【技术实现步骤摘要】
本申请中实施例涉及半导体，具体涉及一种半导体结构、半导体结构的制造方法以及图像传感器。
技术介绍
1、cmos图像传感器（complementary metal-oxide-semiconductor image sensor，cis）是一种将光敏元件、放大器、模拟数字转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口电路等元件集成在同一硅基片上的图像传感器件。由于具有低功耗、高性能以及易于集成等优点，cmos图像传感器在消费电子、安防监控、辅助驾驶和医疗设备等多个领域得到了广泛应用。
2、像素阵列是cmos图像传感器的关键组成部分，组成像素阵列的每个像素的性能对cmos图像传感器整体的成像质量和分辨率具有重要影响。在组成像素阵列的多种像素结构中，四管有源像素结构（4 transistor active pixel sensor，4t-aps）因其集成度高、响应速度快、功耗低、成本低等优势，在cmos图像传感器的设计与制造中得到了广泛的应用。
3、然而，在由现有的四管有源像素结构组成的像素阵列中，在晶体管处于关断或等待状...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述传输栅极包括第一栅极掺杂区和第二栅极掺杂区；其中，以垂直于所述基底的法线方向的方向作为所述传输栅极的宽度方向，沿所述传输栅极的宽度方向，所述第一栅极掺杂区位于所述第二栅极掺杂区和所述第一栅极侧墙之间；所述第一栅极掺杂区的掺杂类型与所述第二栅极掺杂区的掺杂类型不同。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述传输栅极包括第三栅极掺杂区；在所述第三栅极掺杂区中，越接近所述第一栅极...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述传输栅极包括第一栅极掺杂区和第二栅极掺杂区；其中，以垂直于所述基底的法线方向的方向作为所述传输栅极的宽度方向，沿所述传输栅极的宽度方向，所述第一栅极掺杂区位于所述第二栅极掺杂区和所述第一栅极侧墙之间；所述第一栅极掺杂区的掺杂类型与所述第二栅极掺杂区的掺杂类型不同。
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述传输栅极包括第三栅极掺杂区；在所述第三栅极掺杂区中，越接近所述第一栅极侧墙的区域掺杂浓度越低。
5.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：康绍磊，章曦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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