压力传感器及其形成方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种压力传感器及其形成方法。
技术介绍
在半导体领域，现有的微机电系统压力传感器，是通过压力传感器开关(PressureSensorShutter)接收外界的气体压力，然后将气体压力转换成电信号，测量出具体的压力信息。现有的一种形成压力传感器的方法包括：参照图1，提供半导体衬底1，在半导体衬底1上形成有有源器件(图中未示出)；在半导体衬底1上形成有第一层间介质层2，第一层间介质层2覆盖有源器件和半导体衬底1；在第一层间介质层2中形成有下极板4、与下极板4同层且间隔开的第一互连层3，第一层间介质层2覆盖下极板4和第一互连层3，其中第一互连层3与半导体衬底1上的有源器件电连接，下极板4通过其下方的第二互连层5与有源器件电连接。参照图2，使用光刻、刻蚀工艺，在第一层间介质层2和第一互连层3中形成连接槽6。参照图3，在第一层间介质层2上沉积无定形碳层，无定形碳层填充满连接槽6；接着，使用光刻、刻蚀工艺，去除除下极板4上方的无定形碳层外的无定形碳层部分，露出连接槽6，仅保留下极板4上方的无定形碳层部分，作为牺牲层7。参照图4，在第一层间介质层2和牺牲层7上形成上极板8，上极板8填充满连接槽6(参照图3)，以与第一互连层3接触电连接，并通过第一互连层3与下方的有源器件电连接。参照图5，在牺牲层7上方的上极板8中形成若干通孔80，露出牺牲层7。参照图...
【技术保护点】
一种压力传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介质层、位于所述第一层间介质层中的下极板、与所述下极板位于同一层且间隔开的第一互连层；在所述下极板上方形成牺牲层；在所述第一层间介质层、第一互连层和牺牲层上形成上极板；在形成所述牺牲层之后且在形成所述上极板之前，在所述第一互连层中形成连接槽，所述上极板填充满连接槽以与第一互连层电连接；或者，在形成所述上极板之后，在所述上极板和第一互连层中形成连接槽，之后在所述连接槽中形成连接上极板和第一互连层的导电层；在将所述上极板和第一互连层电连接后，去除所述牺牲层以形成空腔。
【技术特征摘要】
1.一种压力传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介质层、位于所
述第一层间介质层中的下极板、与所述下极板位于同一层且间隔开的第一互
连层；
在所述下极板上方形成牺牲层；
在所述第一层间介质层、第一互连层和牺牲层上形成上极板；
在形成所述牺牲层之后且在形成所述上极板之前，在所述第一互连层中
形成连接槽，所述上极板填充满连接槽以与第一互连层电连接；或者，
在形成所述上极板之后，在所述上极板和第一互连层中形成连接槽，之
后在所述连接槽中形成连接上极板和第一互连层的导电层；
在将所述上极板和第一互连层电连接后，去除所述牺牲层以形成空腔。
2.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，在所述第一层
间介质层上形成牺牲层的方法包括：
在所述第一层间介质层上沉积牺牲材料层；
对所述牺牲材料层进行图形化，以形成牺牲层。
3.如权利要求2所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，使用光刻、刻
蚀工艺对所述牺牲材料层进行图形化。
4.如权利要求3所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的
材料为无定形碳或锗。
5.如权利要求4所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的
材料为无定形碳；
在刻蚀牺牲材料层过程中使用的刻蚀气体包括O2、CO、N2和Ar；
刻蚀牺牲材料层过程的参数为：O2的流量范围为18sccm～22sccm，CO的
流量范围为90sccm～110sccm，N2的流量范围为90sccm～110sccm，Ar的流量
范围为90sccm～110sccm，压强范围为90mTor～110mTor，偏置功率为
540w～660w。
6.如权利要求1所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的
厚度范围为1.8μm～2.2μm。
7.如权利要求1所述的力传感器的形成方法，其特征在于，使用光刻、刻蚀
工艺，刻蚀部分厚度的第一互连层形成连接槽。
8.如权利要求7所述的压力传感器的形成方法，其特征在于，所述第一互连
层的材料为Al；
在刻蚀部分厚度的第一互连层过程中，使用的刻蚀气体包括Cl2、BCl3和
N2，参数为：Cl2的流量范围为54sccm～66sccm，BCl3的流量范围为
54scc...
【专利技术属性】
技术研发人员：伏广才，陈雷雨，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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