本发明揭示一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基板，半导体基板包括互连电路和底部接触电极，半导体基板表面具有覆盖互连结构的上层金属层的层间介质层；形成牺牲层，牺牲层覆盖底部接触电极及部分层间介质层；形成压力感应层，压力感应层覆盖牺...

本发明提供一种健身系统，包括：健身器材；摄像头，用于对使用所述健身器材的用户进行红外扫描以获取所述用户的温度信息；显示装置，用于根据所述摄像头发送的温度信息显示所述用户的温度图像。采用本发明的健身器材，用户可从显示装置上得出不同部位的锻...

本发明揭示了一种探测传感器，包括：半导体基底；隔离层，形成于所述半导体基底上；互连层，形成于所述隔离层上；第一插塞，形成于所述半导体基底上，并位于所述隔离层和互连层中，所述第一插塞与互连层形成电连接；导电垫片，形成于所述互连层上，并与所...

本发明揭示了一种探测传感器的制备方法，包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成一牺牲层，所述牺牲层中形成有通孔；在所述通孔的侧壁形成一第一介质层；在所述第一介质层内形成一导电层，所述导电层位于所述第一介质层的内壁并覆盖所述通孔的底...

本发明公开一种MEMS传感器及其制备方法，包括步骤：提供一包含有CMOS电路的第一半导体基底，及包含有MEMS器件的第二半导体基底；键合第一半导体基底和第二半导体基底；在所述第二半导体基底上形成第一互连插塞；在所述第一半导体基底和第二半...

本发明揭示了一种高度测量方法，包含：初始化一物体在初始时刻的实时高度；以一特定时间间隔实时采样所述物体所处环境的气压值；根据前一次以所述特定时间间隔采样与当次采样之间的气压差值，得到一实时的第一相对高度，并根据所述物体前一次以所述特定时...

本发明揭示了一种物体运动轨迹获取方法，包含：初始化一物体在初始时刻的初始高度和初始经纬位置；实时探测所述物体在各时刻的实时高度和实时经纬位置；根据各时刻的经纬位置和所述实时高度，绘制所述物体的三维运动轨迹。本发明还提供一种物体运动轨迹获...

一种激光三维成像装置及其制作方法，包括步骤：提供第一半导体晶圆；刻蚀第一半导体晶圆，在衬底中形成接触孔；填充接触孔，并在接触孔上形成金属连线；在接触孔、金属连线、APD和衬底上形成介质层；在介质层上形成玻璃层；研磨第一半导体晶圆的背面直...

本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包含：提供半导体基底，所述半导体基底的表面形成有覆盖底部电极的牺牲层；在所述半导体基底上形成顶部电极，所述顶部电极具有压力传感区；在所述顶部电极上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖所述压力传感区；对...

本发明提供了微机电麦克风及其制作方法，所述微机电麦克风制作方法包括：半导体基片；形成底部电极和位于底部电极外围的互连电极；形成第一牺牲层，所述第一牺牲层覆盖所述底部电极、部分互连电极和暴露的半导体基片；形成振膜电极；在第一牺牲层和振膜电...

本发明公开了一种成像探测器的制造方法，在所述基底上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用锗硅填充所述通孔形成第二互连孔；在所述牺牲层和第二互连孔上形成金属层；在金属层上形成第二介质层；刻蚀去掉部分区域的第二介质层...

本发明公开了一种成像探测器的制造方法，包括：刻蚀基底上的牺牲层，形成暴露所述第一互连孔的通孔；利用导电材料填充所述通孔形成第二互连孔；形成金属层；在金属层上形成第二介质层；利用干法刻蚀去掉部分区域的第二介质层和金属层，使得相邻的四个第二...

本实用新型公开了一种用于安装在登山杖的海拔高度测量器件及登山杖，所述用于安装在登山杖的海拔高度测量器件包括：主体和连接于主体的环状连接装置；所述主体包括海拔测量模块，其用于测量登山杖的海拔高度；环状连接装置，用于连接计步器和登山杖。的海...

本发明公开了一种感光成像装置，及其制造方法包括；第一半导体基板，其包括由光探测管阵列构成的感光半导体层；和第一半导体基板层叠排列的第二半导体基板，其包括由像素原位放大电路阵列构成的像素元电路半导体层，所述像素原位放大电路包括至少一个第一...

一种雪崩光电二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，雪崩光电二极管阵列装置的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底正面形成雪崩光电二极管阵列；在相邻两雪崩光电二极管中，在至少其中一个雪崩光电二极管的周围形成环绕该雪崩光电二极管的隔离环...

一种红外雪崩二极管阵列装置及形成方法、激光三维成像装置，红外雪崩二极管阵列装置的形成方法包括：提供硅衬底；在所述硅衬底正面形成呈阵列排列的重掺杂P型硅区、位于P型硅区上的本征锗区、位于本征锗区上的重掺杂N型锗区；红外雪崩光电二极管包括所...

一种MEMS电容式压力传感器，其通过将桥式电路中感应电容开孔处理制作成参考电容，因为感应电容和参考电容的结构几乎相同，故，两电容温度系数一致，该两电容受温度影响程度相同，而桥式电路之输出检测信号为一差分信号，故桥式电路所输出的检测信号不...

本发明涉及一种基于MEMS透射光阀的显示装置及其形成方法，包括提供包括底层半导体、中间埋层和顶层半导体的多层复合半导体衬底；在所述顶层半导体中形成导光口；在所述顶层半导体剩余部分中制备至少一个MOS器件；在所述MOS器件上形成互连层和层...

本发明公开了一种温度传感器，包括：电阻，随温度变化阻值；电阻-频率转换电路，用于将电阻变化转换为频率变化；所述电阻和电阻-频率转换电路位于同一芯片内；所述电阻为利用电阻-频率转换电路中的金属层形成的电阻。本发明的温度传感器相比于传统的温...

本发明涉及一种MEMS器件的制造方法包括步骤：提供第一半导体基底；在第一半导体基底上形成图案层和嵌在图案层内的牺牲层；在图案层和牺牲层上键合第二半导体基底；研磨第二半导体基底到一定厚度；利用第二半导体基底形成悬浮的微机械结构；在第二半导...