片封装结构，包括：第一芯片，所述第一芯片具有第一器件区域以及焊接区域，所述第一器件区域的一面具有第一器件，所述焊接区域的一面具有第一焊垫，所述第一焊垫与第一器件电连接；第二芯片，所述第二芯片具有第二器件区域以及通孔区域...

本发明揭示了一种压力传感器的封装方法，在所述压力传感器的封装方法中，在所述钝化层上键合一基板，所述基板覆盖所述第一开口，形成第二空腔，从而通过所述基板将压力传感器的第二空腔进行密封，通过晶圆级封装的方法，降低封装工艺的复杂度；并且，在所...

本发明揭示了一种麦克风传感器及其制备方法，通过将所述第一基底和第二基底进行键合形成空腔，然后在所述第二基底背离所述第一基底的一面形成背面开口，所述背面开口与所述声学孔导通，以实现MEMS结构的形成，所述麦克风传感器可以在现有的晶圆厂可以...

本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的上表面形成有底部电极；在所述半导体基底的上形成一介电层，在所述介电层中形成第一开口，所述第一开口暴露出所述底部电极；在所述介电层上键合一晶圆，所述晶圆覆盖所述第...

本发明的麦克风传感器及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成第一沟槽及第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽的交界位置形成台阶；在第二沟槽中形成第一感应层，在第一沟槽中形成第二感应层，第二沟槽的部分底壁与第一感应层之间形成第一空...

本发明的压力传感器及其制备方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底的正面形成第一沟槽及第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽的交界位置形成台阶；在第二沟槽中形成第一感应层，在第一沟槽中形成第二感应层，第二沟槽的部分底壁与第一感应层之间形成第一空腔...

本发明的传感器及其制备方法，包括：提供第一半导体衬底，在第一半导体衬底中形成多个第一离子注入区构成的第一离子注入区阵列和位于第一离子注入区上的凹槽构成的凹槽阵列；在第一半导体衬底上形成感应层，感应层覆盖凹槽，感应层暴露出凹槽外围的部分第...

本发明提供一种半导体器件及其封装方法，包括：提供一半导体基板，部分所述半导体基板的表面与一感应层之间形成一第一空腔，所述感应层上具有一保护层，所述保护层暴露出部分所述感应层作为感应窗口；形成一封装层，所述封装层位于所述保护层上，所述封装...

本发明涉及一种基于MEMS的光圈调整装置及其制备方法。基于MEMS的光圈调整装置包括一个不透明的可变形光圈环；多组导电变形横梁和导电柱，每组中每条导电变形横梁与相邻的导电柱相对应，导电变形横梁和导电柱相互间隔地分布在可变形透镜的周围，导...

本发明提供的红外探测器及其制备方法中，包括：提供一基板，所述基板表面具有反射层；形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层，所述牺牲层分别位于所述反射层与所述接触线之间、所述接触线与所述热敏电阻层之间以及所述热敏电阻层与所述红外吸收层...

本发明提供的红外探测器及其制备方法中，包括：提供基板，所述基板表面具有反射层；形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层，所述牺牲层分别位于所述反射层与所述热敏电阻层之间以及所述热敏电阻层与所述红外吸收层之间；去除所述牺牲层，在所述反...

本发明提供的红外探测器及其制备方法中，包括：提供一基板，基板表面具有反射层；形成牺牲层、接触线、热敏电阻层以及红外吸收层，牺牲层分别位于反射层与接触线之间、接触线与热敏电阻层之间以及热敏电阻层与红外吸收层之间，且接触线中形成有多个孔；去...

本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供一半导体基板；形成压力感应层；在压力感应层上形成掩膜层；刻蚀压力感应层，在压力感应层的顶壁上未被掩膜层保护的区域形成开口；利用第一灰化工艺去除所述掩膜层；对刻蚀后的压力感应层进行湿法清洗；...

本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包括：提供一半导体基板，所述半导体基板中形成有互连结构和底部接触电极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述底部接触电极；形成压力感应层，所述压力感应层覆盖所述牺牲层、互连结构的上层金属层及剩余的半导体基板...

本发明的压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板表面形成压力感应层，压力感应层与半导体基板间形成空腔，空腔上的压力感应层中有第一开口；形成非晶碳层，非晶碳层覆盖压力感应层，填充部分第一开口；形成第一介质层，第一介质层覆盖...

本发明的压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基板；在半导体基板表面形成压力感应层，压力感应层与半导体基板间形成空腔，空腔上的压力感应层中有第一开口；形成牺牲层，牺牲层覆盖压力感应层，填充部分第一开口；刻蚀牺牲层，保留靠近空腔边缘的一环...

本发明揭示了一种压力传感器及其制备方法，所述压力传感器，包括参考电容和感应电容，所述参考电容和所述感应电容在所述半导体基板上阵列分布；在所述参考电容的位置，所述压力感应层包括顶壁、底壁、侧壁及插塞结构，所述顶壁、底壁、侧壁和半导体基板围...