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一种半导体结构形成方法，包括：提供基底，形成位于所述基底上的多个牺牲半导体鳍；形成填充于所述牺牲半导体鳍之间的隔离层；去除部分高度的所述牺牲半导体鳍，形成位于隔离层中的半导体鳍沟槽；在所述半导体鳍沟槽中形成第一半导体层和第二半导体层交替层叠...
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