一种发光二极管的侧面修复方法及一种发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种一种发光二极管的侧面修复方法及一种发光二极管，所述侧面修复方法包括：通过在所述发光二极管的上表面形成第一环形凹槽和多个第一凹槽，多个所述第一凹槽连接所述第一环形凹槽，在所述发光二极管的下表面形成第二环形凹槽和多个第二凹槽，多个所述第二凹槽连接所述第二环形凹槽，在所述发光二极管的侧面形成多个第三V型凹槽，每个所述第三V型凹槽连接相应的一个第一凹槽和一个第二凹槽，进而在后续形成第一无机钝化层、第二有机钝化层以及第三无机钝化层的过程中，使得部分所述第一无机钝化层、第二有机钝化层以及第三无机钝化层嵌入到上述各凹槽中，进而可以有效避免各钝化层剥离。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光，具体涉及一种发光二极管的侧面修复方法及一种发光二极管。

技术介绍

1、发光二极管的核心是pn结，它由p型半导体和n型半导体结合而成。p型半导体中存在大量带正电的空穴，n型半导体中存在大量带负电的电子。当给pn结施加正向电压时，p区的空穴会向n区扩散，n区的电子会向p区扩散，在pn结附近发生复合。电子从高能级跃迁到低能级时，会以光子的形式释放出能量，从而产生发光现象。发光颜色取决于半导体材料的能隙宽度，不同能隙的材料会发出不同波长的光，进而呈现出不同的颜色。现有发光二极管制备过程中，通常通过切割工艺形成发光二极管芯片，而在切割过程中容易造成发光二极管芯片的侧壁损伤，如何改善发光二极管芯片的侧面稳定性，这引起了人们的广泛关注。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中对的上述问题，本申请提供了一种发光二极管的侧面修复方法及一种发光二极管。

2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：

3、本申请的实施例提供了一种发光二极管的侧面修复方法，所述发光二极管的侧面修复方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述发光二极管的侧面修复方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述外延功能层包括层叠设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述第一环形凹槽位于所述透明导电层中，所述第一环形凹槽的深度与所述透明导电层的厚度的比值为0.3-0.5。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述第二环形凹槽贯穿所述背面金属层且嵌入到所述衬底中，且所述第二环形凹槽的深度与所述衬底的厚度的比值为...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述发光二极管的侧面修复方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述外延功能层包括层叠设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述第一环形凹槽位于所述透明导电层中，所述第一环形凹槽的深度与所述透明导电层的厚度的比值为0.3-0.5。

4.根据权利要求1所述的发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述第二环形凹槽贯穿所述背面金属层且嵌入到所述衬底中，且所述第二环形凹槽的深度与所述衬底的厚度的比值为0.1-0.3。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的侧面修复方法，其特征在于：所述第一无机钝化层以及第三无机钝化层的材料为氧化铝、氧化锆、氮化硅、氮氧化硅中的一种，所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雍，贾登文，陈文娟，瞿澄，
申请(专利权)人：罗化芯显示科技开发江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：