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一种半导体结构形成方法,包括:提供基底,形成位于所述基底上的多个牺牲半导体鳍;形成填充于所述牺牲半导体鳍之间的隔离层;去除部分高度的所述牺牲半导体鳍,形成位于隔离层中的半导体鳍沟槽;在所述半导体鳍沟槽中形成第一半导体层和第二半导体层交替层叠...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构形成方法,包括:提供基底,形成位于所述基底上的多个牺牲半导体鳍;形成填充于所述牺牲半导体鳍之间的隔离层;去除部分高度的所述牺牲半导体鳍,形成位于隔离层中的半导体鳍沟槽;在所述半导体鳍沟槽中形成第一半导体层和第二半导体层交替层叠...