基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

一种用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理的方法，在所述第一基板的表面侧形成有包含多个器件的器件层，所述方法包括：向含氧膜照射第一激光束来形成漏光防止层，所述含氧膜形成在所述第一基板的要形成成为剥离的基点的改性层的形成位置与所述器件层之间；在形成所述漏光防止层之后，向所述第一基板的内部照射第二激光束来形成所述改性层；以及以所述改性层为基点将所述第一基板剥离来进行薄化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种基板处理方法和基板处理装置。

技术介绍

1、在专利文献1中公开了一种使用了simox(separation by implanted oxygen：注氧隔离)基板的半导体装置的制造方法。根据专利文献1的记载，在simox基板的一个表面形成了以第一单晶半导体层为有源层的场效应晶体管、以及包含存储元件的层之后，通过蚀刻和磨削研磨中的至少任一方来去除与一个表面相反的表面的第二单晶半导体层。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2011-97105号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本公开所涉及的技术在第一基板与第二基板接合而成的重叠基板中将第一基板适当地薄化。

3、用于解决问题的方案

4、本公开的一个方式是用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理的方法，在所述第一基板的表面侧形成有包含多个器件的器件层，所述方法包括：向含氧膜照射第一激光束来形成漏光防止层，所述含氧膜形成在所述第一基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理方法，是用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理的方法，

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其中，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其中，

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，还包括：

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：

9.一种基板处理装置，是第一基板与...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板处理方法，是用于对第一基板与第二基板接合而成的重叠基板进行处理的方法，

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理方法，其中，

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其中，

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，还包括：

8.根据权利要求1～7中的任一项所述的基板处理方法，其中，还包括：

9.一种基板处理装置，是第一基板与第二基...

【专利技术属性】
技术研发人员：沟本康隆，山下阳平，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：