【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal，简称mim)电容器，已广泛应用于射频解耦和模拟混合信号集成电路的应用。金属-绝缘体-金属电容器是一种很有储能能力强的储能器件。一般来说，电容器储能能量密度与电容密度成正比。
2、因此，高密度电容对于金属-绝缘体-金属电容器来说是非常重要的。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法，以提升电容密度。
2、为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底，所述衬底包括第一区、第二区和第三区，所述第二区位于第一区和第三区之间；位于第一区上和第二区上的第一电极层；位于第一电极层顶部表面、侧壁表面以及第三区表面的第一介电层；位于第三区上和第二区上的第一介电层表面的第二电极层，所述第二电极层暴露出第一区的第一电极层；位于第二电极层顶部表面、侧壁表面以及第一区上...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化铪或氧化铝；所述第二介电层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化铪或氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层的材料包括金属，所述第二电极层的材料包括金属，所述第三电极层的材料包括金属；所述金属包括铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一电极层和衬底之间的刻蚀停止层；所述刻蚀停止层的材料包括氮化硅。
5.如...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化铪或氧化铝；所述第二介电层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化铪或氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极层的材料包括金属，所述第二电极层的材料包括金属，所述第三电极层的材料包括金属；所述金属包括铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一电极层和衬底之间的刻蚀停止层；所述刻蚀停止层的材料包括氮化硅。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电层的厚度范围为30埃～100埃；所述第二介电层的厚度范围为30埃～100埃。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于衬底上的介质结构，所述第一电极层、第二电极层以及第三电极层位于所述介质结构内；位于第一区上的介质结构内的第一开口，位于第三区上的介质结构内的第二开口；所述第一开口暴露出部分所述第一电极层表面和部分所述第三电极层表面，所述第二开口暴露出部分所述第二电极层表面；或者，所述第一开口暴露出部分所述第一电极层表面，所述第二开口暴露出部分所述第二电极层表面和部分所述第三电极层表面；所述第一插塞位于所述第一开口内，所述第二插塞位于所述第二开口内。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一插塞包括：位于第一开口侧壁表面和底部表面的第一粘附层，以及位于第一粘附层上的第一金属层；所述第二插塞包括：位于第二开口侧壁表面和底部表面的第二粘附层，以及位于第二粘附层上的第二金属层。
8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介电层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化铪或氧化铝；所述第二介电层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化铪或氧化铝。
10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一电极层的材料包括金属，所述第二电极层的材料包括金属，所述第三电极层的材料包括金属；所述金属包括铜、铝、钨、钴、镍和钽中的一种或多种的组合。
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【专利技术属性】
技术研发人员：金吉松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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