【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。
技术介绍
1、随着传统金属氧化物场效应晶体管及鳍式场效应晶体管尺寸的不断微缩，边界效应和短沟道效应越来越明显，已不能满足高性能、高可靠性和低功耗电子产品的需求。全包围栅场效应晶体管(gate all around field-effect transistor，gaafet)对半导体器件沟道有出色的控制能力，已经被业界广泛采用。
2、然而全包围栅场效应晶体管的工艺相对复杂，制作过程中容易造成半导体器件性能降低的问题。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是通过提供一种半导体器件的形成方法，优化半导体器件的性能。
2、为了解决上述问题，本专利技术实施例提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，形成位于所述基底上的多个牺牲半导体鳍；形成填充于所述牺牲半导体鳍之间的隔离层；去除部分高度的所述牺牲半导体鳍，形成位于隔离层中的半导体鳍沟槽；在所述半导体鳍沟槽中形成第一半导体层和第二半导体层交替层叠的堆...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第一半导体层或第二半导体层的步骤包括：
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用选择性外延生长的方式形成所述半导体材料层。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述半导体材料层的步骤中，所述半导体材料层的厚度位于5纳米～10纳米的范围内。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层为硅层，所述第二半导体层为硅锗层；或者，所述第一半导体层为硅锗层，所述第二半导体层为硅层。
6....
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成第一半导体层或第二半导体层的步骤包括：
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，采用选择性外延生长的方式形成所述半导体材料层。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述半导体材料层的步骤中，所述半导体材料层的厚度位于5纳米～10纳米的范围内。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一半导体层为硅层，所述第二半导体层为硅锗层；或者，所述第一半导体层为硅锗层，所述第二半导体层为硅层。
6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述形成方法还包括：去除所述硅锗层，形成包围所述硅层的全包围栅。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述堆叠层中第一半导体层和第二半导体层的总层数不少于6层。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体鳍沟槽深度位于大于等于60纳米且小于等于7...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘庆，于蕾，代楚盈，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。