压力传感器的制备方法技术
Method for preparing pressure sensor
The invention discloses a pressure sensor preparation method includes: providing a semiconductor substrate; forming a pressure sensitive layer; a mask layer is formed in a pressure sensitive layer; etching a pressure sensitive layer, the top wall pressure sensitive layer on the mask layer is not protected areas form an opening; removing the mask layer using the first the ashing process; wet cleaning of the pressure sensitive layer after etching; using second ashing process to remove the sacrificial layer through the opening, thereby removing the produced by wet process before polymer and chemical solution into the capacitor cavity, improves the stability of electricity, improve the performance of the device.
【技术实现步骤摘要】
压力传感器的制备方法
本专利技术涉及微机电系统
，特别是涉及一种压力传感器的制备方法。
技术介绍
微机电系统(MicroelectroMechanicalSystems，简称MEMS)是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域，是一种采用半导体工艺制造微型机电器件的技术。与传统机电器件相比，MEMS器件在耐高温、小体积、低功耗方面具有十分明显的优势。经过几十年的发展，已成为世界瞩目的重大科技领域之一，它涉及电子、机械、材料、物理学、化学、生物学、医学等多种学科与技术，具有广阔的应用前景。压力传感器是一种将压力信号转换为电信号的微机电系统。根据工作原理的不同其可分为压阻式压力传感器和电容式压力传感器。电容式压力传感器的原理为通过压力改变压力感应层和底部接触电极之间的电容，以此来测量压力。然而，现有技术的压力传感器中，压力感应层半导体衬底上的底部电极之间具有空腔，从而通过压力感应层和底部电极之间的电容变化来测量压力，然而现有技术中在形成空腔的过程中，会在压力感应层的顶部产生聚合物，该聚合物会影响后续导致压力传感器的电学特性。
技术实现思路
本专利技术的目...
【技术保护点】
一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体基板，所述半导体基板中形成有互连结构和底部接触电极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述底部接触电极；形成压力感应层，所述压力感应层覆盖所述牺牲层、互连结构的上层金属层及剩余的半导体基板表面，所述压力感应层包括顶壁、底壁和侧壁，所述顶壁位于所述牺牲层上，所述侧壁围绕在所述牺牲层的周围，所述底壁位于所述互连结构的上层金属层上；在压力感应层上形成掩膜层；刻蚀压力感应层，在压力感应层的顶壁上未被掩膜层保护的区域形成开口；利用第一灰化工艺去除所述掩膜层；对刻蚀后的压力感应层进行湿法清洗；利用第二灰化工艺，通过所述开口去除牺牲层。
【技术特征摘要】
1.一种压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体基板，所述半导体基板中形成有互连结构和底部接触电极；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述底部接触电极；形成压力感应层，所述压力感应层覆盖所述牺牲层、互连结构的上层金属层及剩余的半导体基板表面，所述压力感应层包括顶壁、底壁和侧壁，所述顶壁位于所述牺牲层上，所述侧壁围绕在所述牺牲层的周围，所述底壁位于所述互连结构的上层金属层上；在压力感应层上形成掩膜层；刻蚀压力感应层，在压力感应层的顶壁上未被掩膜层保护的区域形成开口；利用第一灰化工艺去除所述掩膜层；对刻蚀后的压力感应层进行湿法清洗；利用第二灰化工艺，通过所述开口去除牺牲层。2.如权利要求1所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，所述第一灰化工艺的工艺参数为：时间：20～30S/温度：170℃～3...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘孟彬，毛剑宏，
申请(专利权)人：上海丽恒光微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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